
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN
14
lượt xem 4
download
lượt xem 4
download

Mục tiêu của đề tài "Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN" là nghiên cứu mật độ hấp thụ tích hợp của điện tử trong giếng lượng tử GaN/AIN ứng với cơ chế tán xạ nhám bề mặt phân cực, có tính đến ảnh hưởng của tất cả các nguồn giam giữ có thể.
Chủ đề:
Bình luận(0) Đăng nhập để gửi bình luận!

CÓ THỂ BẠN MUỐN DOWNLOAD