zunia.vn

Tuyển sinh 2024 dành cho Gen-Z

zunia.vn

» Kỹ Thuật - Công Nghệ

» Điện - Điện tử

Đề xuất phương pháp mô phỏng tấm năng lượng mặt trời trong hệ thống chiếu sáng công cộng

Chia sẻ: Liễu Yêu Yêu | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:6

Báo xấu

24
lượt xem 3
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Bài viết "Đề xuất phương pháp mô phỏng tấm năng lượng mặt trời trong hệ thống chiếu sáng công cộng" đề xuất một phương pháp mô phỏng đặc tính tấm năng lượng mặt trời dựa trên nội suy tuyến tính. Phương pháp đề xuất cho thấy nhiều ưu điểm khi chịu sự thay đổi của bức xạ và nhiệt độ. Độ chính xác của hệ thống thực nghiệm không chỉ được kiểm chứng qua kết quả mô phỏng trên phần mềm Matlab mà còn được đánh giá, so sánh với mô hình thí nghiệm thực tế. Mời các bạn cùng tham khảo!

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Đề xuất phương pháp mô phỏng tấm năng lượng mặt trời trong hệ thống chiếu sáng công cộng

Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) ĐỀ XUẤT PHƯƠNG PHÁP MÔ PHỎNG TẤM NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI TRONG HỆ THỐNG CHIẾU SÁNG CÔNG CỘNG Lâm Quang Thái1 , Võ Thiện Lĩnh2 1,2 Phân hiệu tại TP. Hồ Chí Minh, Trường Đại học Giao thông vận tải, 450 Lê Văn Việt, Phường Tăng Nhơn Phú A, TP. Thủ Đức, TP. Hồ Chí Minh, Việt Nam Email: thailq_ph@utc.edu.vn , linhvt_ph@utc.edu.vn Abstract— Hiện nay nhu cầu về cung cấp điện năng từ Năng lượng mặt trời có thể được sử dụng để tạo ra các tấm năng lượng mặt trời cho hệ thống chiếu sáng năng lượng điện năng mà không gây tiêu tốn nước, công cộng là rất cần thiết trước sự cạn kiệt, khan hiếm và nhiên liệu hoặc gây ô nhiễm môi trường đồng thời có ý giá thành ngày càng tăng của nguồn năng lượng hóa nghĩa to lớn trong việc cải thiện môi trường sinh thái. thạch. Tuy nhiên, để có được sự nghiên cứu hiệu quả về Tuy nhiên, ứng dụng thực tế của năng lượng mặt trời các hệ thống sử dụng tấm năng lượng mặt trời thì cần vẫn còn tồn tại những trở ngại khó khăn, cụ thể hiệu phải có được các đường đặc tính I-V rất chính xác của suất chuyển đổi quang điện thấp và thiếu độ chính xác các mô-đun quang điện. Quá trình thử nghiệm trên các trong mô hình tế bào quang điện (PV). Đặc biệt, mô tấm pin thực tế gặp một số khó khăn: cần không gian thí hình tế bào PV chính xác là rất quan trọng để phân tích nghiệm rộng, chi phí cao và ảnh hưởng bởi các điều kiện khách quan của môi trường. Do đó, việc có được phương và dự đoán các đặc tính cụ thể của hệ thống PV [8]. Có pháp mô phỏng các đặc tính I-V giống như đặc tính tấm nhiều mô hình đã được giới thiệu, chẳng hạn như mô năng lượng mặt trời là rất cần thiết. Bài báo này đề xuất hình diode đơn [9], mô hình diode kép [10]. Bên cạnh một phương pháp mô phỏng đặc tính tấm năng lượng đó, đặc tính I-V do nhà sản xuất cung cấp chỉ được mặt trời dựa trên nội suy tuyến tính. Phương pháp đề phát triển trong các điều kiện thử nghiệm tiêu chuẩn xuất cho thấy nhiều ưu điểm khi chịu sự thay đổi của bức (STC) với G = 1000 W/m2 và T = 25 °C. Thực tế xạ và nhiệt độ. Độ chính xác của hệ thống thực nghiệm những thay đổi của môi trường bên ngoài, chẳng hạn không chỉ được kiểm chứng qua kết quả mô phỏng trên như bức xạ mặt trời và nhiệt độ, sẽ có ảnh hưởng lớn phần mềm Matlab mà còn được đánh giá, so sánh với mô đến các đặc tính đầu ra của pin PV và tính phi tuyến hình thí nghiệm thực tế. Kết quả mô phỏng và thí nghiệm cao vốn có của PV dẫn đến độ tin cậy chính xác của cho thấy độ chính xác cao của phương pháp nội suy mô hình tế bào PV trở nên rất khó khăn. tuyến tính. Vì vậy, để mô hình PV chính xác cần dựa trên các Keywords- Năng lượng mặt trời, solar panel, bộ thông số từ nhà sản xuất tấm năng lượng mặt trời. Bên chuyển đổi dc – dc, đặc tính I-V, P-V, nội suy tuyến tính. cạnh đó, việc xác định tham số có tầm quan trọng lớn trong mô phỏng, đánh giá hiệu suất, thiết kế tối ưu hóa I. GIỚI THIỆU và điều khiển thời gian thực của hệ thống PV [14,15]. Ngoài ra, việc xác định tham số này còn có ý nghĩa Nhu cầu năng lượng ngày càng tăng khi dân số toàn trong việc thiết kế ứng dụng về sản xuất pin và theo dõi cầu đang tăng lên, nền kinh tế của các nước đang phát điểm công suất cực đại (MPPT-Maximum Power Point triển tiếp tục mở rộng và dự kiến sẽ tăng gấp ba lần vào Tracker) [11,16,17]. Việc xác định các tham số của PV năm 2050. Tuy nhiên, nguồn năng lượng đến từ nhiên ngày càng nhận được nhiều sự quan tâm, nên đã có rất liệu hóa thạch là nguồn tài nguyên hữu hạn vì vậy để nhiều nghiên cứu được thực hiện để phát triển các không phụ thuộc vào nguồn năng lượng này vào năm phương pháp khả thi và thực tế để giải quyết vấn đề 2050 thì nguồn năng lượng tái tạo phải tăng lên từ 6 này [18, 19]. Một số nghiên cứu trong và ngoài nước đến 8 lần nếu nhu cầu về năng lượng được duy trì ở đã đề cập phương pháp phát triển mô hình mô phỏng mức tăng 50% so với nhu cầu năng lượng năm 2020 pin năng lượng mặt trời quang điện (PV) sử dụng phần [1]. Việc nghiên cứu các nguồn năng lượng bền vững mềm MATLAB/Simulink [12, 20] hay phân tích hiệu đã trở thành một vấn đề quan trọng và được quan tâm suất của mô hình tế bào quang điện mặt trời sử dụng rộng rãi [2–4]. Việc khai thác và sử dụng năng lượng MATLAB [8, 9]. tái tạo chắc chắn đóng một vai trò quan trọng đối với sự phát triển trong tương lai, trong đó năng lượng mặt Trong [16, 19], việc xác định các tham số của PV trời đóng vai trò là một trong những lựa chọn ưu việt được thực hiện bằng các phương trình toán học phức và hứa hẹn nhất [5–7, 12]. tạp. Phương pháp này có những nhược điểm như khối lượng tính toán lớn, các phép toán phức tạp, đòi hỏi ISBN 978-604-80-7468-5 220
Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) thời gian tính toán lớn đòi, hỏi phải có một vi điều   qV   I d = I 0 exp  (2) khiển có tốc độ tính toán và thời gian xử lý cực nhanh  − 1 dẫn đến chi phí thiết kế cao.   akT   Trong bài báo này, nhóm nghiên cứu đề xuất sử Phương trình đặc tính điện áp - dòng điện của một tế dụng phương pháp nội suy tuyến tính trên cơ sở sử bào quang điện pin mặt trời được tính bằng công thức dụng bộ biến đổi DC-DC làm nhiệm vụ xuất tín hiệu [8]: mô phỏng đặc tính I-V, P-V kết hợp với giao tiếp với máy tính cho hệ thống mô phỏng đặc tính tấm pin   V + Rs .I   V + Rs .I (3) quang điện. Với phương pháp nội suy tuyến tính thì số I = I PV − I 0 exp   − 1 − điểm cần lưu trữ sẽ ít nhưng vi điều khiển có khả năng   Vt .a   Rp tính toán các điểm còn lại vì vậy không cần sử dụng vi Với: điều khiển có tốc độ và bộ lưu trữ cao. Kết quả thực N s kT nghiệm cho thấy độ chính xác cao của hệ thống với sai Vt = số đầu ra dao động từ 1 đến 4%. q Bài báo này trình bày các nội dung chính bao gồm: IPV: dòng quang điện (A) phần 1 giới thiệu tổng quan, phần 2 trình bày về mô RP, RS là điện trở trong đặc trưng cho các tổn hình hóa của tấm năng lượng mặt trời, phần 3 trình bày hao công suất trong quá trình làm việc của phương pháp giải phương trình lặp Newton – Raphson, pin quang điện. phần 4 đề xuất phương pháp điều khiển, phần 5 đề xuất mô hình mô phỏng tấm năng lượng mặt trời và cuối Để có thể mô hình hóa được, cần xác định thêm cùng là phần thực nghiệm và đánh giá kết quả. các thông số IPV, I0, RS, RP. Điều này có thể được thực hiện dựa vào hệ thống các phương trình (4), (5) và (6). II. MÔ HÌNH HÓA CỦA TẤM NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI I PV − STC + Ki T I0 = (4) 2.1 Tế bào quang điện exp (Voc − STC + K v T / a.VT ) − 1 Phương trình cơ bản theo lý thuyết về chất bán dẫn mô tả toán học đặc tính I-V của tế bào quang điện lý R p + Rs tưởng là: I PV − STC = I scn (5) Rp   qV   I = I PV − I 0 exp   − 1   akT   (1) Pma xe = Vm p .I m p (6) Trong đó: Dòng quang điện là hàm của nhiệt độ và bức xạ: I0 là dòng bão hòa qua diode (A). q là điện tích q = −1,6.10−19 (C). G k là hằng số Boltzmann, k = 1,38.1023 (J/ K). I PV = (I pvn + K i .T ) (7) Gn a là hệ số diode lý tưởng, có giá trị 1  a  1,5. G I sc = (I scn + Ki .T ) (8) Gn 2.2 Mô hình hóa pin quang điện Vm p + I m p .Rs RP =   (V + I .R )   (V + I .R )   P I pv − I o . exp  m p m p s  + exp  m p m p s  − 2  − ma xe (9)   VT   ( P − 1).VT   Vmp Vm p Voc − STC − Vm p RP min = − (10) I sc n − I m p Im p Trong đó: Hình 1. Mô hình diode đơn − IPV-STC, Voc-STC lần lượt là dòng điện và điện áp Mạch tương đương của pin quang điện trong mô hở mạch được tạo ra trong điều kiện kiểm tra hình một diode được trình bày như hình 1 bao gồm một tiêu chuẩn – STC (TSTC = 25oC) nguồn dòng, diode, hai điện trở gồm nối tiếp RS và T = T − TSTC ; song song RP. Dòng qua Diode được tính: ISBN 978-604-80-7468-5 221
Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) − G là bức xạ trên pin mặt trời và Gn = Hình 2. Lưu đồ thuật toán 1000W/m2 là lượng bức xạ trong điều kiện STC; IV. ĐỀ XUẤT PHƯƠNG PHÁP ĐIỀU KHIỂN − Ki hệ số nhiệt độ của dòng ngắn mạch, KV hệ Mô-đun PV được đặc trưng bởi đường cong đặc tính số nhiệt độ của điện áp hở mạch; dòng điện - điện áp không tuyến tính như được mô tả − Iscn là dòng ngắn mạch của tấm pin trong điều trong Hình 3. Đường cong này phụ thuộc rất nhiều vào kiện STC; nhiệt độ T và bức xạ mặt trời G, nó thay đổi liên tục − Vmp, Imp lần lượt là điện áp và dòng điện cực theo hai yếu tố nhiệt độ và bức xạ. Các thông số quan đại; trọng nhất mô tả đường cong I-V là điện áp hở mạch − Pmaxe là công suất đỉnh đầu ra của tấm pin. (Voc), dòng ngắn mạch (Isc), điện áp cực đại (VMPP) và dòng điện cực đại (IMPP). Các giá trị của các thông III. PHƯƠNG PHÁP GIẢI PHƯƠNG TRÌNH LẶP số này thu được trong điều kiện khí hậu tiêu chuẩn (T = Để xác định các tham số của các phương trình toán 25 °C và G = 1000 W/ m²) do nhà sản xuất cung cấp. học của tấm pin quang điện ở mục 2 phương pháp giải Vùng A Vùng B Vùng C    phương trình lặp Newton - Raphson được ứng dụng Ipv (A) trong bài báo này. Phương pháp này yêu cầu giá trị ISC MPP IMPP ban đầu của x0 được chọn gần đúng. Giá trị tiếp theo của lần lặp được tính bằng cách sử dụng phương trình: x k +1 = f ( x k ) (11) Sự hội tụ đạt được khi xk+1 ≈ xk, đến một độ sai số có thể chấp nhận được. Phương pháp giải phương trình Vpv (V) (3) được trình bày ở lưu đồ thuật toán hình 2. Thuật Voc toán bắt đầu bằng việc nhập các thông số của tấm năng lượng mặt trời được nhà sản xuất công bố gồm có Hình 3. Đặc tính I-V của pin quang điện nhiệt độ, bức xạ, ngưỡng hội tụ, điện trở Rs, Rp. Sau Như thể hiện trong Hình 3, đường cong I-V có thể đó hệ thống sẽ thực hiện so sánh độ hội tụ với ngưỡng được phân tích thành ba vùng: vùng A, vùng B và vùng cần đạt, nếu độ hội tụ lớn hơn ngưỡng sẽ thực hiện C. Trong đó vùng B được gọi là vùng phi tuyến. Để tính toán các thông số gồm có I0, IPV-STC, IPV, dòng tuyến tính hoá đường đặc tính của tấm pin quang điện điện I theo (3), công suất P và Pmax, độ hội tụ, tăng giá nhằm để bộ điều khiển thực hiện tính toán nhanh chóng trị Rs. Ngược lại, thuật toán sẽ xuất các thông số sau và chính xác, nhóm nghiên cứu đề xuất sử dụng khi giải phương trình gồm có I0, IPV, I, V, RS, RP và phương pháp nội suy tuyến tính để tuyến tính hoá các Rpmin. vùng này, đặc biệt là vùng B để áp dụng cho khối điều khiển tín hiệu của hệ thống mô phỏng PV. Phương trình của hàm nội suy tuyến tính: Bắt đầu f ( x1 ) − f ( x0 ) f ( x) = f ( x0 ) + ( x − x0 ) (12) x1 − x0 Nhập dữ liệu đầu vào Trong đó x là biến độc lập, x1 và x0 là các giá trị đã biết của biến độc lập và f(x) là giá trị của biến phụ thuộc đối với giá trị x của biến độc lập. Phương pháp nội suy tuyến tính được áp dụng ở đây Đúng để tuyến tính hóa đường cong I-V dựa trên nguyên tắc Độ hội tụ lớn hơn ngưỡng Tính toán và cập nhật các phân đoạn của đường cong I-V như trong Hình 4. thông số Phương pháp này coi đường cong I-V là bốn khoảng tuyến tính: hai khoảng tuyến tính của vùng A (0; VOC ) Sai 2 Xuất dữ liệu và C ( VOC + VMPP ;Voc). Vùng B được đặc trưng bởi 2 một đường cong không tuyến tính, vì vậy nó được VOC phân tách thành hai đoạn tuyến tính ( ;VMPP) và Kết thúc 2 (VMPP; VOC + VMPP ) như Hình 4. 2 ISBN 978-604-80-7468-5 222
Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) Vùng A Vùng B Vùng C Trong sơ đồ khối ở hình 5, khối điều khiển được sử  dụng để điều khiển bộ chuyển đổi DC-DC và gửi điện   Ipv (A) ISC áp đầu ra đến khối nguồn. Khối máy tính thực hiện các MPP IMPP nhiệm vụ giải phương trình (3) theo phương pháp giải lặp Newton – Raphson, tuyến tính hóa đường cong của PV sau đó chuyển dữ liệu điều khiển đến khối điều khiển. VI. KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM VÀ ĐÁNH GIÁ Vpv (V) Việc mô phỏng được thực hiện qua phần mềm V oc VMPP (Voc +VMPP) Voc 2 2 PSIM và quá trình thực nghiệm tiến hành trên mô hình tại Hình 6. Kết quả mô phỏng mạch điều khiển trên Hình 4. Đường cong I-V tuyến tính PSIM Các kết quả mô phỏng cho thấy thời gian để Đường cong được xấp xỉ và điều chỉnh bởi các phương điện áp và dòng điện ổn định vào khoảng 0.002s. trình toán học (từ (13) đến (16): V − V2 I = I2 − I2 ;V2  V  VOC (13) VOC − V2  V − Vmpp  I = I mpp + ( I 2 − I mpp )   ;Vmpp  V  V2 (14)  V2 − Vmpp    V − V1  I = I1 + ( I mpp − I1 )  ;V  V  Vmpp  Vmpp − V1  1 (15)   V  I = I sc + ( I1 − I sc )   ;0  V  V1 (16)  V1  Với: Voc Voc + Vmpp V1 = ;V2 = 2 2 V. ĐỀ XUẤT MÔ HÌNH MÔ PHỎNG TẤM NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI Để điều khiển bộ mô phỏng quang điện, cần có bộ Hình 6. Mô hình thí nghiệm vi điều khiển để đo các đại lượng như điện áp và dòng điện, tạo ra các tín hiệu cần thiết để chuyển đổi DC- Hệ thống được thực nghiệm mô phỏng đặc tính cho DC, và giao tiếp với phần mềm hiển thị. tấm pin quang điện MSX60 được chọn có bảng thông Khối chuyển đổi số từ nhà sản xuất được trình bày ở Bảng 1. Khối Nguồn Tải DC-DC Bảng 1. Bảng thông số của tấm pin MSX60 [19] Đo dòng điện Thông số Giá trị Điện áp tại Pmax (Vmp) 17.1 (V) Nhập các thông số Máy tính Khối điều khiển Dòng điện tại Pmax (Imp) 3.5 (A) Công suất cực đại (Pmax) 60 (W) Hình 5. Mô hình hệ thống mô phỏng pin quang điện Điện áp hở mạch (Voc) 21.1 (V) Bộ mô-- Suy - Giải phương trình lặp Newton-Rasphson phỏng PV ra đặc tính I-V, P-V dựa trên mô hình diode đơn có Dòng ngắn mạch (Isc) 3.8 (A) Tuyến tính hoá đường cong I-V đầu ra điện áp và dòng điện có độ chính xác cao phù - Gửi dữ liệu Số lượng tế bào quang điện (Ns) 36 hợp với các đường cong I-V của tấm năng lượng mặt Hệ số dòng điện/ nhiệt độ (Ki) 0.003 (A/K) trời, trong các điều kiện khác nhau. Sơ đồ kết nối các Hệ số điện áp/ nhiệt độ (Kv) -80e-3 (V/K) khối trong bộ mô phỏng quang điện được thể hiện trong hình 5. Trên phần mềm, chương trình mô phỏng tính toán các thông số RS, RP của PV và hiển thị đường cong ISBN 978-604-80-7468-5 223
Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) biểu đồ, ảnh hưởng của nhiệt độ, bức xạ. Giao diện hệ thống gồm có 2 phần: nhập các thông số của tấm pin Bảng 2. Bảng đánh giá kết quả thực nghiệm với thông PV và giao diện thể hiện đặc tính đường cong I-V và P-V của tấm pin. Quy trình thí nghiệm được tiến hành số của nhà sản xuất tấm pin MSX60 bằng cách kết nối với phần cứng để lấy mẫu và lần Thông số kỹ Nhà sản Kết quả thực lượt thay đổi các tải trở ta được điểm làm việc tương thuật xuất nghiệm ứng đối với tải. Dữ liệu truyền về được phần mềm xử Pmax 60 (W) 57,77 (W) lý và biểu diễn thành điểm (màu hồng) chạy trên đặc tính I-V, P-V của tấm pin quang điện. Hình 11 cho Vmp 17.1 (V) 16,55 (V) thấy điểm làm việc nằm trên đường đặc tính I-V, P-V Imp 3.5 (A) 3,49 (A) của tấm pin MSX60. Hình 8 là giá trị dòng điện I và điện áp V được đo thực của tải với kết quả như điểm Voc 21.1 (V) 20,76 (V) làm việc ở hình 7. Isc 3.8 (A) 3,89 (A) 600 W/m2 1000 W/m2 700 W/m2 900 W/m2 800 W/m2 2 800 W/m 900 W/m2 700 W/m2 500 W/m2 1000 W/m2 600 W/m2 400 W/m2 500 W/m2 300 W/m2 2 400 W/m 200 W/m2 300 W/m2 100 W/m2 200 W/m2 2 100 W/m Hình 7. Kết quả thực nghiệm bằng hệ thống mô phỏng đặc tính I-V và P-V của pin MSX60 điều kiện tiêu chuẩn (G = 1000 W/m2, T = 25oC) Hình 9. Đồ thị thực nghiệm so sánh với tấm quang điện MSX60 VII. KẾT LUẬN Trong bài báo này, một phương pháp mô phỏng đặc tính I-V, P-V của tấm quang điện được đề xuất. Không giống như các phương pháp trước đây chủ yếu mô phỏng trên phần mềm, bài báo này đã đề xuất phương pháp áp dụng mô hình diode đơn và xây dựng mạch điện thực nghiệm để kiểm chứng từ đó có thể tạo tín hiệu mô tả các đặc tính của tấm pin, đồng thời có khả năng giao tiếp với máy tính. Ngoài ra, với phương pháp giải lặp Newton – Raphson đơn giản và nhanh chóng đã được sử dụng để tính toán các tham số cần thiết kết hợp với phương pháp nội suy tuyến tính được áp dụng cho bộ điều khiển. Độ chính xác của phương pháp đề xuất đã được đánh giá và so sánh với dữ liệu thực tế từ nhà sản xuất bảng quang điện MSX-60 với Hình 8. Giá trị điện áp, dòng điện và công suất đầu ra sai số đầu ra nhỏ hơn 4% được tổng hợp và tính toán thực nghiệm trong quá trình thực nghiệm. Nghiên cứu của bài báo Kết quả kiểm nghiệm từ Hình 9 và Bảng 2 cho cho thấy phương pháp đề xuất có giá trị ứng dụng cao thấy hệ thống hoạt động hiệu quả, bằng cách thay đổi trong việc xây dựng, thiết kế các hệ thống chiếu sáng biến trở thì xác định được điểm làm việc tương ứng công cộng sử dụng nguồn năng lượng mặt trời. với sai số đầu ra dao động từ 1 đến 4% so với giá trị từ nhà sản xuất. Từ các kết quả thực nghiệm cho thấy hệ TÀI LIỆU THAM KHẢO thống đạt được các mục tiêu, yêu cầu và phạm vi [1] Mohammad Fazle Rabbi, József Popp, Domicián Máté and nghiên cứu đã đề ra. Sándor Kovács. Energy Security and Energy Transition to Achieve Carbon Neutrality. Energies 2022, 15, 8126. [2] Yang B, Yu T, Shu HC, Dong J, Jiang L. Robust sliding-mode control of wind energy conversion systems for optimal power ISBN 978-604-80-7468-5 224
Hội nghị Quốc gia lần thứ 25 về Điện tử, Truyền thông và Công nghệ Thông tin (REV-ECIT2022) extraction via nonlinear perturbation observers. Applied [12] Nguyễn Ngọc Tiến, Nguyễn Bá Phú, Đỗ Thế Tân, Nguyễn Energy 2018; 210:711–23. Văn Hùng. Research Modelling Photo Voltaic Solar By [3] Yang B, Yu T, Shu HC, Zhang YM, Chen J, Sang YY, et al. Matlab/Simulink. Tập san sinh viên nghiên cứu khoa học, số Passivity-based slidingmode control design for optimal power 9.2019. extraction of a PMSG based variable speed wind turbine. [13] Chen J, Yao W, Zhang CK, Ren Y, Jiang L. Design of robust Renewable Energy 2018;119:577–89. MPPT controller for grid-connected PMSG-Based wind [4] Liu J, Wen JY, Yao W, Long Y. Solution to short-term turbine via perturbation observation based nonlinear adaptive frequency response of wind farms by using energy storage control. Renewable Energy 2019;134:478–95. systems. IET Renew Power Gener 2016; 10(5):669–78. [14] Jordehi AR. Parameter estimation of solar photovoltaic (PV) [5] Liu J, Yao W, Wen JY, Fang JK, Jiang L, He HB, et al. cells: A review. Renew Sustain Energy Rev 2016 ;61:354–71. Impact of power grid strength and PLL parameters on stability [15] Majdoul R, Abdelmounim E, Aboulfatah M, Touati AW, of grid-connected DFIG wind farm. IEEE Trans Sustainable Moutabir A, Abouloifa A. Combined analytical and numerical Energy 2019. https://doi.org/10.1109/TSTE.2019.2897596. approach to determine the four parameters of the photovoltaic [6] Li GD, Li GY, Zhou M. Model and application of renewable cells models. International Conference on Electrical and energy accommodation capacity calculation considering Information Technologies, March 2015, Marrakech, Morocco. utilization level of interprovincial tie-line. Protect Control 2015. p. 263–8. Modern Power Syst 2019; 4(4):1–12. [16] Kamali SK, Rahim NA, Mokhlis H, Tyagi VV. Photovoltaic [7] Cv V, Kamaraj N. Modeling and performance analysis of the electricity generator dynamic modeling methods for smart grid solar photovoltaic cell model using embedded MATLAB. applications: A review. Renew Sustain Energy Rev 2016 Simulat: Trans Soc Model Simulat Int 2015; 91(3):217–32. ;57:131–72. [8] Humada AM, Hojabri M, Mekhilef S, Hamada HM. Solar cell [17] Kumar M, Kumar A. An efficient parameters extraction parameters extraction based on single and double-diode technique of photovoltaic models for performance assessment. models: A review. Renew Sustain Energy Rev 2016;56:494– Sol Energy 2017; 158:192–206. 509. [18] Ishaque K, Salam Z. An improved modeling method to [9] Abbassi A, Gammoudi R, Dami MA, Hasnaoui O, Jemli M. determine the model parameters of photovoltaic (PV) modules An improved singlediode model parameters extraction at using differential evolution (DE). Sol Energy 2011; different operating conditions with a view to modeling a 85(9):2349–59 photovoltaic generator: A comparative study. Sol Energy [19] Bảng thông số tấm pin MSX-60, 2017;155:478–89. https://pdf.dzsc.com/autoupload/41ea4270-37f9-44fb-bfd6- [10] Zhang DL, Li JL, Hui D. Coordinated control for voltage 1bcb1678c121.pdf regulation of distribution network voltage regulation by [20] Huan-Liang Tsai, Ci-Siang Tu, and Yi-Jie Su, Member, distributed energy storage systems. Protect Control Modern IAENG. Development of Generalized PhotovoltaicModel Power Syst 2018;3(3). https://doi.org/10.1186/s41601-018- Using MATLAB/SIMULINK. Proceedings of the World 0077-1. Congress on Engineering and Computer Science, October 22 - [11] Murty VVSN, Kumar A. Multi-objective energy management 24, 2008, San Francisco, USA. ISBN: 978-988-98671-0-2. in microgrids with hybrid energy sources and battery energy storage systems. Protect Control Modern Power Syst 2020 ;5(2). https://doi.org/10.1186/s41601-019-0147-z. ISBN 978-604-80-7468-5 225

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD

LV.15: Bộ Đồ Án Tốt Nghiệp Chuyên Ngành Cơ Khí

65 tài liệu

2418 lượt tải

THÔNG TIN

TRỢ GIÚP

HỖ TRỢ KHÁCH HÀNG

Theo dõi chúng tôi

Chịu trách nhiệm nội dung:

Nguyễn Công Hà - Giám đốc Công ty TNHH TÀI LIỆU TRỰC TUYẾN VI NA

LIÊN HỆ

Địa chỉ: P402, 54A Nơ Trang Long, Phường 14, Q.Bình Thạnh, TP.HCM

Hotline: 093 303 0098

Email: support@tailieu.vn

Giấy phép Mạng Xã Hội số: 670/GP-BTTTT cấp ngày 30/11/2015 Copyright © 2022-2032 TaiLieu.VN. All rights reserved.