Chế tạo, nghiên cứu tính chất quang của các nano tinh thể lõi/vỏ loại II CdTe/CdSe và lõi/vỏ/vỏ loại II/loại I CdTe/CdSe/ZnSe

Nguyễn Thị Hiền và Đtg<br /> <br /> Tạp chí KHOA HỌC & CÔNG NGHỆ<br /> <br /> 188(12/2): 9 - 16<br /> <br /> CHẾ TẠO, NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC NANO TINH THỂ<br /> LÕI/VỎ LOẠI-II CdTe/CdSe VÀ LÕI/VỎ/VỎ LOẠI-II/LOẠI-I CdTe/CdSe/ZnSe<br /> Nguyễn Thị Hiền, Nguyễn Xuân Ca*<br /> Trường Đại học Khoa học - ĐH Thái Nguyên<br /> <br /> TÓM TẮT<br /> Các nano tinh thể (NC) lõi/vỏ (C/S) loại-II CdTe/CdSe và lõi/vỏ/vỏ (C/S/S) loại-II/loại-I<br /> CdTe/CdSe/ZnSe đã được chế tạo thành công bằng phương pháp hóa ướt trong dung môi không<br /> liên kết ODE. Các NC được chế tạo bằng phương pháp mới: sạch, an toàn và rẻ tiền, không sử<br /> dụng tri-n-octylphosphine (TOP) - một hóa chất rất đắt và độc hại. Sự hình thành của các cấu trúc<br /> C/S CdTe/CdSe và C/S/S CdTe/CdSe/ZnSe được chứng minh thông qua phổ hấp thụ (Abs), quang<br /> huỳnh quang (PL), tán xạ Raman (RS) và chụp ảnh bởi kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM).<br /> Các NC CdTe/CdSe và CdTe/CdSe/ZnSe có hình dạng tựa cầu, kích thước đồng đều với độ rộng<br /> bán phổ (FWHM) nhỏ hơn 48 nm. Các tính chất quang và cấu trúc của các NC được khảo sát<br /> thông qua các phép đo phổ Abs, phổ PL và phổ nhiễu xạ tia X (XRD). Các NC CdTe, CdTe/CdSe<br /> và CdTe/CdSe/ZnSe chế tạo được đều có cấu trúc lập phương giả kẽm (ZB). Bằng cách cố định<br /> kích thước lõi CdTe và thay đổi chiều dày lớp vỏ CdSe, phổ PL của các NC C/S CdTe/CdSe có thể<br /> trải rộng từ 684 đến 779 nm với đặc trưng phát xạ loại II. Hiệu suất lượng tử (QY) của các NC<br /> CdTe/CdSe lên đến 54% sau khi được bọc thêm lớp vỏ ZnSe. Các NC loại-II CdTe/CdSe và loạiII/loại-I CdTe/CdSe/ZnSe rất có tiềm năng ứng dụng trong các lĩnh vực phát sáng và quang điện.<br /> Từ khóa: nano tinh thể, lõi/vỏ, loại-I, loại-II, tính chất quang.<br /> <br /> MỞ ĐẦU*<br /> Các NC bán dẫn đã và đang thu hút được rất<br /> nhiều sự quan tâm nghiên cứu của các nhà<br /> khoa học trên thế giới do những ứng dụng<br /> tiềm năng của chúng trong lĩnh vực quangđiện tử. Chúng có những tính chất rất khác<br /> biệt so với vật liệu khối do hiệu ứng giam giữ<br /> lượng tử đối với các hạt tải điện và phonon [1,<br /> 2]. Các NC bán dẫn thường được chia thành 2<br /> loại là loại-I và loại-II tùy thuộc vào vị trí các<br /> mức năng lượng thấp nhất của điện tử (e) và<br /> lỗ trống (h) trong các vật liệu bán dẫn thành<br /> phần cấu tạo nên các NC [3]. Trong các NC<br /> bán dẫn loại-I kiểu C/S như: CdSe/CdS [4],<br /> CdSe/ZnSe [5], CdTe/ZnSe [6], CdS/ZnS<br /> [7]..., mức năng lượng thấp nhất của e và h<br /> thuộc về một vật liệu, do đó các hạt tải được<br /> tạo ra khi kích thích quang sẽ định xứ trong<br /> vật liệu có độ rộng vùng cấm nhỏ hơn<br /> (thường là vật liệu lõi). Trong các NC bán<br /> dẫn loại-II kiểu C/S như: CdTe/CdSe [8],<br /> CdTe/CdS [9], CdS/ZnSe [10, 11],<br /> ZnTe/ZnSe [12]..., mức năng lượng thấp nhất<br /> *<br /> <br /> Tel: 0985 338855, Email: canx@tnus.edu.vn<br /> <br /> của e và h thuộc hai vật liệu bán dẫn C/S khác<br /> nhau. Vì vậy khi kích thích quang, e và h bị<br /> tách vào các miền không gian khác nhau giữa<br /> lõi và vỏ của các NC. Chính tính chất thú vị<br /> này làm cho các NC bán dẫn loại-II có nhiều<br /> triển vọng ứng dụng trong các lĩnh vực quang<br /> điện [3, 10], khuếch đại quang [13] và laser<br /> [14, 15]. Mặc dù có nhiều tiềm năng ứng<br /> dụng như vậy nhưng các NC bán dẫn loại-II<br /> thường có QY thấp do sự tách không gian của<br /> e và h giữa lõi và vỏ [16, 17]. Hơn nữa việc<br /> chế tạo các NC bán dẫn CdS, CdTe, CdSe có<br /> sử dụng tiền chất Cd là một nguyên tố độc<br /> hại, thêm vào đó S, Se hay Te thường sử dụng<br /> ligand TOP [4, 6, 11], đây là một hóa chất rất<br /> đắt tiền và có độc tính cao với người chế tạo<br /> và môi trường, không phù hợp cho các ứng<br /> dụng trong sinh học.<br /> Để giải quyết những khó khăn trên, trong<br /> nghiên cứu này chúng tôi bọc thêm lớp vỏ<br /> ZnSe tạo nên cấu trúc C/S/S loại-II/loại-I<br /> CdTe/CdSe/ZnSe (Hình 1) để tăng cường<br /> hiệu suất lượng tử huỳnh quang (PL QY) của<br /> các NC CdTe/CdSe. Việc bọc bên ngoài lớp<br /> vỏ ZnSe sẽ giảm thiểu tính độc hại của các<br /> 9<br /> <br /> Nguyễn Thị Hiền và Đtg<br /> <br /> Tạp chí KHOA HỌC & CÔNG NGHỆ<br /> <br /> NC CdTe/CdSe do độc tính của nguyên tố<br /> kim loại nặng Cd. Với lớp vỏ ZnSe có chiều<br /> dày thích hợp, PL QY của các NC<br /> CdTe/CdSe đã được cải thiện đáng kể, tăng từ<br /> 37% đến 54%. Các NC CdTe/CdSe có đỉnh<br /> phổ phát xạ thay đổi trong vùng ánh sáng<br /> nhìn thấy và hồng ngoại gần khi cố định kích<br /> thước lõi CdTe và thay đổi chiều dày lớp vỏ<br /> CdSe. Với việc loại bỏ được ligand TOP<br /> trong quá trình chế tạo, bọc vỏ ZnSe và PL<br /> QY cao, các NC CdTe/CdSe/ZnSe có thể coi<br /> là vật liệu an toàn hơn cho nhiều ứng dụng,<br /> đặc biệt là trong lĩnh vực phát sáng và đánh<br /> dấu sinh học...<br /> THỰC NGHIỆM<br /> Hóa chất<br /> Các hóa chất của Aldrich dùng để chế tạo các<br /> NC bao gồm: bột CdO (99,99%), bột S<br /> (99,98%), 1-octadecene (ODE, 90%), axit<br /> oleic (OA, 90%), bột Se (99,99%), bột Te<br /> (99,99%) và bột ZnO (99,99%). Các hóa chất<br /> dùng để làm sạch và phân tán các NC là<br /> isopropanol (98%) và toluene (97%) được<br /> mua từ công ty ChemChina của Trung Quốc.<br /> Chế tạo các nano tinh thể CdTe<br /> Hòa 128 mg CdO với 50 ml ODE và 1 ml<br /> OA, khuấy trộn hỗn hợp trên ở nhiệt độ<br /> 200oC trong thời gian 1 giờ. Khi dung dịch<br /> phản ứng có màu vàng chanh thì ta thu được<br /> <br /> 188(12/2): 9 - 16<br /> <br /> dung dịch 1 chứa các ion Cd2+. Hòa 128 mg<br /> Te trong 10 ml ODE, khuấy trộn hỗn hợp trên<br /> ở nhiệt độ 200oC trong thời gian 5 giờ, sau<br /> khi Te tan hết ta thu được dung dịch 2 có màu<br /> xanh đen, chứa các ion Te2-. Bơm nhanh dung<br /> dịch 2 vào dung dịch 1 tại nhiệt độ phản ứng<br /> 280oC trong điều kiện khuấy trộn và giữ phản<br /> ứng trong thời gian 10 phút, ta thu được dung<br /> dịch chứa các NC CdTe. Các NC CdTe được<br /> li tâm làm sạch để loại bỏ các tiền chất Cd2+<br /> và Te2- không phản ứng hết để chuẩn bị cho<br /> công việc bọc vỏ CdSe.<br /> Bọc vỏ CdSe cho các NC lõi CdTe<br /> Dung dịch chứa các ion Se2- được chế tạo<br /> bằng cách hòa 79 mg Se trong 10 ml ODE ở<br /> nhiệt độ 200oC và khuấy trộn (Máy khuấy từ<br /> Velp ARE, 1200 vòng/phút) trong thời gian 4<br /> giờ để Se tan hết. Hai dung dịch chứa các ion<br /> Cd2+ và Se2- được bơm chậm vào bình phản<br /> ứng chứa các NC CdTe tại nhiệt độ 250oC, ta<br /> thu được dung dịch chứa các NC loại-II<br /> CdTe/CdSe. Chiều dày của một lớp vỏ (ML)<br /> CdSe sẽ được tính phụ thuộc vào lượng tiền<br /> chất Cd2+ và Se2- được bơm vào dung dịch.<br /> Các NC CdTe/CdSe được li tâm làm sạch để<br /> loại bỏ các tiền chất Cd2+ và Se2- không phản<br /> ứng hết phục vụ cho các phép đo khảo sát và<br /> tiến hành bọc vỏ ZnSe.<br /> <br /> Hình 1. Sơ đồ biểu thị cấu trúc nano lõi/vỏ/vỏ (trái) và cấu trúc vùng năng lượng của CdTe, CdSe, ZnSe (phải)<br /> <br /> 10<br /> <br /> Nguyễn Thị Hiền và Đtg<br /> <br /> Tạp chí KHOA HỌC & CÔNG NGHỆ<br /> <br /> Bọc vỏ ZnSe cho các NC CdTe/CdSe<br /> Hòa 81 mg ZnO với 1 ml OA và 50 ml ODE,<br /> hỗn hợp trên được khuấy trộn ở nhiệt độ<br /> 240C trong thời gian 1 giờ. Khi dung dịch<br /> phản ứng chuyển sang màu vàng thì ta đã tạo<br /> được dung dịch 1 chứa các ion Zn2+. Hai dung<br /> dịch chứa các ion Zn2+ và Se2- được bơm<br /> chậm vào bình phản ứng chứa các NC<br /> CdTe/CdSe tại nhiệt độ 230C, ta thu được<br /> dung dịch chứa các NC C/S/S loại-II/loại I<br /> CdTe/CdSe/ZnSe. Chiều dày lớp vỏ ZnSe sẽ<br /> tùy thuộc vào lượng tiền chất Zd2+ và Se2được bơm vào dung dịch. Các NC<br /> CdTe/CdSe/ZnSe cũng được li tâm làm sạch<br /> để loại bỏ các tiền chất Zn2+ và Se2- không<br /> phản ứng hết phục vụ cho các phép đo khảo<br /> sát. Tất cả các phản ứng trên được thực hiện<br /> trong môi trường khí Ar (99,9995%) siêu<br /> sạch để chống sự oxy hóa.<br /> Các phương pháp khảo sát đặc trưng<br /> Hình thái học của các NC được khảo sát bằng<br /> phương pháp chụp ảnh hiển vi điện tử truyền<br /> qua (Jeol JEM 1010). Phổ hấp thụ quang<br /> được đo bằng máy Jasco 670 (Varian). Phổ<br /> quang huỳnh quang và tán xạ Raman được đo<br /> bằng máy LABRAM-HR800 (Horriba, Jobin<br /> Yvon) với bước sóng kích thích 325 nm của<br /> đèn laser He-Cd. Cấu trúc tinh thể của các NC<br /> được khảo sát bằng máy nhiễu xạ tia X<br /> (SIEMENS D-5005).<br /> QY của các NC CdTe, CdTe/CdSe và<br /> CdTe/CdSe/ZnSe được tính thông qua QY<br /> <br /> 188(12/2): 9 - 16<br /> <br /> của một số chất màu vô cơ đã biết trước QY<br /> và được xác định theo công thức [3]:<br /> <br /> QYQD  QYdye<br /> <br /> 2<br />  OD<br /> I QD nQD<br /> 1  10 dye<br /> ,<br /> 2<br /> OD<br /> I dye ndye<br /> 1  10 QD<br /> <br /> trong đó I là cường độ phát xạ tích phân, n là<br /> chiết suất của môi trường và OD là độ hấp thụ<br /> của các NC hoặc chất màu. Cường độ phát xạ<br /> tích phân chính là diện tích của phổ PL được<br /> xác định bằng phương pháp fit phổ với hỗn<br /> hợp hàm Gauss-Lorent, sử dụng phần mềm<br /> Labspec. Để tránh hiện tượng tái hấp thụ và<br /> dập tắt PL do nồng độ, độ hấp thụ tại vị trí<br /> bước sóng kích thích của dung dịch chứa các<br /> NC và chất màu được lấy rất thấp (nhỏ hơn<br /> 0,05). Hai chất màu vô cơ được sử dụng để<br /> xác định QY là Rhodamine 6G (Rh 6G) có<br /> QY là 95% và Rhodamine 640 (Rh 640) có<br /> QY là 100% trong ethanol [16].<br /> KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN<br /> Để quan sát được hình dạng và kích thước của<br /> các<br /> NC<br /> CdTe,<br /> CdTe/CdSe<br /> và<br /> CdTe/CdSe/ZnSe, chúng tôi tiến hành chụp<br /> TEM của một số mẫu đại diện. Từ Hình 2<br /> nhận thấy các NC đều có dạng tựa cầu, phân<br /> bố hạt đồng đều không bị kết dính, kích thước<br /> trung bình của các NC CdTe, CdTe/<br /> CdSe2ML và CdTe/ CdSe2ML/ ZnSe3ML<br /> tương ứng là 4 nm; 5,8 nm và 8,2 nm. Kết<br /> quả quan sát từ ảnh TEM thấy rõ ràng sự phát<br /> triển của các lớp vỏ CdSe trên NC lõi CdTe<br /> và vỏ ZnSe trên các NC CdTe/CdSe thể hiện<br /> ở kích thước hạt tăng lên khi được bọc vỏ.<br /> <br /> Hình 2. Ảnh TEM của các NC CdTe, CdTe/CdSe2ML và CdTe/CdSe2ML/ZnSe3ML<br /> <br /> Để chứng minh sự hình thành cấu trúc C/S và C/S/S chúng tôi tiến hành đo phổ tán xạ RS của các<br /> NC CdTe, CdTe/CdSe2ML và CdTe/CdSe2ML/ZnSe3ML, kết quả được quan sát trên Hình 3.<br /> Phổ RS của các NC CdTe và CdTe/CdSe2ML đều xuất hiện đỉnh RS tại số sóng 160 cm-1, đây<br /> chính là đỉnh phonon quang dọc 1 LO của lõi CdTe [18]. Khi lớp vỏ CdSe phát triển trên lõi<br /> 11<br /> <br /> Nguyễn Thị Hiền và Đtg<br /> <br /> Tạp chí KHOA HỌC & CÔNG NGHỆ<br /> <br /> CdTe, phổ RS của các NC CdTe/CdSe xuất<br /> hiện thêm đỉnh RS tại số sóng khoảng 203<br /> cm-1, đây chính là đỉnh phonon quang dọc 1<br /> LO của vỏ CdSe. Đỉnh 1LO này dịch về phía<br /> số sóng nhỏ hơn so với bán dẫn khối CdSe<br /> (khoảng 210 cm-1) [19] do hiệu ứng giam giữ<br /> lượng tử. Phổ RS của các NC<br /> CdTe/CdSe2ML/ZnSe3ML xuất hiện 2 đỉnh 1<br /> LO của CdSe và ZnSe, tương ứng tại các số<br /> sóng 203 cm-1 và 251 cm-1[10, 11]. Không<br /> quan sát thấy đỉnh 1 LO của lõi CdTe tại số<br /> sóng khoảng 160 cm-1 trong phổ RS của các<br /> NC CdTe/CdSe2ML/ZnSe3ML có thể vì<br /> không thu được tín hiệu RS từ lõi CdTe do<br /> các lớp vỏ CdSe và ZnSe khá dày.<br /> <br /> 188(12/2): 9 - 16<br /> <br /> Các NC chế tạo được đều có cấu trúc ZB do<br /> ligand chúng tôi sử dụng trong nghiên cứu<br /> này chỉ là OA, không có TOP. Theo Lim và<br /> các cộng sự [20] thì OA tác dụng với các oxit<br /> CdO và ZnO sẽ tạo ra các muối Oleate, giúp<br /> ổn định cấu trúc ZB. Ngoài các đỉnh nhiễu xạ<br /> đặc trưng cho pha tinh thể ZB ta không quan<br /> sát thấy các đỉnh nhiễu xạ nào khác trên giản<br /> đồ XRD. Điều này chứng tỏ các NC đã chế<br /> tạo không tồn tại các pha tinh thể khác. Với<br /> bán dẫn khối CdTe, ba đỉnh nhiễu xạ của cấu<br /> trúc ZB tương ứng tại các vị trí 23,5o; 39,1o<br /> và 46,5o [21]. Khi so sánh vị trí các đỉnh<br /> nhiễu xạ ta nhận thấy các đỉnh nhiễu xạ của<br /> các NC CdTe/CdSe2ML có sự dịch chuyển<br /> về phía góc nhiễu xạ 2  lớn hơn so với mẫu<br /> CdTe. Điều này chứng tỏ sự phát triển của vỏ<br /> CdSe trên lõi CdTe do hằng số mạng của vỏ<br /> CdSe (a ~ 6.05 Å) là nhỏ hơn hằng số mạng<br /> của lõi CdTe (a ~ 6.48 Å) [18, 21]. Tương tự<br /> từ giản đồ XRD cũng có thể nhận thấy sự phát<br /> triển của lớp vỏ ZnSe trên các NC CdTe/<br /> CdSe. Có thể dễ dàng nhận thấy ba đỉnh nhiễu<br /> xạ của các NC CdTe/ CdSe2ML/ ZnSe3ML<br /> cũng dịch về phía góc nhiễu xạ 2  lớn hơn so<br /> với ba đỉnh nhiễu xạ của các NC<br /> CdTe/CdSe2ML do hằng số mạng của ZnSe (a<br /> ~ 5,67 Å) nhỏ hơn hằng số mạng của CdSe [3].<br /> <br /> Hình 3. Phổ tán xạ RS của các NC CdTe,<br /> CdTe/CdSe2ML và CdTe/CdSe2ML/ZnSe3ML<br /> <br /> Việc xuất hiện đỉnh RS của CdSe tại số sóng<br /> 203 cm-1 và ZnSe tại số sóng 251 cm-1 chứng<br /> tỏ vỏ CdSe đã phát triển trên lõi CdTe và vỏ<br /> ZnSe đã phát triển trên các NC CdTe/CdSe.<br /> Kết hợp ảnh TEM của các NC trong Hình 2<br /> và phổ tán xạ RS của các NC trong Hình 3,<br /> chứng tỏ đã chế tạo thành công các cấu trúc<br /> NC C/S loại-II CdTe/CdSe và C/S/S loạiII/loại-I CdTe/CdSe/ZnSe.<br /> Giản đồ XRD của các NC CdTe, CdTe/<br /> CdSe2ML và CdTe/ CdSe2ML/ ZnSe3ML<br /> được trình bày trên Hình 4. Kết quả quan sát<br /> trong giản đồ XRD cho thấy các NC CdTe,<br /> CdTe/ CdSe2ML và CdTe/ CdSe2ML/<br /> ZnSe3ML đều có cấu trúc ZB với ba đỉnh<br /> nhiễu xạ chính là {111}, {220}, và {311}.<br /> 12<br /> <br /> Hình 4. Giản đồ nhiễu xạ tia X của các NC<br /> CdTe, CdTe/ CdSe2ML và CdTe/ CdSe2ML/<br /> ZnSe3ML<br /> <br /> Nguyễn Thị Hiền và Đtg<br /> <br /> Tạp chí KHOA HỌC & CÔNG NGHỆ<br /> <br /> Hình 5 biểu diễn phổ Abs và PL của các NC<br /> lõi CdTe, loại-II C/S CdTe/CdSe1-5ML và<br /> loại-II/loại-I C/S/S CdTe/CdSe2ML/ZnSe13ML. Phổ Abs của lõi CdTe quan sát thấy<br /> một đỉnh hấp thụ rất rõ ở bước sóng 578 nm,<br /> đỉnh hấp thụ này chính là đỉnh hấp thụ<br /> exciton với năng lượng thấp nhất 1S(e)1S3/2(h) của lõi CdTe. Khi lớp vỏ CdSe phát<br /> triển trên lõi CdTe ta nhận thấy xuất hiện một<br /> đuôi hấp thụ (mũi tên màu đỏ) ở phía bước<br /> sóng dài ở khoảng bước sóng từ 641-736 nm<br /> tùy thuộc vào chiều dày lớp vỏ. Đuôi hấp thụ<br /> này được quy cho sự hấp thụ năng lượng gián<br /> tiếp trong các NC loại II. Đây được coi là một<br /> dấu hiệu quan trọng để nhận biết NC loại-II.<br /> Sự xuất hiện của đuôi hấp thụ kiểu này cũng<br /> đã được quan sát thấy trong các cấu trúc nano<br /> loại II như ZnTe/ZnSe [12], CdS/ZnSe [10,<br /> 11], CdTe/CdS [9]..., và được giải thích như<br /> sau: độ chênh lệch giữa năng lượng vùng dẫn<br /> của các chất bán dẫn CdTe, CdSe cấu thành<br /> nên các NC loại-II CdTe/CdSe sẽ tạo ra nhiều<br /> trạng thái cho điện tử trong lõi CdTe. Tương<br /> tự, độ chênh của năng lượng trong vùng hóa<br /> trị cũng tạo ra nhiều trạng thái cho lỗ trống<br /> <br /> 188(12/2): 9 - 16<br /> <br /> trong vỏ CdSe. Vì vậy, các exciton gián tiếp<br /> được tạo ra trong không gian giữa vùng hóa<br /> trị của các NC CdSe và vùng dẫn của các NC<br /> CdTe sẽ có nhiều giá trị năng lượng khác<br /> nhau trong không gian k [15], tạo nên đuôi<br /> trong phổ Abs như quan sát.<br /> Phổ PL của các NC CdTe có FWHM khá nhỏ,<br /> khoảng 25nm phản ánh kích thước của các<br /> NC CdTe đồng đều, đỉnh PL tại vị trí 602 nm.<br /> Hình 5a cho thấy khi lớp vỏ CdSe phát triển<br /> trên lõi CdTe thì đỉnh PL của các NC<br /> CdTe/CdSe dịch mạnh về phía bước sóng dài<br /> từ 684 nm đến 779 nm, đồng thời FWHM<br /> được mở rộng từ 35 nm đến 45 nm khi các<br /> NC CdTe/CdSe có bề dày lớp vỏ tăng từ 15ML. Đỉnh PL của các NC CdTe/CdSe dịch<br /> mạnh về phía bước sóng dài so với lõi CdTe<br /> do độ rộng vùng cấm giảm: chính là sự tái<br /> hợp giữa điện tử ở lõi CdTe và lỗ trống ở vỏ<br /> CdSe, chuyển mức 1Se(CdTe)-1Sh(CdSe) (<br /> mũi tên màu đỏ trong Hình 1). FWHM của<br /> các NC CdTe/CdSe với các lớp vỏ dày tăng là<br /> do sự mở rộng của phân bố kích thước và<br /> tăng cường đặc tính loại II.<br /> <br /> Hình 5. (a) Phổ Abs, PL của các NC lõi CdTe và C/S loại-II CdTe/CdSe1-5ML, (b)Phổ Abs, PL của các<br /> NC C/S loại-II CdTe/CdSe2ML và C/S/S loại-II/loại-I CdTe/CdSe2ML/ZnSe1-3ML.<br /> <br /> 13<br /> <br />