Luận văn Thạc sĩ Vật lí: Khảo sát tính chất quang và điện của màng AlN được chế tạo bằng phương pháp phún xạ phản ứng DC

Chia sẻ: _ _ | Ngày: | Loại File: PDF | Số trang:63

Thêm vào BST

Báo xấu

28
lượt xem 6
download

Download Vui lòng tải xuống để xem tài liệu đầy đủ

Đề tài này tập trung vào việc khảo sát và chế tạo được màng AIN bằng phương pháp vật lý sử dụng phún xạ DC có phản ứng từ bia AI nguyên chất trong điều kiện thí nghiệm tại Phòng thí nghiệm trung tâm Nano và Năng lượng, Đại học Khoa học Tự nhiên Hà Nội. Để hiểu rõ hơn mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết của luận văn này.

Chủ đề:

Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

Lưu

Nội dung Text: Luận văn Thạc sĩ Vật lí: Khảo sát tính chất quang và điện của màng AlN được chế tạo bằng phương pháp phún xạ phản ứng DC

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC –––––––––––––––––––––– NGUYỄN THỊ KHÁNH LINH KHẢO SÁT TÍNH CHẤT QUANG VÀ ĐIỆN CỦA MÀNG AlN ĐƢỢC CHẾ TẠO BẰNG PHƢƠNG PHÁP PHÚN XẠ PHẢN ỨNG DC LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ Thái Nguyên - 2019
ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC –––––––––––––––––––––– NGUYỄN THỊ KHÁNH LINH KHẢO SÁT TÍNH CHẤT QUANG VÀ ĐIỆN CỦA MÀNG AlN ĐƢỢC CHẾ TẠO BẰNG PHƢƠNG PHÁP PHÚN XẠ PHẢN ỨNG DC Ngành: Quang học Mã số: 8.44.01.10 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: TS. ĐẶNG VĂN SƠN Thái Nguyên - 2019
ỜI CAM ĐOAN T i i g h ghi i g i h g h h TS Đ g V S i g ghi a g g h h g i h h h Nh g i h h i gi h h g h h ghi g h i i h h N h hi gi i i h h h hi n i g h Thái Nguyên ng th ng n m Họ vi i
ỜI CẢM ƠN T i g h h h h g g i h h h i ih h h TS Đ g V S - g ih g i i g h g N g g N ĐHKHTN - ĐHQG H N i i g Th Th h T T i g i i h V X H h g h V - g gh g ĐH Kh h ĐH Th i Ng h g g i i i h h h i g h ii
MỤC LỤC L I AM ĐOAN .............................................................................................. i L I M ƠN ................................................................................................... ii ANH M K HI U H VI T T T ..................................... v ANH M NG............................................................................... vi ANH M H NH H NH V NH H P Đ TH ..................... vii M ĐẦU .......................................................................................................... 1 CHƢƠNG 1: TỔNG QUAN........................................................................... 4 1.1. Hi u g i n ........................................................................................ 4 1.2. V t li i n .......................................................................................... 6 1.3. V t li i n không ch a chì................................................................. 8 1.4. Aluminium Nitride – Nhôm Nitride......................................................... 11 1.5. Ứng d ng c a hi u g i n ............................................................... 14 1.6. Ph ng pháp phún x ............................................................................... 17 CHƢƠNG 2: QUY TRÌNH VÀ THỰC NGHIỆM .................................... 19 2.1. Ti n hành ch t o màng m ng AlN bằng ph ng pháp phún x ph n ng DC ............................................................................................................ 19 2.1.1. Quy trình làm s h ........................................................................... 19 2.1.2. Lắ g ng màng m ng AlN bằng ph g h ng phún x ph n ng DC ............................................................................................................ 19 2.2. Các ph ng pháp kh o sát v t li u .......................................................... 20 2.2.1. Phổ truy n qua – h p th quang h c UV-Vis ....................................... 21 2 2 2 Phé hiễu x tia X – XRD.............................................................. 25 2 2 3 Phé R ..................................................................................... 27 2.2.4. Kính hi i i n t quét (SEM) ........................................................... 28 2.2.5. Phổ tán x g ng tia X – EDX ..................................................... 29 iii
2.2.6. Hi u ng Hall ........................................................................................ 30 CHƢƠNG 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN ............................................... 33 3.1. K t qu hổ nhiễu x tia X.................................................................. 33 3.1.1. Kh o sát s nh h ng c a áp su t ....................................................... 33 3.1.2. Kh o sát s nh h ng c a công su t ................................................... 35 3.1.3. Kh o sát s nh h ng c a n g khí N2 .......................................... 37 3.2. Tính ch t quang c a màng m ng AlN ..................................................... 38 3.2.1. Các k t qu hổ h p th UV-Vis ..................................................... 38 3.2.2. Các k t qu hổ truy n qua .............................................................. 41 3.2.3. K t qu hổ Raman .......................................................................... 43 3.3. K t qu S M X a màng m ng AlN ...................................... 44 3.3.1. nh SEM c a màng m ng AlN ............................................................ 44 3.3.2. K t qu phân tích EDX c a màng m ng AlN....................................... 45 3.4. Tính ch i n c a màng m ng AlN ........................................................ 46 KẾT LUẬN .................................................................................................... 47 TÀI LIỆU THAM KHẢO ............................................................................ 49 PHỤ ỤC ....................................................................................................... 52 iv
ANH MỤC CÁC HIỆU CÁC CH VIẾT TẮT MEMS Microelectromechanical systems (H i i nt ) AlN Aluminium nitride Ar Argon DC Direct current g i n 1 chi u) PZT Lead Zirconate Titanate (Chì Zeconi Titan Oxit _ PbZrTiO3) DI Deionized Water Ion – N c kh ion SEM Scanning Electron Microscope (Kính hi i i n t quét) XRD X-ray diffraction (Nhiễu x tia X) MFC Mass flow controller (B i u khi ng) EDS Energy dispersive spectroscopy (Phổ tán sắ g ng) FWHM Full Width at Half Maximum Đ bán r ng) v
ANH MỤC CÁC ẢNG B ng 1.1. Tính ch i n c a m t s v t li i n ................................ 11 B ng 1.2. Ư i m và nh i m c a m t s ph ng pháp lắ g ng màng m ng .................................................................................... 17 B ng 3.1. D li u chuẩn JCPDS (s 08-0262) c a AlN ................................. 35 vi
DANH MỤC CÁC H NH H NH V ẢNH CHỤP Đ THỊ Hình 1. 1. S mô t Hi u g i n .............................................................................. 5 Hình 1.2. Hi u g i n trong tinh th th ch anh ............................................................. 6 Hình 1.3. Ô m ng c a g i n không ch a chì có c u trúc peroveskite ....................... 8 Hình 1.4. Ô m ng c s ki u l p ph ng c a PZT trên nhi Curie (1). Ô m ng c s ki u t ph ng b bi n d ng d i nhi Curie (2) ........................... 9 Hình 1.5. C ch i n c a ZnO. A) Mô hình nguyên t c a ZnO có c u trúc W zi e Đi n th Piezo khác nhau trong các tr ng h p l c tác d ng là kéo dãn hay nén. C) Tính toán s l ng phân b i n th i n trong dây nano ZnO d i d ng bi n d ng tr c c. D) C ú g g ng. ... 10 Hình 1.6. (a) C u trúc tinh th ; (b) Liên k t B1 và B2; (c) C u trúc tinh th v i liên k t B1 và B2; và (d) Các m t phẳng khác nhau c a AlN....................................... 12 Hình 1.7. C ú g g ng c a AlN ..................................................................... 13 H h 18 N g ng có th h c t c th ng i khi ho ng, nh ng con s cl ng trung bình. ...................................................................................... 14 Hình 1.9. C u trúc thi t b chuy ổi i g g i n d ng cantilever g d ng 2 l i n và b) s d ng m t l i n [26] ........... 16 Hình 1.8. C ú h g ng cỡ mm g m 2 l PZT c bẻ cong và c y vào gót gi y. .......................................................................................................... 16 Hình 1.9. Nguyên lý c a quá trình phún x ......................................................................... 18 Hình 2.1. S nguyên lý phún x ph n ng DC ............................................................... 20 Hình 2.2 a) Máy quang phổ h p th m t chùm tia, b) Máy quang phổ h p th hai chùm tia ........................................................................................................... 22 Hình 2.3. S hổ h p th ........................................................................................... 22 Hình 2.4. Ph g h T P h r ng vùng c m ........................................... 24 c a v t li u bán d n ............................................................................................................. 24 Hình 2.5. M g hổ h p th UV-Vis UV 2450 t i Trung tâm Khoa h c V t li u – Đ i h c Khoa h c T nhiên Hà N i ..................................................... 25 Hình 2.6. Minh h nh lu t Vulf-Bragg ........................................................................... 26 Hình 2.7. H XRD D8 Advance–Bruker t i Đ i h c Khoa h c T nhiên Hà N i .............. 26 Hình 2.8. Kính hi i i n t quét (SEM), vi n tiên ti n Khoa h c và Công ngh - tr g Đ i h c Bách Khoa Hà N i ................................................................. 29 vii
Hình 2.9. S hé hi u ng Hall ............................................................................... 31 Hình 3.1. Phổ nhiễu x tia X c a màng m ng AlN v i áp su t t 6.10-3 n 1,5.10-3 Torr.................................................................................................................. 33 Hình 3.2. (a) FWHM c nh AlN (002) và (b) kích th c tinh th AlN c a các màng m gAN c lắ g ng v i các áp su t phún x khác nhau ............ 34 Hình 3.3. Phổ XRD c a màng m ng AlN v i i u ki n công su h ổi ....................... 36 Hình 3.4. (a) FWHM c nh AlN (002) và (b) kích th c tinh th AlN c a các màng m gAN c lắ g ng v i các công su t phún x khác nhau .................. 37 Hình 3.5. Phổ XRD c a màng m ng AlN v i i u ki n n g khí N2 23% và 33% ...... 38 Hình 3.6. Phổ h p th c a màng m ng AlN v i công su h ổi t 60W n 120W ..... 38 Hình 3.7. Phổ h p th c a màng m ng AlN v i i u ki n áp su h ổi ........................ 40 Hình 3.8. Phổ h p th c a màng m ng AlN v i n g N2 h ổi ................................ 40 Hình 3.8 . Phổ truy n qua c a màng m ng AlN v i công su t ngu h ổi t 60W n 120W ............................................................................................... 41 Hình 3.9. Phổ truy n qua c a màng m ng AlN có áp su h ổi t 6 n 7,510-3 Torr ......... 42 Hình 3.10. Phổ truy n qua c a màng m ng AlN có n g khí N2 h ổi t 23% và 33% ................................................................................................... 42 Hình 3.11. Phổ Raman c a màng m ng AlN lắ g g silicon .............................. 43 Hình 3.12. nh SEM b m t c a màng m ng AlN ............................................................. 44 H h 3 13 Đ dày c a màng m ng AlN phún x công su t khác nhau. (a) 60W, (b) 80W, (c) 100W và (d) 120W .......................................................................... 44 Hình 3.14. S ph thu c c dày màng m ng AlN v i công su t phún x .................... 45 Hình 3.15. Phổ EDS c a màng m ng AlN i u ki n phún v i công su t 100W, th i gian phún x 60 phút và áp su t phún x 6.10-3 Torr ...................................... 46 viii
M ĐẦU Lý do chọ đề tài Th i gian g t li i c quan tâm nghiên c u r t nhi u trên th gi i và t i Vi t Nam [1] b i nh ng tính ch c bi t c a nó có th áp d ng trong vi c ch t o sensor siêu âm, ch t o thi t b chuy ổi g ng - i n [1]. Tuy nhiên, các v t li i h g h g h ng d ng g m phù h p cho v t li u kh i h PZT TO… h ch t o thành d ng màng m g ph c v cho các ng d ng d g g h e h hi t b micro MEMS. Trong s các v t li i nm i c th nghi h Z Oh AN h AN hú ý h b ih s i nv c bi t vi c ch t o màng AlN không quá khó, ngoài ra màng m ng AlN còn th hi n tính bán d n vùng c m r ng r t phù h p cho các ng d ng quang h i n [1]. Mụ đí h - Ch t ge i AN Si h y tinh v i i u ki n t i : Nhi ,n g khí N2, công su t ngu n 1 chi u - Kh o sát s ph thu c c a các tính ch g i n c a màng AlN i u ki n ch t o . Đối tƣợng Các g i n không chì d ng AlN Si d ng epitaxy ho c d ng c gAN th y tinh. Phƣơ g pháp Các l i n sẽ c phún x v i dày cỡ t 1 µ n 2 µm v i các i u ki h h h t, công su t ge i h g tinh th Si. Ti he g p sẽ c ch t o v i g i u ki ct i h c trên. Kh o sát sau khi ch t o m u + C u trúc: 1
• X-ray: Kh o sát c u trúc tinh th c a màng • SEM: Kh o sát b m t c a màng + Tính ch g: Đ hổ truy n qua, phổ h p th , phổ tán x Raman + Tính ch i n: • Đ d i n [2]: Đ d i i n tr su t c a màng khi công su t ngu n 1 chi u l t là 60W, 80W, 100W và 120W • Đ i n tr su t c a màng m ng [2]: Ph g h 4 i • Phé H g h t t i và lo i bán d n. Nội dung Đ tài này sẽ t p trung vào vi c kh o sát và ch t c màng AlN bằng h g h t lý s d ng phún x DC có ph n ng t bia Al nguyên ch t g i u ki n thí nghi m t i Phòng thí nghi m trung tâm N N g ng (NEC) Đ i h c Khoa h c T nhiên Hà N i. S d g h g h hú v i v t li i A h h A h g h hú 1 chi u DC. Trong ch t o màng AlN, ph n ng phún x h g h ắ g gh i t lí v i vi c bổ sung ph n ng khí trong bu ng phún x tổng h p các màng ghép. M t s k t h p c h (Ar) và khí ph n g im tt l c ki m soát b i b i u khi ng (MFC). K t qu là màng m g c t o ra thông qua m t hóa ch t ph n ng. Al ph n ng v i khí N2 t o thành các c m Nhôm nitrit và bám dính trên b m [3]. - Kh o sát c u trúc màng AlN ph thu c n g N2 t 23 - 33%, công su t ngu n 1 chi u t 60 - 120 W - Kh o sát tính ch i n. - Kh o sát tính ch t quang. Ý ghĩa đề tài Khi h h h g gAN h h h g ẽ i i h h ghi i he 2
M gAN ẽ g h g i g hi h ổi M MS M g A N ge i h ẽ g h i gi hi h i công su g g ghi c công b h g a trên các v t li u không chì. 3
CHƢƠNG 1: TỔNG QUAN Trong nh g g hi t b i n t có th e c, hay thi t b theo dõi s c kh e có th c g i là nh ng thi t b c r t nhi u hãng i n t l n nghiên c h g h S g A e Mi fi … Đ i v i các thi t b theo s c kh e có th c g i thì vi h i i ug n h h g h , vì th các nghiên c u v thi t b chuy ổi g ng t g g i g i h h ii e h i e g g u hi h c bi t trong các th p kỷ g [4,5]. T g ghi u chuy ổi t g g h g i g hú ý h [5,6], d a trên các hi u g h hi u g i n t [7] hay hi u g i n [8]. Tuy nhiên, các thi t b chuy ổi g ng d a trên hi u g i n c nghiên c u nhi h b is gi n trong c ú g h ễ ng d ng trong s n xu t công nghi p. Các v t li c s d ng trong các thi t b chuy ổi g ng h g c nghiên c u là PZT (PbZrTiO3) b i hi u g i n l n và v t li u gi n. Tuy nhiên trong PZT có kim lo i h P h ng gây lo ng i cho g i dùng v m an toàn khi s d g i c nghiên c u các v t li u m i không chì ng d ng vào các thi t b chuy ổi g ng d a vào c u ú M M g g c phát tri n. 1.1. Hiệu ứ g áp điện Hi u g i n là hi u ng quan sát th y m t s lo i v t li h ng d ng g m ho i h h , có kh g i n th khi ch ng c a m t ng su h g c l i. Hi u g c Jacques và Pierre Curies phát hi n l u tiên vào nh g 1880 [9]. Hi i n th c tỷ l thu n v i l c tác d ng và có th nh n giá tr âm ho g h thu c vào l ng lên nó là l c kéo dãn hay l c nén. Hi u ng này g i là hi u g i n thu n. M hi u g i n g i Gabriel Lippmann, ông phát hi hi tm tv t li i n vào trong m i g t i n th h h h c c a v t li u h ổi, có th kéo dài ra ho c co ngắn l i tùy thu c vào chi u c i ng 4
[10] h h h 1 1 Đ n nh g a th kỷ 20 g i ta nh n th y rằng trong 32 l p tinh th thì có t i 20 l p tinh th nh là có kh g t o ra hi u g i n. Các tinh th u là h tinh th h g i x ng [11]. Hi u g i i n s xu t hi n c e ỡng c c bên trong v t li u. Ở i u ki h h g i h i h g trong tinh th c a v t li i c sắp x i x ng và tri t tiêu l n nhau làm cho v t li u luôn tr g h i gh Nh i t, m t h h i i n tích i l n bằ g h h g i c g i là m ỡng c i n. B t k m t tinh th g u ch ỡng c i n song song v i nhau và hh ng ng hi Đ t o ra s phân c c trong m t tinh th c nh h ng các domen bằng cách phân c h hú g Đ i n m i g g i hh g e he h g i g c Khi ng l c lên tinh th thì tính i x ng c a tinh th sẽ b m i m t ph i n tích không còn tri i h h cn t o thành s phân c i n tích âm – g các m t tinh th i di n nhau. Có th th y, tính ch i n v i thu c tính tenx c a v t li u ph thu c vào thành ph n, c u trúc và vi c u trúc c a v t li u nghiên c u, Nói cách khác, vi c tổng h p v t li i n có hh ng l n phẩm ch t áp i n c a v t li u [10]. Hình 1. 1 S mô t Hi u g i n 5
Trong m t s v t li u không d i n (tinh th , g e h g i x ng tâm, m g i n phân c c có th c t o ra b i tác d ng c a m t ng su h c– i n: P= σ – Hi u ng tr c ti p ɛ = d. E – Hi u g g c T g P: phân c c (pC/m2) σ: ng su t (N/m2) ɛ: s g d: h s i n (pC/N ho c m/V) 1.2. Vật liệu áp điện Hi g i nl i c phát hi n trong các tinh th t nhiên h h h h i h g h n ngày nay, càng ngày càng có nhi u tinh th và g m nhân t o có tính ch i n. Hi u g i c s d ng l u tiên trong các thi t b siêu âm, v i các tinh th t hi c s d ng làm v t li i n, c th là các tinh th th ch anh m g h h 1 2 cs d g làm b bi ổi g i n trong các máy phát hi n tàu ng m trong chi n tranh th gi i th nh t. Chính thành t húc ẩy quá trình nghiên c u v t li i n và g i m nhi u kh g ng d ng c a chúng. Hình 1.2. Hi u g i n trong tinh th th ch anh [12] 6
Trong chi n tranh th gi i th II, v t li u sắ i c phát hi n và hi n ng sắ i Fe ee i i t c ti n l n cho ngành tổng h p v t li i n khi mà l u tiên có th t cg i i h h . V t li u sắ i n có kh g h i n t phát mà chi u c a phân c i n có th b g cb im i g g i Đi u này cho phép tổng h p g i h h bao g m m ng l i h h Th g h ng, g i h g h c g e h h ng ng hi không có các tính ch i n. N u t n t i hi ng phân c i n t phát thì e c sắp x hh ng song song và trong m u g m sẽ có s phân c c theo m h g h g t li i h h . Tính phân c i n t phát c a v t li u sắ i nh thông qua giá tr m c e ỡng c c trong m i th tích ho c giá tr i n tích trên m i di n tích b m t vuông góc v i tr c phân c c t phát hi i ng bên ngoài. Tính phân c i n t phát ph thu c vào nhi do khi nhi g d n các chuy ng nhi g hi n các momen ỡng c i nb m td ns hh ng. S phân c i n t phát gi m d n và bi n m t hoàn toàn khi nhi g n m t giá tr h thu c vào t ng lo i v t li u - nhi này g i là nhi Curie [13]. Đi r ng ph m vi phát tri n c a v t li i n. Và không g i c tổng h p v i các tính ch i t d n d n thay th cho các tinh th t hi i T g i g m có c u trúc perovskit d c s d ng r ng rãi. Các g i h h này có nhi i h th con có c u trúc tinh th ng hình v i c u trúc tinh th c a canxi titanat (hay c g i là ki u c u trúc perovskite – h h 1 3 Đi ghĩ ằng chúng t n t i hai tr ng thái tinh th : Ở trên nhi Curie, chúng t n t i d ng c u trúc l h g gi h g e ỡng c c. Ở i nhi Curie sẽ x y ra s chuy n d ng thành c u trúc t h g hi e ỡng c c t e i n. Ở tr ng thái t h g h g m có tính ch i hi e i c sắp x p song song. 7
Hình 1.3. Ô m ng c a g i n không ch a chì có c u trúc peroveskite [14] 1.3. Vật liệu áp điện không chứa chì V t li u PZT là v t li i c s d ng phổ bi n. Tuy nhiên, nguy g h it i i ng và s c kh e g i c a kim lo i chì và chì trong các thi t b i c c nh báo và ki m ch ng. PZT ch a t i 60% kh i ng là chì - nguyên t kim lo i n g c h i [15]. Vi c s d ng PZT ngày càng nhi u do s phát tri n c a khoa h c và kỹ thu t d nm ng l n chì oxit và chì ziriconi titanat b rò r i ng ngày càng nhi he g i c a v t li Đi u này x y ra trong quá trình nung, thiêu k hi h i trong h n h i ub h i Q h gi g h i h và x lý các thi t b có v t li u ch h thành m i c bi t l n khi mà hi hú g c s d ng nhi u trong khắp các s n phẩm y t và tiêu dùng. Hi n nay, liên minh châu Â h “h n ch ch c h i ” (Restriction of Hazardous Substances Directive - RoHS) có hi u l 2006 [16] g h n ch nghiêm ng t vi c s d ng chì trong m t lo t các thi t b i n t . Đi gây hh ng l g h ĩ hu i n, t ng l c hú ẩy các nghiên c u v g i n không ch a chì thân thi n v i môi ng. Bên c h g i h h i ng và s c kh e, các nghiên c u h g n yêu c u c a các thi t b i ns d g g i ng riêng bi t chẳng h h h ng nhi cao và s d ng trong y sinh h c. Vi c c y các c m bi n và b d ch chuy n tinh vi bên trong các mô s g c c bi t b i t m quan tr ng trong vi c theo dõi, chẩ h a tr c hú g ĩ hi làm i u này, các nhà khoa h c ph i gi i quy t 8
cv c v t li i n không ch h h g c h i và có phẩm ch i g gh ct h PZT H h 1 4 c u trúc phổ bi n c a v t li u PZT. Hình 1.4. Ô m g ki u l h g a PZT trên nhi Curie (1). Ô m g ki u t h g bi n d ng i nhi Curie (2) [17] Trong s các v t li i n không ch h c nghiên c u thì có nhi u v t li u có tính ch i n g i y u (ví d LiNbO3- h g ng c yêu c u tr thành v t li i n t t) [16]. Các nghiên c u v g i n không ch a chì ch y u t p trung vào g i n có c u trúc perovskit do có nó có c ú gi n v i công th c chung là ABO3. Tuy nhiên vi c ch t o các g i n khá ph c t p và khó làm d ng màng m ng. Nên vi c nghiên c tìm ra các lo i v t li u có hi u g i n l g h ễ ch t o là m t vi c h t s c c n thi Z O g c coi là m t ng viên ti g i ZnO có giá thành rẻ và dễ ch t o v i nhi u công ngh khác nhau. Trong các thi t b chuy ổi g ng, ZnO d ng c c nghiên c u và ng d ng thành công tuy nhiên hi u su h [18]. Hình 1.5 mô t h i n c a v t li u ZnO. 9
Hình 1.5 h i n c a ZnO. A) Mô hình nguyên t c a ZnO có c ú W zi e Đi n th Piez h h g ng h p l c tác d ng là kéo dãn hay nén. C) Tính toán s ng phân b i n th i n trong dây nano Z O i d ng bi n d ng tr c c. D) C ú g g ng. [18] AlN và GaN là nh ng v t li u bắ c th nghi h h y kh g a chúng trong các thi t b chuy ổi g ng. Tuy hi u su t còn h h g t li u hoàn toàn g h h i công ngh Si hi n t i. Trong các thi t b i i nt c bi t là các b c g h ng MEMs thì hi u su t c a chúng ph thu c vào ch ng c g i c bi t là tính ch i n c a màng m ng. V t li AN g c yêu c u này do tính ch i nt tc hú g h a là kh g g h h i các công ngh i i n t khác. B ng 1.1 so sánh tính ch i n c a m t s v t li u áp i g c nghiên c u hi n nay. 10