Bài giảng Điện tử tương tự 1: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor trường

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:20

Thêm vào BST

Báo xấu

25
lượt xem 2
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài giảng "Điện tử tương tự 1: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor trường" được biên soạn với các nội dung chính sau: Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử dụng transistor trường; Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor trường; Tổng kết đặc điểm của các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor trường. Mời thầy cô và các em cùng tham khảo chi tiết bài giảng tại đây!

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Bài giảng Điện tử tương tự 1: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor trường

4.396 Điện tử tương tự 1 Bài giảng: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor trường Slide 1
Nội dung • 6.1 Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử dụng transistor trường • 6.2 Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor trường – 6.2.1 Mạch chung nguồn, phân cực bằng dòng cố định – 6.2.2 Mạch mắc chung nguồn, tự phân cực – 6.2.3 Mạch mắc chung nguồn, phân cực bằng mạch phân áp – 6.2.4 Mạch mắc chung máng (mạch lặp nguồn) – 6.2.5 Mạch mắc chung cửa • 6.3 Tổng kết đặc điểm của các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor trường Slide 2
6.1 Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử dụng FET • Trở kháng vào Z i (FET) = ∞ • Trở kháng ra 1 ∆VDS Z o (FET) = rd = rd = yos ∆I D VGS = constant • Điện áp VGS điều khiển dòng I D hỗ dẫn truyền đạt ∆I D = g m ∆VGS ∆I D gm = ∆VGS Slide 3
6.1 Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử dụng FET • Xác định g m sử dụng đặc tuyến truyền đạt ∆y ∆I D gm = m = = ∆x ∆VGS Slide 4
6.1 Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử dụng FET • Xác định g m 2 I DSS  VGS  gm = 1  − VP  VP   VGS  2 I DSS g m = g m 0 1 −, g m 0 = g m V =0  VP  VP GS • Ảnh hưởng của I D lên g m VGS ID ID 1− = ⇒ gm = gm0 VP I DSS I DSS Slide 5
6.1 Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử dụng FET Slide 6
6.2 Phân tích mạch KĐ TH nhỏ sử dụng FET • 6.2.1 Mạch chung nguồn, phân cực bằng dòng cố định • 6.2.2 Mạch mắc chung nguồn, tự phân cực • 6.2.3 Mạch mắc chung nguồn, phân cực bằng mạch phân áp • 6.2.4 Mạch mắc chung máng (mạch lặp nguồn) • 6.2.5 Mạch mắc chung cửa Slide 7
6.2.1 Mạch mắc CS, PC bằng dòng cố định Z i = RG Z o = RD rd Av = −g m ( RD rd ) Vi , Vo ngược pha * rd ≥ 10 RD Z o ≈ RD Av ≈ − g m RD Slide 8
6.2.2 Mạch mắc CS, tự phân cực Z i = RG Z o = RD rd Av = −g m ( RD rd ) Vi , Vo ngược pha * rd ≥ 10 RD Z o ≈ RD Av ≈ − g m RD Slide 9
6.2.3 Mạch mắc CS, PC bằng mạch phân áp Z i = R1 R2 Z o = RD rd Av = −g m ( RD rd ) Vi , Vo ngược pha * rd ≥ 10 RD Z o ≈ RD Av ≈ − g m RD Slide 10
6.2.4 Mạch mắc CD (mạch lặp nguồn) Z i = RG Z o = RS rd 1 g m g m ( RS rd ) Av = 1 + g m ( RS rd ) Vi , Vo cùng pha * rd ≥ 10 RS Z o ≈ RS 1 g m g m RS Av ≈ 1 + g m RS Slide 11
6.2.5 Mạch mắc chung cửa  rd + RD  Z i = RS    1 + g m rd  Z o = RD rd RD g m RD + rd Av = RD 1+ rd Vi , Vo cùng pha * rd ≥ 10 RS Z i ≈ RS 1 g m , Z o ≈ RD Av ≈ g m RD Slide 12
D-MOSFET Slide 13
E-MOSFET ( g m = 2k VGS Q ) VGS (Th ) − Slide 14
E-MOSFET – CS phân cực kiểu hồi tiếp RF + rd RD Zi = 1 + g m ( rd RD ) Z o = RF rd RD Av = −g m ( RF rd RD ) Vi , Vo ngược pha * RF  rd RD , rd ≥ 10 RD RF Zi ≈ , Z o ≈ RD 1 + g m RD Av ≈ − g m RD Slide 15
E-MOSFET – CS phân cực bằng mạch phân áp Z i = R1 R2 Z o = RD rd Av = −g m ( RD rd ) Vi , Vo ngược pha * rd ≥ 10 RD Z o ≈ RD Av ≈ − g m RD Slide 16
6.3 Tổng kết đặc điểm của các mạch KĐ tín hiệu nhỏ sử dụng FET CS CG CD Zi Lớn Nhỏ Lớn Zo Trung bình Trung bình Nhỏ Av Trung bình Trung bình Nhỏ (
Ví dụ 1 • Thiết kế mạch KĐ có Av = 8 , điểm làm việc VGS = VP Q 4 RD , RS ? Slide 18
Tóm tắt • Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sử dụng FET • Cách phân tích mạch KĐ tín hiệu nhỏ sử dụng FET Slide 19
Bài tập • Đọc chương 10 (Ảnh hưởng của điện trở nguồn và điện trở tải) trong tài liệu tham khảo [1] • Bài tập [1]: – Chương 9: 1, 5, 12, 17, 19, 23, 27, 32, 33, 37, 38, 43, 44 Slide 20