Thiết kế bộ khuếch đại thuật toán RF dải tần 200 MHz trên công nghệ CMOS

Kỹ thuật điện tử<br /> <br /> THIẾT KẾ BỘ KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN<br /> RF DẢI TẦN 200 MHz TRÊN CÔNG NGHỆ CMOS<br /> Trần Việt Hải1*, Nguyễn Văn Khôi1, Nguyễn Trần Duy2<br /> <br /> Tóm tắt: Bộ khuếch đại thuật toán (OPAMP) thường sử dụng với tần số thấp. Bài<br /> báo này đề xuất một giải pháp thiết kế cho bộ khuếch đại OPAMP cho dải tần đến<br /> 200MHz sử dụng công nghệ CMOS. Các kết quả mô phỏng cho thấy băng thông có thể<br /> lớn hơn cho phép ứng dụng cho các máy thu phát RF.<br /> Từ khóa: Khuếch đại thuật toán, Công nghệ CMOS, Máy thu phát RF.<br /> <br /> 1. ĐẶT VẤN ĐỀ<br /> Hiện tại, do yêu cầu về kích thước, tần số, tốc độ và mức độ tích hợp, trong nền<br /> công nghiệp Silicon có nhiều công nghệ vật liệu mới. Các bộ khuếch đại RF có<br /> thiên hướng sử dụng các công nghệ mới, mặc dù vậy, công nghệ CMOS<br /> (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) vẫn được chú trọng cho các thiết kế<br /> RF tại thời điểm hiện nay vì ưu thế giá thành thấp và các ưu thế tiềm năng khác[1].<br /> Các đặc tính của CMOS là các đặc tính căn bản phù hợp với bộ khuếch đại<br /> thuật toán OPAMP như trở kháng lối vào lớn, trở kháng lối ra nhỏ, dễ dàng phối<br /> hợp trở kháng, tạp âm thấp, khả năng triệt nhiễu cao và có hệ số khuếch đại lớn khi<br /> cấu thành các mạch khuếch đại vi sai và khuếch đại xếp chồng (Cascode). Nguồn<br /> nuôi CMOS có thể sử dụng dải rộng, tiêu thụ năng lượng thấp. Khi chế tạo mạch<br /> tương tự (Analog) trên công nghệ CMOS có thể thiết kế với độ tích hợp cao, chế<br /> tạo mạch với kích thước nhỏ [1][2].<br /> Các tham số chính của bộ khuếch đại bao gồm: Hệ số khuếch đại (HSKĐ); Độ<br /> tuyến tính; Trở kháng vào, ra; Độ biến đổi của điện áp (Voltage swings); Điện áp<br /> cung cấp; Nhiễu; Năng lượng tiêu hao; và Tốc độ. Trong thực tế hầu hết các tham<br /> số có mối quan hệ tương tác qua lại với nhau, cho nên trong mỗi thiết kế chúng ta<br /> cần lựa chọn một giải pháp thỏa hiệp phù hợp [3]. Để đạt được các đặc tính tổng<br /> thể theo yêu cầu, các thiết kế thường ghép nối các kiểu khuếch đại khác nhau. Đối<br /> với các ứng dụng khuếch đại, yêu cầu chi phối trước là trở kháng vào cao, HSKĐ<br /> lớn, trở kháng ra thấp.<br /> Sơ đồ khối của một OPAMP hai tầng với bộ đệm đầu ra được đưa ra trong Hình<br /> . Tầng đầu tiên là một bộ khuếch đại vi sai. Tầng tiếp theo là một tầng khuếch đại<br /> khác, có thể là bộ khuếch đại cực nguồn chung. Tầng cuối cùng là bộ đệm đầu ra.<br /> Nếu bộ OPAMP được cấp cho tải thuần dung nhỏ, như trong các ứng dụng chuyển<br /> đổi dữ liệu hoặc chuyển mạch tụ điện thì tầng đệm đầu ra là không cần thiết. Trong<br /> trường hợp OPAMP cấp cho tải điện trở hoặc tải có tính dung lớn thì cần có tầng<br /> đầu ra.<br /> Thiết kế một bộ OPAMP bao gồm việc xác định các chỉ tiêu tham số, lựa chọn<br /> kích thước phần tử, các điều kiện thiên áp, bù nhằm đạt được sự ổn định, mô<br /> <br /> <br /> 80 Tr.V.Hải, N.V. Khôi, N.Tr. Duy, “Thiết kế bộ khuếch đại …. trên công nghệ CMOS.”<br /> Nghiên cứu khoa học công nghệ<br /> <br /> phỏng và tham số hóa độ lợi mạch hở, phạm vi dải đầu vào CMR, tỉ lệ triệt tiêu tín<br /> hiệu đồng thời CMRR, tỉ lệ triệt tiêu biến thiên nguồn cung cấp PSRR, dải điện áp<br /> đầu ra, và công suất tiêu hao [4].<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 1. Sơ đồ khối của một op-amp 2 tầng với bộ đệm đầu ra[4].<br /> Trên cơ sở đó trong phần sau, chúng ta xây dựng một bộ OPAMP hoàn chỉnh<br /> cho bài toán đặt ra thiết kế bộ OPAMP hai tầng với bộ đệm đầu ra dải tần 200<br /> MHz trên công nghệ CMOS với các chỉ tiêu kỹ thuật như sau:<br /> 1) HSKĐ: 24 dB<br /> 2) Dải tần đầu vào: 100 - 200 MHz<br /> 3) Dải điện áp đầu vào: 450 ÷ 900 mV<br /> 4) Băng thông 3-dB: 100 MHz<br /> <br /> 2. TÍNH TOÁN THIẾT KẾ BỘ KHUẾCH ĐẠI OPAMP<br /> 2.1. Bộ Op-amp 2 tầng đơn giản[3][4]<br /> Sơ đồ nguyên lý mạch OPAMP hai tầng cơ bản như sau (hình 2):<br /> - Tầng khuếch đại vi sai dùng các transistor NMOS (M1,2), được thiên áp bởi<br /> tầng khuếch đại kiểu cực nguồn chung.<br /> - Tầng khuếch đại dùng PMOS mắc kiểu cực nguồn chung (M7)<br /> Ngoài ra, ở đây có thêm mạng các phần tử thụ động gồm tụ bù hiệu ứng Miller<br /> CC và điện trở zero-nulling Rz (mắc điện trở này vào sẽ kéo điểm “Zero” về gốc tọa<br /> độ cực).<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 2. Mạch OPAMP hai tầng cơ bản [4].<br /> 2.1.1. HSKĐ mạch hở AOLDC<br /> HSKĐ này được tính bằng tích HSKĐ của các tầng trong cấu trúc của nó theo<br /> công thức sau:<br /> <br /> <br /> Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san Viện Điện tử, 10 - 2015 81<br />  Kỹ thuật điện tử<br /> <br /> AOLDC  A1. A2   g m .ron  rop . g m .rop  (1)<br /> Trong đó điện trở ra của tầng tải nguồn dòng M8 mắc cascode được giả thiết lớn<br /> hơn rất nhiều so với điện trở ra của bóng khuếch đại kiểu cực nguồn chung M7 là<br /> rop . Khi đó ứng dụng Bảng 9.2 trong [4] ta tính được AOLDC  832V / V<br /> <br /> 2.1.2. Tính toán đáp ứng tần số mạch hở<br /> Để tính toán đáp ứng tần số mạch hở của OPAMP, ta thêm vào các tải điện<br /> dung. và tính toán các cực trị. Tham khảo bảng 9.2 trong [4], ta có các công thức:<br /> R1  ron  rop  111k <br /> R2  rop  Rocasn  rop  333k <br /> g m1  g mn  150 A / V<br /> (2)<br /> g m 2  g mp  150  A / V<br /> C1  Cdg 4  C gd 2  C gs 7  13.6 fF<br /> C2  CL  C gd 8  CL  1.56 fF <br /> Tính toán đáp ứng mạch hở với một tải và tụ bù có giá trị 100fF, tức là<br /> CL  CC  100 fF . Điểm nút 1 được tính theo công thức (3):<br /> 1<br /> f1   287 kHz (3)<br /> 2 .g m 2 .R1.R2 .CC<br /> Điểm cực nút 2 (nút đầu ra) tính theo công thức (4):<br /> g m 2 .C2<br /> f2   210 MHz (4)<br /> 2 .CC .C1  C1.C2  CC .C2 <br /> Điểm zero được xác định theo công thức (5) dưới đây và có giá trị 240 MHz, rất<br /> gần điểm cực thứ hai.<br /> gm2<br /> fZ   240 MHz (5)<br /> 2 .CC<br /> 2.1.3. Tính toán đáp ứng tần số của mạch kín<br /> Đáp ứng tần số mạch kín có thể được biểu diễn bằng cách sử dụng đáp ứng<br /> điểm cực chủ yếu (dominant-pole) (với ADC = AOLDC) theo công thức sau:<br />  f <br /> AOL  f   AOLDC / 1  j.  (6)<br />  f 3dB <br /> Để tính băng thông của mạch OPAMP có phản hồi kín ở đây f >> f3dB, ta có:<br /> AOLDC A .f f<br /> AOL  f    OLDC 3dB  un (7)<br /> f / f 3dB f f<br /> Từ công thức này ta có thể thấy tại sao tần số khuếch đại đơn vị fun  AOLDC . f3dB<br /> được gọi là độ rộng băng tần khuếch đại của sản phẩm GBP. Thấy rằng, cứ tần số<br /> tăng 10 (decade) so với f3dB thì AOL giảm đi 10 (-20dB). Băng thông mạch kín (gọi<br /> là f3dBCL) của mạch OPAMP không thể lớn hơn băng thông mạch hở của OPAMP<br /> f3dBOL (tức là f3dBCL f3dBOL). Do đó, để tính băng thông của một mạch opamp kín,<br /> ta coi tương đương fun  AOLDC . f3dBCL .<br /> <br /> <br /> 82 Tr.V.Hải, N.V. Khôi, N.Tr. Duy, “Thiết kế bộ khuếch đại …. trên công nghệ CMOS.”<br /> Nghiên cứu khoa học công nghệ<br /> <br /> 2.2. Thực hiện các kỹ thuật thiết kế bù khử và ổn định<br /> *Loại bỏ điểm không<br /> Điểm không ở bên phải mặt phẳng tọa độ cực của hàm truyền có thể gây ra các<br /> nguy cơ mất ổn định và thời gian ổn định. Có thể thêm điện trở RZ để loại bỏ (khi<br /> RZ = 1/gm1) hoặc di chuyển điểm không về phía trái tọa độ cực (RZ > 1/gm1). Khi<br /> điểm không được di chuyển sang bên trái mặt phẳng tọa độ cực, đáp ứng pha của<br /> điểm không này được cộng vào tổng đáp ứng pha của toàn mạch làm tăng biên pha<br /> (kỹ thuật này được gọi là kỹ thuật bù trước – lead compensation). Một giải pháp<br /> cho vấn đề này là thay thế điện trở bởi một MOSFET hoạt động trong vùng triode.<br /> Một bộ khuếch đại cực góp lặp lại sẽ cho phép phản hồi tín hiệu ra trở lại đầu vào<br /> qua tụ bù (do vậy mà hiệu ứng tách cực - pole splitting được thực thi).<br /> * Tỷ lệ triệt tín hiệu đồng thời (CMRR)<br /> HSKĐ đồng pha của mạch khuếch đại vi sai là AC . HSKĐ đồng pha của<br /> OPAMP là AC . A2 . Khi đó:<br /> AOL ( f ) A<br /> CMRR  20.log  20.log d (8)<br /> AC . A2 AC<br /> Công thức này nói lên rằng CMRR của OPAMP được xác định bởi tầng vi sai.<br /> Ta có thể xem AC như là HSKĐ mạch hở của OPAMP đối với các tín hiệu đồng<br /> pha. Nếu điện áp vi sai đưa vào bằng 0 và ta thay đổi điện áp đồng pha một lượng<br /> VC thì điện áp đầu ra sẽ thay đổi một lượng VO = AcmVC. Để bù cho lượng<br /> thay đổi điện áp ra này thì cần đưa vào một lượng điện áp vi sai trên đầu vào của<br /> OPAMP (là một điện áp offset được tính theo một hàm của giá trị điện áp đồng<br /> pha). Điện áp offset này có thể được tính theo công thức:<br /> VO VC . Acm VC<br /> VOS    (9)<br /> AOL AOL CMRR<br /> Với tần số thấp điện áp này có thể là cũng không phải vấn đề lớn. Tuy nhiên khi<br /> làm việc ở tần số cao, thì tham số CMRR sẽ bị kém đi (CMRR tăng lên), và điều<br /> này tương đương với việc hệ số Ac tăng lên dẫn tới hiện tượng méo và bắt buộc<br /> phải sử sụng các kiến trúc OPAMP có tham số điện áp đồng pha cố định. Tức là<br /> thêm một nguồn dòng để cố định.<br /> *Tỷ lệ triệt tiêu biến thiên nguồn cấp (PSRR- Power Supply Rejection Ratio)<br /> Phương pháp bù gián tiếp sử dụng được cho OPAMP có thể được thiết kế để có<br /> f un lớn hơn và do đó có tham số PSRR tốt hơn khi hoạt động ở tần số cao. Dùng<br /> tầng cực cổng chung tại đầu ra thậm chí có thể cho kết quả tham số PSRR cao hơn<br /> bằng cách thêm cách ly tụ bù khỏi nguồn cấp.<br /> *Phương pháp bù cho OPAMP<br /> Ta đã thực hiện tăng HSKĐ của tầng thứ nhất bằng cách tăng R1 (điện trở tại<br /> nút 1 bây giờ được xác định bởi các nguồn dòng mắc cascode), thì điểm cực thứ<br /> nhất được đẩy về miền tần số thấp hơn.<br /> <br /> <br /> Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san Viện Điện tử, 10 - 2015 83<br />  Kỹ thuật điện tử<br /> <br /> <br /> ron  rop <br /> A2  10.( g mn  g mp ).  31.6V / V (10)<br /> 10<br /> Khi đó việc f1 (=f3dB) bị giảm và việc tăng HSKĐ một chiều không có ảnh<br /> hưởng tới fun (GBP) của OPAMP. Tức là ta vẫn có thể thực hiện việc bù cho<br /> OPAMP với một tụ bù. Để cấp dòng bù gián tiếp này tới nút ta thực hiện nối tụ bù<br /> này với cực nguồn của M2T.<br /> 2.3. Thiết kế bộ OPAMP hoàn chỉnh có tầng đệm đầu ra<br /> Trong mục trước thì HSKĐ một chiều của OPAMP mạch hở được xác định bởi<br /> tích của HSKĐ tầng vi sai A1 và HSKĐ tầng cực cổng chung A2, tức là:<br /> AOLDC  A1. A2   g m .ro 2  ro 4 . g m .ro 7   1000 (11)<br /> Điện trở đầu ra đối với tín hiệu nhỏ, ro7 là 333k (từ bảng 9.2). Nếu ta kết nối<br /> đầu ra với một điện trở 10k thì AOLDC sẽ suy giảm xuống chỉ còn 33. Ta có thể<br /> thêm một tầng đệm ở đầu ra tầng thứ 2 để cách ly đầu ra này với điện trở tải (hoặc<br /> là tụ điện lớn).<br /> Ta có thể dùng bộ khuếch đại cực góp lặp lại hoặc một cấu trúc đẩy kéo cho<br /> tầng đệm đầu ra. Tuy nhiên, HSKĐ của tầng đẩy kéo lớn hơn 1, do đó nếu ta thêm<br /> mạch này vào mạch opamp cơ bản, ta sẽ có một mạch OPAMP 3 tầng (tức là cả 3<br /> tầng đều có HSKĐ >1). Một mạch khuếch đại OPAMP 3 tầng thì gặp những khó<br /> khăn trong việc bù, hiệu chỉnh và bù nhiệt. Đồng thời một điện trở tải nhỏ cỡ kΩ sẽ<br /> vẫn làm suy giảm HSKĐ của tầng đẩy kéo. Để đảm bảo giữ nguyên HSKĐ, ta thiết<br /> kế HSKĐ tầng 1 lớn (tăng A1) trong khi dùng khuếch đại đẩy kéo cho tầng thứ hai.<br /> HSKĐ của tầng thứ hai có thể bị giảm vẫn đạt được HSKĐ tổng cộng ở giá trị<br /> mong muốn. HSKĐ của tầng khuếch đại thứ 2 theo (10) phụ thuộc vào điện trở tải<br /> và đạt -31.6 V/V, khi đó HSKĐ DC tổng của mạch là AOLDC = 15800 (=84 dB).<br /> Cuối cùng, dựa vào những phân tích trên, chúng tôi đề xuất bộ khuếch đại<br /> OPAMP với sơ đồ mạch thực thi được cho trong hình 3.<br /> 3. KẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ PHÂN TÍCH<br /> <br /> Sử dụng phần mềm LT-SPICE thực hiện mô phỏng để kiểm chứng các kết quả<br /> tính toán bên trên. Trên cơ sở đó hiệu chỉnh các tham số của các phần tử, cũng như<br /> bổ sung các chức năng cần thiết khác để giúp cải thiện các chỉ tiêu kỹ thuật cần đạt<br /> được.<br /> 3.1. Mô phỏng điểm làm việc DC<br /> Ở đây chúng ta sẽ đi mô phỏng phân tích điểm làm việc DC của mạch. Kết quả<br /> mô phỏng đạt được như cho trong Bảng 1 dưới đây. Xem xét các giá trị điện áp<br /> nguồn cung cấp, cũng như các giá trị điện áp thiên áp cho các transistors.<br /> Transistor M6T, M6B tạo ra nguồn dòng cho cặp vi sai đầu vào M1,2 với giá trị<br /> Id(M6B) = 101.18 μA. Ngoài ra, các điện áp một chiều đặt vào các cực của các<br /> transistor đều đảm bảo chúng hoạt động trong vùng bão hòa. Ví dụ, đối với M6T:<br /> <br /> <br /> <br /> 84 Tr.V.Hải, N.V. Khôi, N.Tr. Duy, “Thiết kế bộ khuếch đại …. trên công nghệ CMOS.”<br /> Nghiên cứu khoa học công nghệ<br /> <br /> VGS(M6T) = 543.66–62.51=481.15mV; VDS(M6T) = 76.08–62.51=13.57mV, thỏa<br /> mãn điều kiện: VGS > VTHn và VDS > VGS – VTHn. Tương tự như vậy ta kiểm tra lần<br /> lượt cho tất cả các transistor trong mạch.<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 3. Sơ đồ nguyên lý bộ KĐTT đề xuất.<br /> <br /> Bảng 1. Kết quả mô phỏng điểm làm việc DC.<br /> V(vin): 0.5 voltage<br /> V(vm): 0.5 voltage<br /> …… V(m8b#dbody): 1.35549e-012 voltage<br /> V(m8b#sbody): 1.58133e-013 voltage<br /> V(m6b#dbody): 6.22974e-013 voltage<br /> V(m6b#sbody): 1.31584e-013 voltage<br /> V(m6t#dbody): 1.23188e-012 voltage<br /> V(m6t#sbody): 1.12926e-012 voltage<br /> Id(M6b): 0.000101184 device_current<br /> Ig(M6b): 2.49396e-009 device_current<br /> Ib(M6b): -1.02937e-013 device_current<br /> Is(M6b): -0.000101187 device_current<br /> Id(M6t): 0.000101176 device_current<br /> Ig(M6t): 7.96183e-009 device_current<br /> Is(M6t): -0.000101184 device_current …..<br /> <br /> <br /> 3.2. Phân tích AC<br /> Hình 5 mô tả kết quả mô phỏng đặc tuyến biên độ tần số của bộ khuếch đại<br /> OPAMP. Kết quả này cho thấy HSKĐ của bộ khuếch đại OPAMP là 25dB. Hình<br /> vẽ cũng cho thấy băng tần hoạt động 3dB của bộ khuếch đại OPAMP là xấp xỉ<br /> 300MHz. Hệ số khuếch đại hoàn toàn có thể được tăng lên khi chúng ta ghép tầng<br /> nhiều mô-đun khuếch đại này lại với nhau.<br /> 3.3. Phân tích nhiễu<br /> Hình 5 cho thấy kết quả nhiễu gây ra bởi các phần tử riêng rẽ (gây ra bởi M6B,<br /> M6T, M8T, M8B, M5 – đây là các phần tử có kích thước lớn so với các phần tử khác<br /> trong mạch) và nhiễu tổng thể ở đầu ra. Ta có thể thấy rằng nhiễu lớn ở các tần số<br /> <br /> <br /> Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san Viện Điện tử, 10 - 2015 85<br />  Kỹ thuật điện tử<br /> <br /> thấp vì về bản chất thì đây chính là tạp âm nhiệt. Tại dải tần công tác<br /> 100KHz÷200MHz, nhiễu tại đầu ra là khá phẳng, và bằng 3nV / Hz .<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 5. Đặc tuyến biên độ tần số của bộ KĐTT và đặc tính nhiễu.<br /> 3.4. Phân tích DC transfer<br /> Phân tích DC transfer chúng ta biết được hàm truyền DC tín hiệu nhỏ từ nguồn<br /> đầu vào cho đến đầu ra và trở kháng vào ra của mạch. Kết quả mô phỏng trong<br /> Bảng 2 cho thấy hàm truyền DC là rất nhỏ. Trở kháng đầu vào là rất lớn: Rin =<br /> 906149Ω, trong khi trở kháng đầu ra là tương đối nhỏ: Rout ≈ 511Ω.<br /> Bảng 2. Kết quả mô phỏng DC transfer.<br /> --- Transfer Function ---<br /> Transfer_function: 0.000510694 transfer<br /> vm#Input_impedance: 906149 impedance<br /> output_impedance_at_V(vout): 510.833 impedance<br /> <br /> <br /> 3.5. Thiết kế Layout<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Hình 6. Layout bộ KĐTT đề xuất.<br /> Sau khi thực hiện mô phỏng, bộ khuếch đại op-amp đề xuất được thực thi với<br /> công nghệ CMOS 0.35µm. Hình 6 mô tả layout của die. Có thể thấy kích thước<br /> của die tương đối nhỏ, xấp xỉ 0.033mm2.<br /> <br /> 4. KẾT LUẬN<br /> Nhóm tác giả đã giới thiệu những vấn đề cơ bản của bộ khuếch đại nói chung và<br /> sau đó tập trung vào thiết kế các bộ khuếch đại OPAMP dựa trên công nghệ<br /> <br /> <br /> 86 Tr.V.Hải, N.V. Khôi, N.Tr. Duy, “Thiết kế bộ khuếch đại …. trên công nghệ CMOS.”<br /> Nghiên cứu khoa học công nghệ<br /> <br /> CMOS đảm bảo các chỉ tiêu tham số kỹ thuật. Sau đó các kỹ thuật được bổ sung để<br /> đảm bảo được tính ổn định, độ tuyến tính… để có thiết kế hoàn chỉnh. Các kết quả<br /> mô phỏng cho thấy hệ số khuếch đại với một tầng khuếch đại là 25dB. Ưu điểm<br /> của bộ khuếch đại OPAMP này là cho phép hoạt động ở tần số cao lên đến 300<br /> MHz, với điện áp nguồn cung cấp thấp (1V) và công suất tiêu thụ thấp. Thiết kế đã<br /> được trình bày trong đề tài cấp Viện Điện tử và được nghiệm thu 6/2015.<br /> <br /> TÀI LIỆU THAM KHẢO<br /> [1]. P.E. Allen, “CMOS Amplifiers”, Application note, AICDesign, 2006.<br /> [2]. J. Karki, “Understanding Operational Amplifier Specifications” White paper,<br /> Texas Instruments Incoporated, Apr. 1998.<br /> [3]. B. Razavi, “Design of Analog CMOS Integrated Circuits”, McGraw-Hill,<br /> 2001.<br /> [4]. R. Jacob Baker. “CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation” (3rd ed.).<br /> Wiley-IEEE Press, 2010.<br /> <br /> ABSTRACT<br /> <br /> DESIGN A RF OPAMP 200 MHz USING CMOS TECHNOLOGY<br /> CMOS technology has allowed increased frequency response as well as other<br /> characteristics. Amplifiers commonly used algorithms with low frequency. The<br /> article raises a design solution for the operational amplifier (OPAMP) to 200MHz<br /> frequency band using CMOS technology. The simulation results showed the larger<br /> bandwidth can enable applications for the RF transceiver.<br /> <br /> Keywords: CMOS technology, Operational Amplifier: Op-Amp, RF transceiver.<br /> <br /> <br /> Nhận bài ngày 21 tháng 07 năm 2015<br /> Hoàn thiện ngày 10 tháng 08 năm 2015<br /> Chấp nhận đăng ngày 07 tháng 09 năm 2015<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> 1<br /> Địa chỉ: Viện Điện tử, Viện Khoa học và Công nghệ quân sự;<br /> 2<br /> Viện Tên lửa;<br /> *Email: viethaivdt@gmail.com.<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san Viện Điện tử, 10 - 2015 87<br />