TẠP CHÍ KHOA HỌC, Đại học Huế, Tập 74A, Số 5, (2012), 121-127<br />
<br />
ĐẶC TRƯNG PHÁT QUANG CỦA VẬT LIỆU BaMgAl10O17: Eu2+<br />
CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP NỔ<br />
Nguyễn Mạnh Sơn, Hồ Văn Tuyến, Phạm Nguyễn Thùy Trang, Võ Thị Hồng Anh<br />
Trường Đại học Khoa học, Đại học Huế<br />
<br />
Tóm tắt. Vật liệu phát quang màu xanh BaMgAl10O17: Eu2+ (3 %mol) được chế tạo bằng<br />
phương pháp nổ dung dịch urê-nitrat, sử dụng chất khử urê, nung ở nhiệt độ thấp. Các kết<br />
quả XRD, SEM cho thấy mẫu có cấu trúc lục giác và kích thước hạt cỡ nanomet. Phổ bức<br />
xạ của BaMgAl10O17: Eu2+ là một dải rộng có cực đại ở 453 nm do chuyển dời của cấu hình<br />
điện tử từ 4f65d-4f7 của ion Eu2+ trong mạng nền. Thời gian sống huỳnh quang của mẫu vào<br />
khoảng 1200 ns và bước sóng kích thích tối ưu 303 nm. Năng lượng kích hoạt thu được từ<br />
việc thực hiện phân tích đường cong nhiệt phát quang tích phân của mẫu.<br />
<br />
1. Mở đầu<br />
Trong những năm gần đây, vật liệu phát quang màu xanh có độ chói cao<br />
BaMgAl10O17: Eu2+ (BAM: Eu2+) đã thu hút được sự quan tâm nghiên cứu của các nhà<br />
khoa học. Đây là hệ vật liệu được sử dụng trong các thiết bị hiện đại như đèn huỳnh<br />
quang ba màu, màn hình PDPs, LCD, LED [1, 2]. Các nghiên cứu về phát quang, nhiệt<br />
phát quang và cấu trúc của vật liệu này đã được trình bày trong nhiều báo cáo. Vật liệu<br />
BAM: Eu2+ phát quang với bức xạ màu xanh có cực đại vào khoảng 450 nm là do<br />
chuyển dời 4f65d –4f7 của ion Eu2+ [3, 4]. Ion Eu2+ pha tạp vào trong mạng nền có thể<br />
chiếm ở ba vị trí khác nhau: BR, aBR và mO [5, 6]. Nhiều phương pháp khác nhau<br />
được sử dụng để tổng hợp hệ vật liệu này như: phương pháp phản ứng pha rắn, phương<br />
pháp sol-gel, phương pháp đồng kết tủa, phương pháp nổ,.. Trong đó, phương pháp nổ<br />
có ưu điểm về khả năng hạ thấp nhiệt độ nung cũng như quy trình đơn giản và thời gian<br />
thực hiện ngắn [7]. Báo cáo này trình bày phương pháp nổ chế tạo vật liệu BAM: Eu2+<br />
và nghiên cứu các đặc trưng phát quang của vật liệu một cách hệ thống.<br />
2. Thực nghiệm<br />
Vật liệu BAM: Eu2+ được chế tạo bằng phương pháp nổ dung dịch urê-nitrat,<br />
xuất phát từ các muối nitrat ban đầu: Ba(NO3)2, Mg(NO3)2.6H2O, Al(NO3)3.9H2O và<br />
Eu2O3, trong đó Eu2O3 được nitrat hóa để thu được Eu(NO3)3. Khối lượng các nitrat kim<br />
loại được cân theo tỷ lệ hợp thức. Một lượng B2O3 chiếm 5% khối lượng sản phẩm<br />
được thêm vào đóng vai trò làm chất chảy nhằm hạ nhiệt độ tạo pha. Urê được đưa vào<br />
trong hỗn hợp dung dịch nhằm tạo ra nhiên liệu cháy đồng thời là chất khử trong quá<br />
trình nổ. Lượng urê thêm vào được tính từ tỷ số oxi hóa khử của các chất, lượng urê sử<br />
121<br />
<br />
122<br />
<br />
Đặc trưng phát quang của vật liệu BaMgAl10O17: Eu2+…<br />
<br />
dụng là 60 lần số mol sản phẩm. Qui trình công nghệ đã được trình bày [8]. Mẫu sau khi<br />
chế tạo được nghiền mịn và thực hiện một số phép phân tích cấu trúc: XRD, SEM, đồng<br />
thời thực hiện các phép phân tích quang phổ: phổ quang phát quang, phổ kích thích phát<br />
quang, đường cong suy giảm huỳnh quang và đường cong nhiệt phát quang nhằm khảo<br />
sát đặc trưng phát quang của vật liệu.<br />
3. Kết quả và thảo luận<br />
Cấu trúc vật liệu BAM: Eu2+ được xác định bằng phương pháp nhiễu xạ tia X,<br />
kết quả được trình bày trên hình 1. Giản đồ XRD của mẫu xuất hiện các vạch đặc trưng<br />
của pha BaMgAl10O17 với cấu trúc lục giác, bên cạnh đó không quan sát thấy sự tồn tại<br />
các pha lạ trên giản đồ. Như vậy, điều kiện công nghệ như đã trình bày phù hợp để chế<br />
tạo thành công vật liệu BAM: Eu2+ đơn pha.<br />
<br />
Hình 1. Giản đồ nhiễu xạ tia X của BAM: Eu2+(3 %mol)<br />
<br />
Hình 2. Ảnh SEM của mẫu BAM: Eu2+<br />
<br />
NGUYỄN MẠNH SƠN và cs.<br />
§êng thùc nghiÖm<br />
§êng lµm khÝt<br />
(1) §Ønh Gauss 1<br />
(2) §Ønh Gauss 2<br />
(3) §Ønh Gauss 3<br />
<br />
453 nm<br />
(1)<br />
<br />
IPL (§vt®)<br />
<br />
1.5<br />
<br />
123<br />
<br />
452 nm<br />
<br />
1.0<br />
<br />
(2)<br />
(3)<br />
<br />
480 nm<br />
<br />
0.5<br />
<br />
503 nm<br />
<br />
0.0<br />
<br />
400<br />
<br />
450<br />
<br />
500<br />
<br />
550<br />
<br />
600<br />
<br />
650<br />
<br />
Bíc sãng (nm)<br />
<br />
Hình 3. Phổ phát quang của mẫu BAM: Eu2+ làm khít với ba đỉnh hàm Gauxơ<br />
<br />
Hình 2 là ảnh hiển vi điện tử quét của mẫu BAM: Eu2+. Từ ảnh SEM cho thấy,<br />
vật liệu kết tinh tốt, bề mặt sạch, dạng đĩa hoặc dạng thanh, có kích thước cỡ 70 nm.<br />
Phổ phát quang của vật liệu kích thích bằng bức xạ có bước sóng 365 nm được<br />
trình bày trên hình 3. Phổ phát quang có dạng một dải rộng, cực đại đỉnh tại bước sóng<br />
453 nm đặc trưng cho chuyển dời từ trạng thái kích thích 4f65d về trạng thái cơ bản 4f7<br />
của ion Eu2+ trong mạng nền.<br />
Không quan sát thấy các vạch bức xạ đặc trưng của Eu3+, điều này chứng tỏ rằng<br />
tạp Europium vào trong mạng nền sẽ tồn tại ở dạng Eu2+ và đóng vai trò là tâm phát<br />
quang. Các nghiên cứu trước đây cho thấy [5, 6], ion Eu2+ khi pha tạp vào mạng nền sẽ<br />
có khả năng chiếm ở ba vị trí khác nhau: BR, aBR và mO. Vì vậy phổ phát quang của<br />
mẫu đã được tiến hành làm khít với tổ hợp ba đỉnh Gauxơ. Kết quả làm khít được chỉ ra<br />
trên hình 3. Phổ phát quang sau khi làm khít gồm có ba đỉnh với cực đại tại các bước<br />
sóng 452, 480 và 503 nm (lần lượt được gọi là đỉnh I1, I2 và I3). Đường làm khít bằng lý<br />
thuyết hoàn toàn trùng khớp với kết quả thực nghiệm thu được. Trong đó, đỉnh I1 có<br />
cường độ mạnh nhất, cường độ I2 và I3 là tương tự nhau và thấp hơn nhiều so với I1.<br />
Qua đó ta có thể nhận thấy vai trò chủ yếu của đỉnh I1 trong bức xạ của mẫu. Điều này<br />
cho thấy khả năng thay thế ion Eu2+ trong mạng nền tại vị trí BR (thay thế ion Ba2+) cho<br />
bức xạ đỉnh I1 mạnh hơn hai vị trí còn lại.<br />
Sau khi thực hiện phép đo phổ phát quang, mẫu được phân tích phổ kích thích<br />
phát quang tại bước sóng bức xạ 453 nm, kết quả chỉ ra trên hình 4. Theo kết quả trên<br />
hình 4 cho thấy, phổ kích thích của vật liệu BAM: Eu2+ là dạng dải rộng từ 260 - 400<br />
nm, có một đỉnh cực đại ở 303 nm. Bên cạnh đó phổ còn xuất hiện các vai tại các bước<br />
sóng 273 nm, 333 nm và 368 nm.<br />
<br />
Đặc trưng phát quang của vật liệu BaMgAl10O17: Eu2+…<br />
<br />
124<br />
<br />
8<br />
<br />
2.5x10<br />
<br />
303 nm<br />
333 nm<br />
<br />
8<br />
<br />
BAM: Eu<br />
<br />
2.0x10<br />
<br />
2+<br />
<br />
273 nm<br />
8<br />
<br />
IPL (§vt®)<br />
<br />
1.5x10<br />
<br />
368 nm<br />
8<br />
<br />
1.0x10<br />
<br />
7<br />
<br />
5.0x10<br />
<br />
0.0<br />
<br />
250<br />
<br />
300<br />
<br />
350<br />
<br />
400<br />
<br />
Bíc sãng (nm)<br />
<br />
Hình 4. Phổ kích thích của BAM: Eu2+ứng với bước sóng bức xạ 453 nm.<br />
<br />
Một đặc trưng khác của vật liệu là sự suy giảm cường độ huỳnh quang của bức<br />
xạ. Đường cong suy giảm cường độ huỳnh quang của vật liệu theo thời gian được chỉ ra<br />
trên hình 5. Để xác định thời gian sống của bức xạ huỳnh quang, đường cong thực<br />
nghiệm được làm khít bằng hàm mũ có dạng:<br />
t <br />
I I 0 I 01 ex p <br />
<br />
1 <br />
<br />
Trong đó: I0, và I01 là cường độ phát quang ban đầu; 1 là thời gian sống của bức<br />
xạ huỳnh quang. Kết quả làm khít thu được giá trị thời gian sống của bức xạ Eu2+ 1 =<br />
1200 ns. Trong phổ phát quang của vật liệu, bức xạ 453nm đóng vai trò chủ yếu trong<br />
quá trình bức xạ, thời gian sống của bức xạ này đặc trưng cho bức xạ của mẫu và phù<br />
hợp với các vật liệu hiển thị.<br />
4<br />
<br />
4x10<br />
<br />
§êng thùc nghiÖm<br />
§êng lµm khÝt<br />
<br />
4<br />
<br />
Cêng ®é (§vt®)<br />
<br />
3x10<br />
<br />
4<br />
<br />
2x10<br />
<br />
4<br />
<br />
1x10<br />
<br />
0<br />
0<br />
<br />
2000<br />
<br />
4000<br />
<br />
Thêi gian (ms)<br />
<br />
Hình 5. Đường cong suy giảm bức xạ huỳnh quang của BAM: Eu2+<br />
<br />
NGUYỄN MẠNH SƠN và cs.<br />
<br />
125<br />
<br />
(1) Kh«ng chiÕu x¹<br />
(2) ChiÕu x¹ b»ng tia beta<br />
<br />
6<br />
<br />
6.0x10<br />
<br />
(1)<br />
<br />
6<br />
<br />
ITL (§vt®)<br />
<br />
4.0x10<br />
<br />
x 2.5<br />
<br />
6<br />
<br />
2.0x10<br />
<br />
(2)<br />
0.0<br />
0<br />
<br />
50<br />
<br />
100<br />
<br />
150<br />
<br />
200<br />
<br />
250<br />
<br />
300<br />
<br />
350<br />
<br />
400<br />
<br />
450<br />
<br />
o<br />
<br />
NhiÖt ®é ( C )<br />
<br />
ITL (§vt®)<br />
<br />
Hình 6. Đường cong nhiệt phát quang tích phân của mẫu BAM: Eu2+<br />
6x10<br />
<br />
6<br />
<br />
5x10<br />
<br />
6<br />
<br />
4x10<br />
<br />
6<br />
<br />
3x10<br />
<br />
6<br />
<br />
2x10<br />
<br />
6<br />
<br />
1x10<br />
<br />
6<br />
<br />
§êng cong thùc nghiÖm<br />
§êng cong ph©n tÝch ®Ønh<br />
§êng cong lµm khÝt<br />
<br />
0<br />
<br />
0<br />
<br />
50<br />
<br />
100<br />
<br />
150<br />
<br />
200<br />
<br />
250<br />
<br />
300<br />
<br />
350<br />
<br />
400<br />
<br />
450<br />
<br />
o<br />
<br />
NhiÖt ®é ( C )<br />
<br />
Hình 7. Đường cong nhiệt phát quang tích phân của mẫu BAM: Eu2+ sau khi phân tích bằng<br />
các đỉnh đơn<br />
<br />
Hình 6 là đường cong nhiệt phát quang tích phân của mẫu BaMgAl10O17: Eu2+<br />
thực hiện với hai chế độ đo khác nhau: mẫu không chiếu xạ và có chiếu xạ bằng tia beta<br />
với liều chiếu 1.5 Gy, tốc độ nhiệt 1oC/phút. Khi mẫu không chiếu xạ, đường cong TL<br />
có cường độ rất yếu, cực đại bức xạ ứng với nhiệt độ 174oC và một đỉnh khác ở nhiệt độ<br />
cao. Điều này có nghĩa là trong vật liệu tồn tại mức bẫy có khả năng bắt các điện tử<br />
ngay cả trong điều kiện ánh sáng tự nhiên. Đỉnh tại 174oC có dạng đỉnh đơn bậc hai, các<br />
thông số động học TL được xác định bằng phương pháp phân tích động học nhiệt phát<br />
quang của R. Chen cho thấy độ sâu bẫy E= 0.84eV và g 0.515 .<br />
Khi mẫu có chiếu xạ tia bêta, đường cong nhiệt phát quang gồm hai đỉnh, tuy<br />
nhiên đỉnh có cường độ cực đại tại nhiệt độ 150oC không phải có dạng đỉnh đơn, nó có<br />
thể là tổ hợp của một số đỉnh xen phủ. Như đã trình bày ở trên, đỉnh bức xạ của mẫu<br />
không chiếu xạ có dạng động học bậc hai, do đó dạng đỉnh sẽ không đổi trong quá trình<br />
<br />