intTypePromotion=1
zunia.vn Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z zunia.vn zunia.vn
ADSENSE

Đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai số ước lượng giá trị hệ số hấp thụ riêng của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát

Chia sẻ: ViSumika2711 ViSumika2711 | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:8

45
lượt xem
2
download
 
  Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài viết trình bày việc đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai số ước lượng khi sử dụng kỹ thuật ước lượng để xác định giá trị hệ số hấp thụ riêng SAR của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát. Các yếu tố được xem xét phân tích bao gồm: Ảnh hưởng của kích thước phantom và ảnh hưởng của tần số phát.

Chủ đề:
Lưu

Nội dung Text: Đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai số ước lượng giá trị hệ số hấp thụ riêng của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát

Kỹ thuật điều khiển & Điện tử<br /> <br /> ĐÁNH GIÁ MỘT SỐ YẾU TỐ ẢNH HƯỞNG ĐẾN<br /> SAI SỐ ƯỚC LƯỢNG GIÁ TRỊ HỆ SỐ HẤP THỤ RIÊNG CỦA<br /> THIẾT BỊ VÔ TUYẾN NHIỀU ĂNG TEN PHÁT<br /> Chu Văn Hải*, Lê Đình Thành, Nguyễn Huy Hoàng<br /> Tóm tắt: Trong bài báo này, chúng tôi đánh giá một số yếu tố ảnh hưởng đến sai<br /> số ước lượng khi sử dụng kỹ thuật ước lượng để xác định giá trị hệ số hấp thụ riêng<br /> SAR của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát. Các yếu tố được xem xét phân tích bao<br /> gồm: ảnh hưởng của kích thước phantom và ảnh hưởng của tần số phát. Mô phỏng<br /> kiểm chứng với các mô hình kích thước đặc trưng của phantom phẳng và nguồn bức<br /> xạ tại các tần số vô tuyến thông dụng chỉ ra rằng sai số ước lượng SAR gia tăng khi<br /> kích thước phantom giảm hoặc tần số phát giảm.<br /> Từ khóa: Hệ số hấp thụ riêng SAR, Thiết bị nhiều ăng ten phát, Đầu dò điện trường, Sai pha tương đối.<br /> <br /> 1. ĐẶT VẤN ĐỀ<br /> Hệ thống thông tin vô tuyến ngày nay đóng vai trò quan trọng trong đời sống xã hội và<br /> phát triển kinh tế. Nhằm nâng cao tốc độ và chất lượng truyền tin, nhiều công nghệ mới đã<br /> và đang được triển khai nghiên cứu ở các phòng thí nghiệm trên thế giới, trong đó điển<br /> hình là các hệ thống thông tin vô tuyến nhiều ăng ten phát. Với các hệ thống thông tin này,<br /> việc nghiên cứu tương thích điện từ trường nhằm đảm bảo các thiết bị trong hệ thống<br /> không gây nhiễu tới các thiết bị khác và an toàn đối với người sử dụng là một vấn đề thiết<br /> thực đặt ra trong thực tế. Đối với các thiết bị bức xạ sóng điện từ sử dụng gần cơ thể con<br /> người, ủy ban an toàn về sóng điện từ quốc tế [1, 2] đã quy định sử dụng giá trị hệ số hấp<br /> thụ riêng SAR (SAR: Specific Absorption Rate) làm tham số trong an toàn bức xạ điện từ<br /> trường.<br /> Hệ số hấp thụ riêng SAR được định nghĩa là mức năng lượng điện từ trường được hấp<br /> thụ trên mỗi đơn vị khối lượng của một cơ thể sinh học khi cơ thể sinh học đó tiếp xúc với<br /> trường điện từ. Giá trị SAR tỷ lệ với bình phương biên độ cường độ điện trường bức xạ:<br /> 2<br /> <br /> SAR   E   W / Kg  (1)<br /> Trong đó:  và  tương ứng là độ dẫn điện ( S / m) và khối lượng riêng ( Kg / m3)<br /> của cơ thể sinh học; E là cường độ điện trường tại điểm đo ( V / m ).<br /> Đối với thiết bị vô tuyến thông thường (có 1 ăng ten phát trên mỗi băng tần hoạt động),<br /> giá trị SAR của một thiết bị chỉ phụ thuộc vào cường độ điện trường mà không phụ thuộc<br /> vào giá trị pha của điện trường tại điểm đo. Kỹ thuật đo và trình tự đo xác định giá trị SAR<br /> được chỉ ra tương đối rõ ràng và được quy chuẩn trong các chuẩn đo SAR quốc tế [3-5].<br /> Tuy nhiên, đối với thiết bị có nhiều ăng ten phát đồng thời trên cùng một tần số (chẳng hạn<br /> như trong kỹ thuật MIMO – nhiều đầu vào nhiều đầu ra hoặc kỹ thuật ăng ten mạng<br /> pha…), giá trị cường độ điện trường tại điểm đo phụ thuộc vào giá trị cường độ điện<br /> trường bức xạ bởi từng ăng ten và giá trị pha tương đối của chúng. Lý do là vì cường độ<br /> điện trường tổng hợp tại điểm đo là tổng véc tơ các cường độ điện trường bức xạ của mỗi<br /> nguồn riêng lẻ. Vì thế, việc đo SAR của thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát trở nên phức<br /> tạp và tốn thời gian hơn.<br /> Các tiêu chuẩn quốc tế IEEE 1528 [3], IEC/TR 62630 [4], IEC:62209-2 [5] hiện nay<br /> khuyến cáo một số kỹ thuật đo SAR cơ bản đối với các thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten<br /> phát. Các kỹ thuật này cũng được thực hiện trong các nghiên cứu khác [6-8]. Tuy nhiên,<br /> các kỹ thuật hiện tại nêu trên tồn tại một số hạn chế như: 1) số lượng phép đo lớn dẫn đến<br /> <br /> <br /> 44 C. V. Hải, L. Đ. Thành, N. H. Hoàng, “Đánh giá một số yếu tố … nhiều ăng ten phát.”<br /> Nghiên cứu khoa học công nghệ<br /> <br /> mất nhiều thời gian đo, thậm chí không thể thực hiện khi số lượng ăng ten phát tăng nhiều<br /> [3-5]; 2) giá trị SAR xác định có thể sai lệch rất nhiều so với SAR thực tế [6-8]. Để giải<br /> quyết vấn đề trên, nhóm nghiên cứu đã đề xuất 3 kỹ thuật ước lượng cho phép giảm số<br /> lượng phép đo cần thiết mà vẫn đảm bảo xác định chính xác giá trị SAR của thiết bị vô<br /> tuyến nhiều ăng ten phát [9-11]. Trong cả 3 kỹ thuật ước lượng được đề xuất, một số phân<br /> tích lý thuyết và kiểm chứng cơ bản với mô hình phantom phẳng đã được thực hiện (xem<br /> hình 1) tại tần số 2.45GHz theo tiêu chuẩn IEEE 1528 [3]. Kết quả kiểm chứng ban đầu<br /> khẳng định rằng sai số giữa giá trị SAR ước lượng và giá trị đo thực tế là khá nhỏ.<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 1. Mô hình kích thước phantom phẳng.<br /> Tuy nhiên, trong cả 3 kỹ thuật ước lượng này, một số giả thiết đơn giản hóa đã được áp<br /> dụng nhằm xây dựng mô hình tính toán cường độ điện trường tại điểm đo.Chẳng hạn,<br /> thành phần điện trường phản xạ bên trong mô hình đo (phantom) đã được bỏ qua. Giả thiết<br /> này tương đối hợp lý, vì cường độ điện trường suy hao rất nhanh bên trong chất lỏng điện<br /> môi, và thành phần phản xạ là khá nhỏ. Tuy nhiên, trong một số trường hợp, khi số lượng<br /> ăng ten là lớn, hoặc khi kích thước phantom nhỏ, hoặc ở tần số thấp (tương ứng suy hao<br /> trong môi trường điện môi sẽ ít hơn), các thành phần phản xạ bên trong bề mặt phantom có<br /> thể ảnh hưởng tới sai số ước lượng. Thực tế, trong một số kết quả thực nghiệm chỉ ra rằng<br /> sai số giữa kết quả đo đạc thực nghiệm và ước lượng SAR là dưới 1% cho trường hợp 2<br /> ăng ten phát; và sai số lớn nhất là 5.6% cho trường hợp 3 ăng ten phát [12]. Rõ ràng khi số<br /> lượng nguồn phát tăng từ 2 lên 3 thì sai số ước lượng tăng đáng kể.<br /> Vì vậy, để tiếp tục phát triển và hoàn thiện các kỹ thuật ước lượng trong bài báo này,<br /> chúng tôi tập trung nghiên cứu đánh giá sai số ước lượng SAR của thiết bị vô tuyến có<br /> nhiều ăng ten phát khi xét tới các yếu tố ảnh hưởng như: kích thước phantom thay đổi; tần<br /> số phát thay đổi.<br /> 2. MÔ HÌNH TÍNH TOÁN VÀ THỦ TỤC XÁC ĐỊNH SAR<br /> 2.1. Mô hình tính toán<br /> Chúng tôi khảo sát tính toán với mô hình: Thiết bị đo kiểm DUT (DUT: Devices Under<br /> Test) là 2 ăng ten chấn tử nửa sóng phát tại tần số 1.9GHz và 2.45GHz (đây là các tần<br /> số sử dụng phổ biến cho các thiết bị vô tuyến); 2 loại phantom phẳng có kích thước dài,<br /> rộng, sâu ( L  W  D ) tương ứng: (180 120 150) mm và (90  80  35) mm ; các kích<br /> thước này phù hợp với cơ thể sinh học trưởng thành và sơ sinh theo tiêu chuẩn IEEE<br /> 1528[3].<br /> Từ đó hình thành 4 mô hình khảo sát, tính toán cụ thể là:<br /> + Mô hình 1: f  2.45 GHz và kích thước phantom:<br /> ( L  W  D )  (180 120 150) mm<br /> <br /> <br /> Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 55, 06 - 2018 45<br /> Kỹ thuật điều khiển & Điện tử<br /> <br /> + Mô hình 2: f  2.45 GHz và kích thước phantom:<br /> ( L  W  D)  (90  80  35) mm<br /> + Mô hình 3: f  1.9 GHz và kích thước phantom:<br /> ( L  W  D )  (180 120 150) mm<br /> + Mô hình 4: f  1.9 GHz và kích thước phantom: ( L  W  D )  (90  80  35) mm<br /> Thông số của ăng ten và các thông số kích thước phantom phẳng, độ dẫn điện, hằng số<br /> điện môi, mật độ khối lượng riêng của chất lỏng phantom theo tiêu chuẩn IEEE 1528 [3]<br /> (xem trong bảng 1, bảng 2). Mặt phẳng đo nằm trên mặt phẳng Y1, cách DUT là 10mm,<br /> các điểm đo cách đều nhau 4mm (xem hình 2).<br /> Bảng 1. Thông số của ăng ten.<br /> Tham số Giá trị<br /> Bán kính của ăng ten 1.8 mm<br /> Chiều dài tổng thể ăng ten /2<br /> Khoảng cách giữa 2 chấn tử liền kề /4<br /> Khoảng cách giữa chất lỏng và DUT 10 mm<br /> Bảng 2. Thông số kích thước của phantom phẳng.<br /> <br /> Tham số Giá trị<br /> Loại 1: (180 120 150) mm<br /> Kích thước phantom phẳng: ( L  W  D )<br /> Loại 2: (90 80  35) mm<br /> Vỏ phantom phẳng 2 mm<br /> Phantom loại 1: 39.2<br /> Hằng số điện môi tương đối của chất lỏng (  r )<br /> Phantom loại 2: 36<br /> Phantom loại 1: 1.8 S / m<br /> Độ dẫn điện chất lỏng (  )<br /> Phantom loại 2: 4.66 S / m<br /> Khối lượng riêng chất lỏng phantom (  ) 1000 Kg / m3<br /> Thực tế hiện nay trên thế giới, các phòng đo SAR theo chuẩn quốc tế là chưa phổ<br /> biến, chỉ được trang bị tại một số phòng thí nghiệm chuyên dụng nên việc tiếp cận và<br /> tiến hành các thủ tục đo thực tế trong phòng đo là rất khó khăn. Do vậy, số liệu kiểm<br /> chứng và tính toán trong bài báo này được lấy từ chương trình mô phỏng ăng ten chuyên<br /> dụng CST STUDIO SUITE (Computer Simulation Technology) để thay thế cho dữ liệu<br /> đo thực tế [13].<br /> 2.2. Thủ tục xác định giá trị SAR<br /> 2.2.1. Thủ tục đo SAR cơ bản<br /> Đối với việc đo SAR theo các chuẩn quốc tế IEEE1528 [3] hay IEC62209 [4,5], thủ tục<br /> đo SAR phải thực hiện qua 2 bước đo cơ bản: i) đo trong một mặt phẳng xác định (gọi là<br /> area scan), và ii) đo trong một không gian hình lập phương xung quanh điểm có giá trị<br /> SAR lớn nhất trong mặt phẳng đo ở bước i (được gọi là zoom scan). Giá trị SAR lớn nhất<br /> cần được xác định là giá trị SAR trung bình theo không gian (spatial-averaged SAR),<br /> được tính là trung bình SAR của các điểm đo trong bước ii (xem hình 2).<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> 46 C. V. Hải, L. Đ. Thành, N. H. Hoàng, “Đánh giá một số yếu tố … nhiều ăng ten phát.”<br /> Nghiên cứu khoa học công nghệ<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 2. Biểu diễn 2 bước đo xác định SAR.<br /> 2.2.2. Quy trình xác định SAR theo kỹ thuật ước lượng<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 3. Quy trình đo E (hay SAR) của thiết bị vô tuyến có 2 ăng ten phát<br /> sử dụng 3 kỹ thuật ước lượng [9-11].<br /> <br /> <br /> <br /> Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 55, 06 - 2018 47<br /> K<br /> Kỹỹ thuật điều khiển & Điện tử<br /> <br /> Trên cơ ssở ở phân tích lý thuyết đđã đư được<br /> ợc trtrình<br /> ình bày chi titiết<br /> ết trong các nghi nghiênên ccứu<br /> ứu [9<br /> [9-11],<br /> 11],<br /> chúng tôi ti tiến<br /> ến hành<br /> hành các bư ớc đo theo quy tr<br /> bước trình<br /> ình đo SAR ccủa ủa thiết bị có 2 ăng ten phát (xem<br /> hình 3) đểể xác địn địnhh các tham ssố ố ước<br /> ớc llượng<br /> ợng cho từng kỹ thuật đề xuất. Từ đó giá trị ư ước<br /> ớc<br /> lượng<br /> ợng SAR lớn nhất nhanh chóng đđư ược<br /> ợc xác định ttương<br /> ương ứng với sai pha  max ccụụ thể thể..<br /> Trong quy trình đo trên ssử ử dụng 2 loại đầu ddò điệnđiện trư<br /> trường<br /> ờng là<br /> là đầu<br /> đầu ddòò vô hướng<br /> h ớng [14 14] (scalar<br /> probes) và đđầu ầu ddòò véc ttơ [15<br /> 15]] (vector probes). Đ Đầu<br /> ầu dò<br /> dò vô hhưướng<br /> ớng chỉ có thể cung cấp thông<br /> tin vvềề biên<br /> biên độ<br /> độ điện trtrường<br /> ờng tại điểm đo, trong khi đó đầu ddòò véc ttơ ơ cung ccấpấp thông tin cả về<br /> pha và biên đđộ ộ của điện tr trư ờng.<br /> ường.<br /> Dữ ữ liệu đo ccường<br /> ờng độ điện tr trư<br /> ường<br /> ờng (hay SAR) vvàà dữ dữ liệu ư ướcớc llư<br /> ượng<br /> ợng SAR lớn nhất nhất ttương<br /> ương<br /> ứng với sai pha từ 00 đến ến 3600 (trong đó bưbước ớc pha llàà 150) ssẽẽ đđược<br /> ợc sử dụng để so sánh sai<br /> sốố ước<br /> ớc llư<br /> ượng.<br /> ợng.<br /> Đểể đánh giá sai số giữa kết quả ước ớc lư<br /> lượng<br /> ợng SAR lớn nhất vvàà giá tr trịị đo thực tế cho cả 3<br /> kỹỹ thuật ước ớc lượng<br /> l ợng nnêuêu trên, chúng tôi ký hi ệu: SARsim tương ứng với SAR đo thực tế;<br /> hiệu:<br /> SARest tương ứng với SAR ước<br /> ước lượng<br /> l ợng lớn nhất theo quy tr<br /> trình<br /> ình trên hình 3. Khi đó,, sai ssố<br /> ố<br /> ước<br /> ớc llư<br /> ượng<br /> ợng đđược<br /> ợc tính theo công thức:<br /> Sai so  100  ( SARest  SARsim )  0 0 (2)<br /> <br /> 3. KẾT<br /> KẾT QUẢ V<br /> VÀ<br /> À THẢO<br /> THẢO LUẬN<br /> Hình 4 bi<br /> biểu<br /> ểu diễn các giá trị ước<br /> ước lư<br /> lượng ương ứng tại sai pha từ 00 đđến<br /> ợng SAR lớn nhất ttương ến<br /> 0 0<br /> 360 vớiới bư<br /> bước<br /> ớc pha là<br /> là 1 trên cùng mmột<br /> ột mặt phẳng đo Y1 (biết rằng, với mỗi sai pha ttương<br /> ương<br /> ứng tại mỗi điểm đo sẽ xác định đđưược<br /> ợc 1 giá trị SAR, qua đó xá xácc đđịnh<br /> ịnh đđược<br /> ợc SAR lớn nhất<br /> trên m<br /> mặt<br /> ặt phẳng Y1 cho từng tr<br /> trường<br /> ờng hợp sai pha cụ thể vvàà g<br /> gọi<br /> ọi chung llàà SARmax).<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 4. Biểu<br /> Biểu diễn giá trị SAR lớn nhất:<br /> 4a) Mô hình 1; 4b) Mô hình 2; 4c) Mô hình 3; 4d) Mô hình 4.<br /> <br /> <br /> 48 C. V. Hải,<br /> Hải, L. Đ. Th ành, N. H. Hoàng,<br /> Thành, Hoàng, ““Đánh<br /> Đánh giá m<br /> một<br /> ột số yếu tố … nhiều phát.””<br /> nhiều ăng ten phát<br /> Nghiên ccứu<br /> ứu khoa học công nghệ<br /> <br /> Từừ các giá trị SARmax nnày, ày, dễ<br /> dễ dàng<br /> dàng xác đđịnh<br /> ịnh được<br /> được giá trị SARmax lớn nhất. Những<br /> điểm<br /> ểm đánh dấu chấm đen llàà giá trị trị SARmax tính toán từ dữ liệu mô phỏng tại sai pha từ 00<br /> ến 3600 với<br /> đến b ớc pha 150.<br /> ới bước<br /> Hình 4a, 4b, 4c, 4d llần ần llư<br /> ượt<br /> ợt tương<br /> tương ứng với 4 mô hhình ình kh<br /> khảo<br /> ảo sát, quan sát hhình<br /> ình 4, nh<br /> nhận<br /> ận<br /> thấy<br /> ấy các đđưường<br /> ờng bi<br /> biểu<br /> ểu diễn giá trị ước ớc llượng<br /> ợng SAR lớn nhất cho cả 3 kỹ thuật ư ớc lư<br /> ước lượng<br /> ợng llàà<br /> khá tương đđồng.<br /> ồng. Các điểm đen phân bố tr trên<br /> ên hình vvẽẽ cho 4 mô hhình<br /> ình là rất<br /> rất khác nhau. Điểm<br /> đen sai llệch<br /> ệch lớn nhất so với đđường ờng biểu diễn ước ớc lượng<br /> l ợng SAR llàà trên hình 4d, điều<br /> ều nnày<br /> ày th<br /> thểể<br /> hiện<br /> ện sai ssố ước<br /> ước lư<br /> lượng<br /> ợng llàà khá llớn.<br /> ớn.<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 5. Sai ssốố ước<br /> ớc lượng<br /> l ợng SAR tương<br /> tương ứng tại sai pha kiểm chứng:<br /> 5a)Mô hình 1; 5b) Mô hình 2; 5c) Mô hình 3; 5d) Mô hình 4.<br /> Hình 5 thể<br /> thể hiện sai số ư ớc lượng<br /> ước l ợng SAR của 4 mô hhình ình tính toán, ccụ<br /> ụ thể:<br /> Mô hình 1 (hình 5a), sai ssố ố ước<br /> ớc lượng<br /> l ợng SAR lớn nhất nhỏ hhơn ơn 0.6%.<br /> Mô hình 2 (hình 5b), sai ssố ố ước<br /> ớc lượng<br /> l ợng SAR lớn nhất khoảng 1.3%.<br /> Mô hình 3 (hình 5c), sai ssố ố ước<br /> ớc lượng<br /> l ợng SAR lớn nhất gần bằng 1.5%.<br /> Mô hình 4 (hình 5d), sai ssố ố ước<br /> ớc lượng<br /> l ợng SAR lớn nhất khoảng 2.2%.<br /> Từ<br /> ừ kết quả tr<br /> trên<br /> ên hình 5, nnhận<br /> ận thấy sai số ước ớc lượng<br /> l ợng thay đổi nh<br /> nhưư sau:<br /> +VVới<br /> ới cả 3 kỹ thuật ưước<br /> ớc llư<br /> ượng<br /> ợng đề xuất, đđư ường<br /> ờng biểu diễn sai số ư<br /> ước<br /> ớc lượng<br /> l ợng là<br /> là khá tương<br /> đồng,<br /> ồng, sai lệch lớn nhất giữa các kỹ thuật ư ước<br /> ớc llượng<br /> ợng chưa<br /> chưa đđến<br /> ến 1%.<br /> + Khi kích thư<br /> thước<br /> ớc phantom giảm, tần số phát không đổi (mô hhình ình 1 so với<br /> với mô hhình<br /> ình 2;<br /> mô hình 3 so vvới<br /> ới mô hhình<br /> ình 4) thì sai ssố ư<br /> ước<br /> ớc llư<br /> ượng<br /> ợng lớn nhất có tăng nhnhưng<br /> ưng không nhi<br /> nhiều<br /> ều ddư<br /> ưới<br /> ới<br /> 0.7% (0.6% so vvớiới 1.3%, 1.5% so với 2.2%).<br /> <br /> <br /> <br /> Tạp<br /> ạp chí Nghi<br /> Nghiên<br /> ên cứu<br /> cứu KH&CN quân<br /> uân sự,<br /> sự, Sốố 555, 066 - 2018<br /> 2018 49<br /> Kỹ thuật điều khiển & Điện tử<br /> <br /> + Khi tần số phát giảm, kích thước phantom không đổi (mô hình 1 so với mô hình 3;<br /> mô hình 2 so với mô hình 4) thì sai số ước lượng lớn nhất tăng khá rõ khoảng 1% (0.6% so<br /> với 1.5%, 1.3% so với 2.2%).<br /> + Khi cả tần số phát và kích thước phantom giảm (mô hình 1 so với mô hình 4) thì sai<br /> số ước lượng lớn nhất tăng cao gần 2% (0.6% so với 2.2%).<br /> 4. KẾT LUẬN<br /> Trong bài báo, chúng tôi đã sử dụng 3 kỹ thuật ước lượng để xác định giá trị SAR lớn<br /> nhất của thiết bị vô tuyến có 2 ăng ten phát. Với 4 mô hình kiểm chứng cho thấy, khi kích<br /> thước phantom hay tần số phát thay đổi thì sai số ước lượng lớn nhất chỉ khoảng 2.2%. Sai<br /> số lớn nhất này nằm trong giới hạn tiêu chuẩn đo lường quốc tế, điều này khẳng định tính<br /> chính xác của các kỹ thuật ước lượng đề xuất. Tuy nhiên, khi kích thước phantom giảm<br /> hoặc tần số phát giảm thì sai số ước lượng đều gia tăng (sai lệch lớn nhất gần 2%). Biết<br /> rằng, các dữ liệu kiểm chứng được lấy từ chương trình mô phỏng, trong các phép đo thực<br /> tế sai số có thể lớn hơn nhiều vì chịu ảnh hưởng của rất nhiều yếu tố bên ngoài. Với 3 kỹ<br /> thuật ước lượng được đề cập, nghiên cứu trong phạm vi bài báo này, khi ứng dụng đo SAR<br /> cho thiết bị vô tuyến nhiều ăng ten phát trong thực tế cần chú ý đến từng mô hình đo cụ<br /> thể. Các kỹ thuật ước lượng trên có thể cho sai số rất lớn khi kích thước phantom hay tần<br /> số hoạt động tại thông số nào đó, vì vậy cần được phát triển, kiểm chứng ở các nghiên cứu<br /> tiếp theo.<br /> TÀI LIỆU THAM KHẢO<br /> [1]. ICNIRP, "Guidelines for limiting exposure to time-varying electric, magnetic and<br /> electromagnetic fields (up to 300 GHz)," Health Phys., vol. 74, pp. 494-522, 1998.<br /> [2]. FCC OET Bulletin 65, "Evaluating Compliance with FCC Guidelines for Human<br /> Exposure to Radiofrequency Electromagnetic Fields," Ed. 97-01 ,.<br /> [3]. IEEE 1528, "IEEE Recommended Practice for Determining the Peak Spatial-Average<br /> Specific Absorption Rate (SAR) in the Human Head from Wireless Communications<br /> Devices: Measurement Techniques," Ed.2013.<br /> [4]. IEC/TR 62630, "Guidance for Evaluating Exposure from Multiple Electromagnetic<br /> Sources," Ed. 1.0, 2010.<br /> [5]. IEC 62209-2, "Human exposure to radio frequency fields from hand-held and body-<br /> mounted wireless communication devices: Human models, instrumentation, and<br /> procedures - Part 2: Procedure to determine the specific absorption rate (SAR) for<br /> wireless communication devices used ," Ed. 1.0, 2010.<br /> [6]. K.-C. Chim, K. C. L. Chan, and R. D. Murch, "Investigating The Impact of Smart<br /> Antennas on SAR," IEEE Trans. Antennas Propag., vol. 52, no. 5, pp. 1370-1374,<br /> May 2004.<br /> [7]. J.-O. Mattsson, and L.P. De Leon, "SAR Evaluation of A Multi-Antenna System," in<br /> Proc. IEEE Antennas and Propagation Int. Symp., Honolulu, Jun. 2007, pp. 1373-<br /> 1376.<br /> [8]. T. Iyama and T. Onishi, "Maximum Average SAR Measurement Procedure for Multi-<br /> Antenna Transmitters," IEICE Trans. Comm., vol. E93-B, no. 7, pp. 1821-1825, Jul<br /> 2007.<br /> [9]. D. T. Le, L. Hamada, and S. Watanabe, "Measurement Procedure to Determine SAR<br /> of Multiple Antenna Transmitters Using Scalar Electric Field Probes," in Proc. IEEE<br /> The International Conference on Advanced Technologies for Communications 2014<br /> <br /> <br /> 50 C. V. Hải, L. Đ. Thành, N. H. Hoàng, “Đánh giá một số yếu tố … nhiều ăng ten phát.”<br /> Nghiên cứu khoa học công nghệ<br /> <br /> (ATC'14)., Ha Noi, Oct 2014.<br /> [10]. D. T. Le, L. Hamada, S. Watanabe, and T. Onishi, "An Estimation Method for Vector<br /> Probes Used in Determination SAR of Multiple-Antenna Transmission Systems," in<br /> Proc. IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility., Tokyo, May<br /> 2014.<br /> [11]. D.T.Le, and V.H.Chu, "An Analysis of Vector Estimation for Uncertainty Reduction<br /> in Evaluating the Specific Absorption Rate of Multiple Transmitting Antenna<br /> Devices," in Proc. IEEE The NAFOSTED Conference on Information and Computer<br /> Science, Ho Chi Minh, Viet Nam, Sept. 2015.<br /> [12]. V.H.Chu, H.H.Nguyen and D.T.Le, "Analyzing the Estimation Errors in Evaluating<br /> the Specific Absorption Rate of Multiple-Antenna Devices for Different Numbers of<br /> Antennas," in Vietnam Japan Microwave 2017 Conference, Ha Noi, June 13-14th,<br /> 2017.<br /> [13]. https://www.cst.com/products/csts2,.<br /> [14]. DASY52 by SPEAG, http://www.speag.com/products/dasy/dasy-systems/,.<br /> [15]. ART-MAN by ART-Fi, http://www.art-fi.eu/art-man,.<br /> ABSTRACT<br /> ESTIMATION OF PARAMETERS CAUSING UNCERTAINTIES<br /> IN SAR EVALUATION FOR MULTI-ANTENNA TRANSMITTING DEVICES<br /> In this paper, parameters affecting the uncertainty when using evaluation<br /> technique for specific absorption rate (SAR) determination of multi-antenna<br /> transmitting devices are estimated. The main factors which are considered include:<br /> phantom size and operating frequency. It is pointed out, by simulated validations for<br /> featured flat phantom size schemes and exposure source at common operating<br /> frequencies that uncertainty of SAR evaluation increases when phantom size or<br /> operating frequency decreases.<br /> Keywords: Specific Absorption Rate - SAR; Multiple Antennas Radio Device; Field Probes; Relative Phase.<br /> <br /> Nhận bài ngày 11 tháng 3 năm 2018<br /> Hoàn thiện ngày 03 tháng 4 năm 2018<br /> Chấp nhận đăng ngày 08 tháng 6 năm 2018<br /> <br /> Địa chỉ: Học viện Kỹ thuật quân sự.<br /> *<br /> Email: chuhait1@gmail.com.<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số 55, 06 - 2018 51<br />
ADSENSE

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

 

Đồng bộ tài khoản
2=>2