intTypePromotion=1
zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn
ADSENSE

Bài tập điện tử căn bản mạch phi tuyến tính (Có lời giải)

Chia sẻ: Le Duoc | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:3

25
lượt xem
1
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài tập điện tử căn bản mạch phi tuyến tính (Có lời giải) giúp các bạn học sinh có thêm nguồn tài liệu để tham khảo cũng như củng cố kiến thức đã học, rèn luyện khả năng giải bài tập của mình. Mời các bạn cùng tham khảo tài liệu.

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Bài tập điện tử căn bản mạch phi tuyến tính (Có lời giải)

Bài tập Ch.2<br /> 2.1<br /> <br /> Cho mạch theo H.2.1 với diod có Is = 1 pA, VT = 0,025V.<br /> Tính:<br /> 1. ID<br /> +<br /> 2. iD  id<br /> iD<br /> +<br /> vi<br /> 3. rd.<br /> =0.001sinwt -<br /> <br /> D<br /> <br /> +<br /> <br /> Giải:<br /> <br /> -<br /> <br /> VB<br /> =0,7V<br /> <br /> 1. Tính ID:<br /> ID  IS  e<br /> <br /> VD VT<br /> <br />  1  10<br /> <br /> 12<br /> <br /> e<br /> <br /> VD VT<br /> <br />  1  10<br /> <br /> 12<br /> <br />  1, 45.10 <br /> <br /> H.2.1<br /> <br /> 12<br /> <br />  1, 45 A<br /> 2. Tính id<br /> Tuyến tính hoá trong chế độ tín hiệu nhỏ cho:<br /> iD  I D  iD<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> <br />  I S eVD VT  1 <br /> <br /> I S vD VT<br /> e<br />  vD <br /> VT<br /> <br /> I S vD VT<br /> e<br />  vD <br /> VT<br /> Mặt khác, nguồn tác động AC cho bởi:<br /> iD <br /> <br /> V <br /> <br /> vI  VI  vI  0,7V  0,001sin t<br /> Nên cho:<br /> <br /> vD  VD  vD  0,7V  0,001sin t<br /> <br /> V <br /> <br /> Tính được:<br /> iD <br /> <br /> <br /> I S VD<br /> e<br /> VT<br /> <br /> VT<br /> <br /> vD <br /> <br /> 1012 A 0,7V<br /> e<br /> 0.025V<br /> <br /> 0,025V<br /> <br />  0,001sin t<br /> <br /> 1, 45<br /> 0,001sin t  0,058sin t<br /> 0, 025<br /> <br /> 3. Tính rd,<br /> gd <br /> <br /> 1 diD I s vD VT I D<br /> <br />  e<br /> ;<br /> rd dvD VT<br /> VT<br /> <br /> rD <br /> <br /> VT 0, 025V<br /> <br />  0, 017<br /> ID<br /> 1, 45 A<br /> <br /> Có lại:<br /> iD <br /> <br /> vD 0, 001sin t  V <br /> <br />  0, 059sin t<br /> rd<br /> 0, 017   <br /> <br /> A<br /> <br /> 1<br /> <br /> R1<br /> 1k<br /> <br /> 2.2.Cho mạch H.2.2<br /> R1 = R2 = R4 = 1 k  ,<br /> R3 = 0,5 k  . Diod D1 có<br /> dòng điện cho bởi:<br /> <br /> <br /> <br /> R3<br /> 0.5k<br /> <br /> <br /> <br /> iD  I S evD VT  1<br /> <br /> R4<br /> <br /> D1<br /> <br /> + vI<br /> <br /> 1k<br /> <br /> R2<br /> 1k<br /> <br /> -<br /> <br /> với dòng bảo hoà<br /> IS = 1.10-9 A và<br /> điện thế nhiệt<br /> VT = 25 mV<br /> 1. Tính mạch tương đương Thevenin của<br /> H.2.2<br /> mạch nối với diod.<br /> 2. Giả sử mô hình lý tưởng diod được phân cực bởi nguồn điện<br /> 0,6V . Tính vD vá iD khi VI = 4V.<br /> 3. Tính điện trở diod chung quanh điểm tỉnh Q (xác định ở câu 3)<br /> trong mô hình tuyến tính của diod ở chế độ tín hiệu nhỏ.<br /> 4. Dùng mô hình ở phần c, tính vd(t) nếu có<br /> vI = 4V + 0,004 V cos  t  V.<br /> <br /> Giải:<br /> 1. Mạch điện tương đương Thevenin:<br /> <br /> R3<br /> 0.5k<br /> <br /> R1<br /> <br /> R1<br /> 1k<br /> <br /> 1k<br /> +<br /> VI<br /> <br /> 0.5k b 0.5k<br /> <br /> a<br /> <br /> a<br /> R4<br /> 1k<br /> <br /> R2<br /> 1k<br /> <br /> VI<br /> <br /> +<br /> <br /> R2<br /> 1k<br /> <br /> VI/2 +<br /> <br /> 1k<br /> <br /> -<br /> <br /> b'<br /> <br /> a'<br /> <br /> a'<br /> 1k<br /> <br /> a<br /> <br /> 0.5k<br /> <br /> 1k<br /> <br /> 1k<br /> <br /> 0.5k+0.5k<br /> 1k<br /> <br /> RTH<br /> <br /> a'<br /> <br /> VTH <br /> <br /> 1k <br /> 1<br /> VI  VI<br />  0,5k   0,5k    1k  4<br /> <br /> RTH  �<br />  1k  1k    0,5k �<br /> �<br /> �1k   0,5k <br /> 2. Tính thế và dòng :<br /> Vaa’ = (¼) VI= 4/4 = 1V<br /> vD  0, 6V<br /> iD <br /> <br /> 1V  0, 6V<br />  0,8mA<br /> 0,5k <br /> 2<br /> <br /> R<br /> <br /> 3. Mô hình tuyến tính của diod có giá trị với hoạt động tín<br /> hiệu nhỏ chung quanh điểm tỉnh Q xác định ở câu 2:<br /> dv<br /> V<br /> rd  D  T e VD VT  9, 44.104 <br /> diD I S<br /> 3. Tính vd(t)<br /> vd <br /> <br /> rd<br /> 9, 44.10 4<br /> vi <br /> 0, 004 cos t<br /> rd  RTH<br /> 0,5.103<br /> <br />  18,88.107  0, 004   7,552.10 9 cos t<br /> vd  7,55.109 cos t<br /> <br /> 2.3. Cho mạch ở H.2.3. có chứa phần tử phi tuyên với đặc tính<br /> sau:<br /> <br /> iN <br /> <br /> 104 vN2<br /> <br /> khi vN  0<br /> <br /> 0<br /> <br /> khi vN  0<br /> <br /> iN ( A) và vN (V).<br /> Điện thế ngõ ra vo được viết<br /> gần đúng là tổng hai số hạng:<br /> <br /> vO  VO  vo<br /> <br /> +<br /> +<br /> vi<br /> <br /> -<br /> <br /> vN<br /> <br /> -<br /> <br /> iN<br /> R<br /> Vo<br /> <br /> +<br /> VB<br /> <br /> với VO là thành phần điện thế DC<br /> tạo ra do VB và vo diện thế gia tăng<br /> tạo nên do nguồn tín hiệu nhỏ vi.<br /> H.2.3<br /> Giả sử vi = 10-3 sinwt V và VB cũng như thành phần phi<br /> tuyến hoạt động với vN = 10V. Tính điện thế gia tăng ngõ ra<br /> vo.<br /> <br /> Giải:<br /> diN<br />  2  104 vN <br /> dvN<br /> rN <br /> <br /> dvN<br /> 1<br /> 1<br /> <br /> <br /> 4<br /> 4<br /> diN 2  10 vN  2  10  10V<br /> <br /> 1000<br />  500<br /> 2<br /> R<br /> R<br /> vo <br /> vi <br /> 103 sin t<br /> R  rN<br /> R  500<br /> <br /> <br /> 3<br /> <br />
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2