Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 9

Chia sẻ: Asgfkj Aslfho | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:6

Thêm vào BST

Báo xấu

83
lượt xem 11
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

2. Cách hoạt động • Khi cho VGS = 0V và thay đổi VDS  Lý luận tương tự như EMOSFET ,nhưng vì DMOSFET có kênh cho sẳn nên khi cho VDS nhõ và ngay cả khi VGS=0V các điện tử tự do dễ dàng di chuyển từ S đến D qua kênh n có sẳn, MOSFET dẫn .  Khi VDS tăng đến trị số lớn nhất định nào đó thì vùng hiếm ở cực D sẽ lan rộng làm nghẽn kênh cho sẳn  dòng ID tăng đến trị bão hoà IDSS , và điện thế thoát nguồn...

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 9

B. B. MOSFET loại hiếm ( nghèo) 1. Cấu tạo Tương tự như EMOSFET nhưng có tạo kênh n pha lợt giửa cực S và cực D ( H.10)
2. Cách hoạt động • Khi cho VGS = 0V và thay đổi VDS  Lý luận tương tự như EMOSFET ,nhưng vì DMOSFET có kênh cho sẳn nên khi cho VDS nhõ và ngay cả khi VGS=0V các điện tử tự do dễ dàng di chuyển từ S đến D qua kênh n có sẳn, MOSFET dẫn .  Khi VDS tăng đến trị số lớn nhất định nào đó thì vùng hiếm ở cực D sẽ lan rộng làm nghẽn kênh cho sẳn  dòng ID tăng đến trị bão hoà IDSS , và điện thế thoát nguồn được gọi là điện thế nghẽn Vp như ở JFET. Ta xét 2 cụ thể trường hợp sau:
• Khi VGS
• Khi cho VGS > 0 Do số điện tử cảm ứng trong kênh bây giờ là các điện tử tự do nên dòng thoát càng tăng lên. Và khi tăng VDS lên ,do vùng hiếm ở cực D lan rộng ra nên kênh bị nghẽn cho dòng thoát bão hoà lớn hơn dòng IDSS khi VGS = 0V. Khi VGS càng dương dòng thoát ID càng tăng lớn hơn  DMOSFET hoạt động theo kiểu tăng. Nhưng tránh sử dụng khi có ID quá lớn sẽ làm hỏng linh kiện. Tóm lại: DMOSFET có 2 kiểu hoạt động kiểu tăng và kiểu hiếm tuỳ theo cách phân cực. Ở mỗi kiểu hoạt động ta áp dụng các công thức tương ứng.
3. 3. Đăc tuyến của DMOSFET a. Đặc tuyến ra ID = f ( VDS) b. Đặc tuyến truyền ID = f ( VGS)