Nghiên cứu khoa học công nghệ<br />
<br />
XÂY DỰNG MÔ HÌNH ĐÁNH GIÁ TƯƠNG TÁC NHIỄU<br />
ĐIỆN TỪ MẠNH VỚI CÁC PHƯƠNG TIỆN VÔ TUYẾN ĐIỆN<br />
Nguyễn Đức Trường1, Lê Kỳ Biên2, Nguyễn Huy Hoàng 3*<br />
Tóm tắt: Các phương tiện vô tuyến điện hoạt động trong điều kiện chịu ảnh<br />
hưởng của rất nhiều các yếu tố, trong đó các nguồn gây ra xung điện từ sẽ tác động<br />
trực tiếp đến khả năng hoạt động của thiết bị vô tuyến. Các xung điện từ này được<br />
hình thành từ các nguồn từ bên ngoài như: các trạm thu phát vô tuyến truyền hình,<br />
thông tin, sét, đường dây truyền tải điện cao thế, nguồn bên trong như:các biến áp,<br />
cuộn dây, các thiết bị ngắt điện và chuyển mạch… Để đảm bảo các yêu cầu của<br />
tương thích điện từ và độ bền của các phương tiện vô tuyến điện đối với tác động<br />
của xung điện từ mạnh, thì các nguồn nhiễu được các nhà chế tạo quan tâm trước<br />
hết, vì chúng tạo ra các vùng bất lợi cho hoạt động của thiết bị vô tuyến điện. Bài<br />
báo đề cập đến một mô hình tương tác của nhiễu điện từ mạnh sẽ ảnh hưởng như<br />
thế nào đối với các phương tiện vô tuyến trong các điều kiện khác nhau.<br />
Từ khóa: Tương tác; Nhiễu điện từ; Xung điện từ; Tương thích điện từ.<br />
<br />
1. ĐẶT VẤN ĐỀ<br />
Các phần tử và mạch kỹ thuật điện được sử dụng rộng rãi trong các thiết bị vô tuyến.<br />
Chúng đóng vai trò rất lớn trong các hệ thống vô tuyến: các nguồn điện, bộ chuyển mạch,<br />
bộ làm nóng, bộ làm lạnh, bộ chiếu sáng v.v. Các phần tử và mạch kỹ thuật điện này<br />
khuếch tán ra công suất tương đối lớn, sinh ra các xung điện từ mạnh làm ảnh hưởng tới<br />
các mạch điện tử. Các nguồn xung nhiễu này thường được tạo ra từ các phần tử kỹ thuật<br />
điện như sau:<br />
Biến áp và các cuộn dây. Trong các mạch kỹ thuật điện thì biến áp và các cuộn dây là<br />
những nguồn sinh ra từ trường và điện trường tương đối mạnh, có thể gây nhiễu lên các<br />
phần tử và mạch vô tuyến. Việc cách ly những loại trường này đối với thiết bị vô tuyến<br />
bằng cách che chắn là biện pháp chính để đảm bảo EMC [2].<br />
Thiết bị ngắt điện và chuyển mạch. Khi đóng và mở nguồn bằng các tiếp điểm cơ học<br />
sẽ gây ra việc thay đổi dòng và điện áp, điều này sẽ dẫn đến tạo ra nhiễu điện trường<br />
mạnh. Đôi khi sự đóng mở xảy ra không cố ý do bị rung lắc hoặc quá tải[2,3]. Sự đánh lửa<br />
hoặc hồ quang điện giữa các mặt tiếp xúc sẽ làm hỏng tiếp điểm và tạo ra nhiễu không cố<br />
ý. Mức nhiễu có thể tăng nhanh theo quá trình phá huỷ tiếp điểm. Sự nhảy dòng lớn<br />
thường xảy ra trong các mạch có tải mang tính chất điện dung; sự nhảy điện áp lớn thì hay<br />
xảy ra trong các mạch có tải mang tính chất điện cảm; đối với tải thuần tích cực thì dòng<br />
và điện áp không vượt quá mức thiết lập.Việc sử dụng các dụng cụ bán dẫn làm bộ chuyển<br />
mạch sẽ hạn chế được hồ quang điện và sự đánh lửa tuy nhiên lại xảy ra quá trình quá độ<br />
và sự đột biến lớn của dòng và điện áp sẽ sinh ra nhiễu xung mạnh.<br />
Rơ le điện từ. Các bộ chuyển mạch và các cuộn cảm có điều khiển là những vật gây<br />
nên nhiễu từ trường mạnh. Việc đóng và ngắt các tiếp điểm sẽ kéo theo quá trình tạo<br />
nhiễu, thời gian tồn tại có thể kéo dài đến vài ms. Cũng có các loại nhiễu sinh ra do sự<br />
rung lắc và va đập cơ học [2,3]. Rơle gây ra nhiễu lên các mạch khác. Cũng có thể tạo ra<br />
nhiễu lên các rơle khác trong các bộ chuyển mạch nhiều vị trí - đó gọi là nhiễu xuyên.<br />
Chổi quét của các máy điện. Các cặp tiếp xúc trượt của máy điện là nguồn gây nhiễu<br />
không cố ý, do có sự nhảy dòng và điện áp ở đó mà sinh ra hiện tượng đánh lửa và tăng<br />
điện trở tiếp xúc do sự oxy hóa, bụi bẩn và ăn mòn cơ học. Áp lực của chỗi quét lên cổ<br />
<br />
<br />
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018 117<br />
Kỹ thuật Điện tử – Thông tin<br />
góp và do đó mật độ dòng qua mặt trượt tạo ra nhiễu xung điện từ mạnh. Các động cơ điện<br />
và máy phát điện một chiều sinh ra nhiễu do sự chuyển mạch của các cuộn dây phần ứng.<br />
Sự đột biến dòng ở phần ứng và sự đánh lửa của chổi điện là nguyên nhân chính gây ra<br />
nhiễu. Mức nhiễu của máy điện một chiều rất cao và đa dạng theo thành phần phổ [2].<br />
Các nguồn phát sáng. Các đèn huỳnh quang là nguồn nhiễu mạnh với phổ rộng đến 10<br />
MHz hoặc trong một số trường hợp có thể lên đến 100 MHz. Nguồn nhiễu là do cột khí<br />
ion hóa, sinh ra và mất đi 100 lần trong một giây với nguồn điện có tần số 50 Hz. Sự nhảy<br />
dòng trong các mạch nguồn cũng gây nên nhiễu xung điện từ mạnh [3].<br />
Các phương tiện vô tuyến điện hoạt động trong điều kiện chịu sự tác động, ảnh hưởng<br />
từ các nguồn nhiễu trên nên việc khảo sát xây dựng mô hình đánh giá sự tác động của<br />
nhiễu xung điện từ mạnh lên sự hoạt động của các phương tiện vô tuyến điện là hết sức<br />
cần thiết, nhất là trong môi trường quân sự.<br />
2. KHẢ NĂNG LÀM VIỆC CỦA MÁY THU PHÁT VÔ TUYẾN<br />
TRONG ĐIỀU KIỆN TÁC ĐỘNG CỦA NHIỄU ĐIỆN TỪ MẠNH<br />
Khi triển khai đánh giá tính toán- thực nghiệm về độ bền của các phương tiện vô tuyến<br />
điện đối với tác động của nhiễu xung điện từ mạnh đòi hỏi phải sử dụng mô phỏng trên<br />
máy tính và thực hiện các nội dung sau đây:<br />
- Đặt bài toán và chọn thuật toán chung để giải nó;<br />
- Mô tả toán học bài toán (chọn các công thức toán học - mô hình hiện tượng);<br />
- Lập sơ đồ khối của chương trình và viết chương trình trên một ngôn ngữ lập trình<br />
nào đó.<br />
Để đảm bảo các yêu cầu của tương thích điện từ và độ bền của các phương tiện vô<br />
tuyến điện đối với tác động của xung điện từ mạnh, thì các nguồn nhiễu xung mạnh được<br />
các nhà chế tạo quan tâm trước hết, vì chúng tạo ra các vùng bất lợi cho hoạt động của<br />
thiết bị vô tuyến điện, vì vậy, vấn đề cần nghiên cứu ở đây là tập trung vào xây dựng mô<br />
hình đánh giá tương tác của nhiễu điện từ mạnh với các phương tiện vô tuyến điện, từ đó<br />
xây dựng thuật toán tối ưu đánh giá tương thích điện từ trường cho các thiết bị vô tuyến.<br />
2.1. Sự tác động của nhiễu điện từ mạnh lên máy thu phát vô tuyến điện<br />
Để đánh giá sự tác động của nhiễu điện từ mạnh lên máy thu phát vô tuyến, cần phải có<br />
thông tin ban đầu về nhiễu điện từ mạnh đang tác động, trong bài báo này giả thiết rằng<br />
nhiễu điện từ mạnh là xung hàm mũ dạng:<br />
( )= [exp(− ) − exp(− )], ( ) = ( )/<br />
trong đó, a là hệ số suy giảm, t là thời gian tác động<br />
Xung nhiễu này sẽ tác động lên một máy thu phát vô tuyến có cấu hình tối thiểu như<br />
trên hình 1 với các thông số đã xác định [8].<br />
Để chọn đối tượng chịu sự tác động của xung điện từ, ta xét sơ đồ cấu trúc điển hình<br />
của một máy thu phát vô tuyến (Hình 1), đã được nêu trong tài liệu [8]. Khi tiến hành phân<br />
tích hoạt động của máy thu phát trong điều kiện tác động của nhiễu điện từ mạnh, ta cần<br />
phải biết: tần số mang (có ích) của tín hiệu; dải thông của tuyến cao tần máy thu; dải thông<br />
của máy thu nói chung; độ nhạy máy thu; diện tích hiệu dụng của anten cho hướng đến có<br />
thể của nhiễu; các đặc điểm của tấm chắn (các tấm chắn); các đặc trưng của các cáp và các<br />
dây dẫn (tuyến liên lạc).<br />
Lý tưởng hóa quá trình làm việc của máy thu phát vô tuyến trong điều kiện tác động<br />
trường điện từ mạnh, ta có sơ đồ khối như sau:<br />
<br />
<br />
<br />
118 N. Đ. Trường, L. K. Biên, N. H. Hoàng, “Xây dựng mô hình đánh giá … vô tuyến điện.”<br />
Nghiên cứu khoa học công nghệ<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 1. Sơ đồ khối của máy thu phát vô tuyến.<br />
Từ sơ đồ khối tổng quát của máy thu phát vô tuyến, ta có sơ đồ tổng quát về tác động<br />
của nhiễu điện từ mạnh đối với máy thu phát vô tuyến đang khảo sát được thể hiện trên<br />
Hình 2.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 2. Các con đường có thể thâm nhập của nhiễu<br />
điện từ mạnh vào mạch máy thu phát vô tuyến.<br />
Từ Hình 2, có thể thấy có các phương thức thâm nhập của nhiễu điện từ mạnh vào máy<br />
thu vô tuyến, cụ thể là: 1- qua đường khuếch đại biên-pha; 2 - qua các tấm chắn bảo vệ<br />
<br />
<br />
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018 119<br />
Kỹ thuật Điện tử – Thông tin<br />
chống tác động lên các khối, sơ đồ và tuyến liên lạc; 3- qua hệ thống tiếp đất. Điều đó<br />
chứng tỏ rằng, nhiễu điện từ mạnh có ảnh hưởng rất nhiều lên các bộ phận của máy thu và<br />
càng làm cho việc ngăn chặn, giảm ảnh hưởng của nó trở lên phức tạp và đòi hỏi cần phải<br />
có một giải pháp tổng thể.<br />
2.2. Xây dựng thuật toán mô phỏng đánh giá khả năng làm việc của máy thu vô<br />
tuyến điện trong điều kiện nhiễu điện từ mạnh<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Hình 3. Lưu đồ thuật toán đánh giá độ bền của máy thu<br />
vô tuyến đối với tác động của nhiễu điện từ mạnh.<br />
<br />
<br />
<br />
120 N. Đ. Trường, L. K. Biên, N. H. Hoàng, “Xây dựng mô hình đánh giá … vô tuyến điện.”<br />
Nghiên cứu khoa học công nghệ<br />
Việc đánh giá khả năng làm việc của máy thu vô tuyến trong điều kiện tác động của<br />
nhiễu điện từ mạnh phải bao gồm các bước thực hiện sau đây:<br />
- Chuẩn bị các số liệu ban đầu về tác động của nhiễu điện từ mạnh, về tín hiệu có ích và<br />
các đặc trưng chính của máy thu vô tuyến;<br />
- Tính toán các thông số nhiễu do tác động của nhiễu điện từ mạnh theo từng đường<br />
thâm nhập của nó, tổng của chúng và đưa đến các điểm tới hạn của thiết bị thu vô tuyến<br />
(đầu vào máy thu, đầu vào và đầu ra thiết bị xử lý và hình thành thông tin);<br />
- Xác định tỷ lệ qk2 = tín/(tạp+nhiễu) tại các điểm tới hạn của thiết bị thu vô tuyến;<br />
- Nếu giá trị thông số qk2 thu được nhỏ hơn giá trị cho trước, thì thay đổi các số liệu<br />
ban đầu và tính toán lại.<br />
Phân tích đánh giá độ bền của thiết bị thu vô tuyến đối với tác động của nhiễu điện từ<br />
mạnh, ta có lưu đồ thuật toán được trình bày trên hình 3.<br />
2.3. Viết chương trình<br />
Đặt bài toán: Đánh giá các thông số nhiễu trong tuyến thu (Hình 1), vốn xuất hiện bởi<br />
một phần nhiễu điện từ mạnh đi qua bộ khuếch đại biên độ-pha.<br />
Các thông tin ban đầu về phương tiện vô tuyến điện và về nhiễu điện từ mạnh đang tác<br />
động đã được nêu trong phần 1.<br />
Các công thức toán học được sử dụng:<br />
Δ<br />
. ≪ (1)<br />
<br />
<br />
= ∫ ( ) cos[ − ( )] (2)<br />
<br />
= ∫ [ ( )] (3)<br />
<br />
( )= ( )ℎ /2 (4)<br />
<br />
= . /2 (5)<br />
Cho các xung nhiễu điện từ mạnh, vốn có phổ tần số tương đối thấp, (nguồn của chúng<br />
là các tia lửa điện) và tần số làm việc của máy thu vô tuyến lớn hơn 100MHz, để tính toán<br />
ta sử dụng các công thức sau đây:<br />
( )<br />
. = (6)<br />
( ∗ )<br />
<br />
( ) [ ( ) ( )]<br />
( )= (7)<br />
∗<br />
<br />
<br />
( ) ( / )<br />
( )= (8)<br />
∗<br />
<br />
( )<br />
( )= (9)<br />
∗<br />
<br />
( ) ( ∗ )<br />
= (10)<br />
( ∗ )<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018 121<br />
Kỹ thuật Điện tử – Thông tin<br />
<br />
( )<br />
= (11)<br />
∗ .<br />
<br />
<br />
λ = K/Txc (12)<br />
Trong các công thức (1) - (12), ngoài các ký hiệu thông dụng, còn sử dụng các ký hiệu<br />
sau đây: Etr (t ), Etr max (t ) cường độ thành phần điện của nhiễu điện từ mạnh, đã được<br />
tính chuyển sang dải thông của tuyến thu 2f , và giá trị cực đại của nó nếu<br />
điều kiện 2.1 được thỏa mãn bởi ảnh hưởng của nhiễu điện từ mạnh hoạt động trên tuyến<br />
thu, V/m; E0 tr (t ) tương ứng các đường bao của Etr (t ) và E0 tr (t ) , V/m; - mật<br />
2<br />
độ dòng năng lượng của nhiễu, tính chuyển sang dải thông của tuyến thu, J / m ; Wa :<br />
năng lượng nhiễu trên đầu vào máy thu, tính chuyển sang dải thông của nó, J; ua (t ) <br />
điện áp nhiễu trên đầu vào máy thu, được tính chuyển sang dải thông của nó.<br />
3. TÍNH TOÁN VÀ THẢO LUẬN<br />
Để cụ thể, ta lấy:<br />
t 1,2.105 s - vùng có thể có tín hiệu bị trễ;<br />
4.107 s - trễ cực tiểu mong đợi giữa mặt trước tín hiệu trên đầu vào và<br />
đầu ra của mạch đang khảo sát;<br />
E0 5.10 7 s - độ dài của tín hiệu bị trễ ở mức 0,1U m và 0,9U m ;<br />
t a 3.10 7 s - thời gian nhiễu tác động;<br />
U m 1V - giá trị biên độ cực đại của tín hiệu bị trễ.<br />
<br />
Các kết quả tính toán được trình bày tại các bảng 1 - 4.<br />
Bảng 1. Sự phụ thuộc của độ chính xác đo <br />
vào chu kỳ lặp của các xung cửa.<br />
Số lượng cửa K trên<br />
6 10 14 18 22 26<br />
khoảng t1 t 2<br />
Giá trị , ns 680,7 700,5 694,8 691,9 693,6 693,5<br />
Sai số đo tuyệt đối ttd , ns 13,25 6,646 1,287 1,714 0,392 0,521<br />
Sai số đo tương đối ,% 1,947 0,949 0,185 0,248 0,057 0,075<br />
<br />
Bảng 2. Sự phụ thuộc của độ chính xác đo vào độ chính<br />
<br />
xác đo biên độ U ra tại thời điểm tk khi K = 26.<br />
<br />
Sai số đo U ra , % 0,5 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0<br />
Giá trị , ns 679,4 685,2 696,4 706,3 715,9 723,5<br />
Sai số đo tuyệt đối ttd , ns 4,982 10,41 21,05 31,09 40,41 48,92<br />
<br />
<br />
122 N. Đ. Trường, L. K. Biên, N. H. Hoàng, “Xây dựng mô hình đánh giá … vô tuyến điện.”<br />
Nghiên cứu khoa học công nghệ<br />
<br />
Sai số đo tương đối , % 0,733 1,519 3,023 4,402 5,645 6,762<br />
<br />
Bảng 3. Sự phụ thuộc của độ chính xác đo vào độ bất ổn định<br />
của vị trí thời gian của các xung cửa (tử số khi K = 6, mẫu số khi K = 26).<br />
Độ bất ổn định tương đối 0 103 102 3.10<br />
2<br />
6.10<br />
2<br />
9.10<br />
2<br />
t1<br />
Giá trị , ns 800,1 800,21 803,05 809,77 821,20 833,95<br />
800,1 800,06 903,71 811,30 823,45 836,54<br />
Sai số đo tuyệt đối ttd , ns 0 0,2142 0,9438 2,2253 2,7949 2,0447<br />
0 0,0641 0,2849 0,6818 0,5457 0,5429<br />
Sai số đo tương đối , 0 0,0267 0,1175 0,2748 0,3403 0,2452<br />
% 0 0,0080 0,0354 0,0852 0,0662<br />
<br />
Bảng 4. Sự phụ thuộc độ chính xác đo vào sai số đo vị trí<br />
thời gian của xung cửa (tử số khi K=6, mẫu số khi K=26).<br />
Sai số đo tk , % 1 4 8 12 16 20<br />
<br />
Giá trị , ns 802,08 808,34 816,69 825,04 833,38 841,73<br />
802,14 808,59 817,17 825,76 834,35 842,94<br />
Sai số đo tuyệt đối ttd , 2,0863 8,3453 16,691 25,036 33,381 41,727<br />
2,1469 8,5878 17,176 25,763 34,351 42,939<br />
ns<br />
Sai số đo tương đối , 0,2601 1,0324 2,0437 3,0345 4,0055 4,9578<br />
0,2676 1,0620 2,1018 3,1199 4,1171 5,0939<br />
%<br />
Nhìn vào Bảng 1, ta nhận thấy: khi số lượng các xung cửa tăng lên thì giá trị đo thời<br />
gian trễ của tín hiệu cũng tăng lên, nhưng sai số tương đối đo khoảng thời gian đã giảm đi<br />
chứng minh rằng độ chính xác đo thời gian trễ phụ thuộc vào chu kỳ lặp của xung cửa. Ở<br />
Bảng 2, tiếp tục khảo sát khi giữ nguyên chu kỳ lặp xung của thì tương ứng với sai số đo<br />
biên độ điện áp Ura tại thời điểm tăng lên thì sai số đo tương đối thời gian trễ cũng tăng lên<br />
cho thấy sự gia tăng của điện áp nhiễu đã ảnh hưởng trực tiếp đến sai số đo thời gian trễ.<br />
Tại các bảng 3 và 4 tiếp tục khảo sát với việc đánh giá sự phụ thuộc của độ chính xác đo<br />
thời gian trễ của tín hiệu thu vào độ không ổn định của vị trí các xung cửa và sai số đo<br />
vị trí thời gian của các xung cửa đầu vào máy thu. Khi độ không ổn định tăng lên thì<br />
khoảng thời gian tăng lên, dẫn đến sai số đo tăng lên.<br />
<br />
Dễ dàng nhận thấy rằng việc nghiên cứu mô hình đo thời gian khi có tác động của<br />
nhiễu điện từ trường mạnh trên máy tính cho phép đánh giá được một số giải pháp sau đây:<br />
- Xác định chu kỳ lặp của xung cửa Tc cần thiết để đảm bảo độ chính xác cho phép khi<br />
đo ;<br />
- Đánh giá ảnh hưởng của các yếu tố không ổn định và sai số các phép đo tk , U ra đến<br />
độ chính xác đo ;<br />
- Đưa ra các khuyến nghị cần lưu ý khi thiết kế và sử dụng thiết bị đo thời gian trễ.<br />
<br />
<br />
<br />
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018 123<br />
Kỹ thuật Điện tử – Thông tin<br />
4. KẾT LUẬN<br />
Việc nghiên cứu, đánh giá các tác động của xung điện từ mạnh lên sự hoạt động của<br />
các phương tiện vô tuyến điện đã có nhiều nơi nghiên cứu và áp dụng vào thực tiễn. Một<br />
số kết quả nghiên cứu đã đưa ra những phương pháp chống nhiễu điện từ mạnh như sử<br />
dụng các tấm che chắn, tăng công suất máy phát, triệt tiêu các xung cao áp trong hệ thống<br />
cáp, dây dẫn điện, nâng cao độ tin cậy của nguồn điện cấp...Tuy nhiên các phương pháp<br />
này bên cạnh những ưu điểm thì còn tồn tại một số nhược điểm: chưa đánh giá hết các tác<br />
động của nhiễu điện từ mạnh, chưa tiến hành mô phỏng vào một đối tượng cụ thể nên<br />
trong một vài trường hợpvẫn chưa giải quyết được triệt để .<br />
Để giải quyết những vấn đề nghiên cứu trên, nội dung bài báo đã tập trung vào việc xây<br />
dựng lý thuyết, đưa ra mô hình tương tác của nhiễu điện từ mạnh với các phương tiện vô<br />
tuyến điện và xây dựng thuật toán và tiến hành đánh giá định lượng, xác định, đánh giá<br />
được khoảng thời gian tồn tại và chu kỳ của xung cửa máy thu tác động trực tiếp đến độ<br />
chính xác kết quả đo thời gian máy thu. Kết quả của bài toán đã đưa ra mô hình đánh giá<br />
tương tác của nhiễu điện từ mạnh đến các phương tiện vô tuyến điện để từ đó có thể đưa ra<br />
các biện pháp giúp cho thiết bị điện tử hoạt động bình thường theo những tiêu chí của nhà<br />
sản xuất đã đưa ra.<br />
TÀI LIỆU THAM KHẢO<br />
[1]. Phan Anh, “Trường điện từ và truyền sóng” NXB Đại học Quốc gia Hà Nội (2002).<br />
[2]. Апорович А.Ф. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств”.<br />
Минск “Бестпринт” 2003.<br />
[3]. C.R. Paul, “Introduction to Electromagnetic Compatibility”, Wiley-Interscience, New<br />
Jersey (2006), pp. .<br />
[4]. Иванов, В.А. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных<br />
средств” /В.А.Иванов, Л.Я.Ильинский, М.И.Фузик.-К.:Техника, 1983.-120с.<br />
[5]. Князев, А.Д. “Элементы теории и практики электромагнитной местимости<br />
радиоэлектронных средств”. - М.:Радио и связь, 1984. - 336 с.<br />
[6]. “Радиоэлектронные средства и мощные электромагнитные помехи” / под ред.<br />
В.И. Кравченко. - М. : Радио и связь,1984. - 256 с.<br />
[7]. Крылов, В.А. “Защита от электромагнитных излучений” / В.А. рылов, Т.В.<br />
Югенков. - М. : Советское радио, 1972.- 216 с.<br />
[8]. Уайт, Д. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и<br />
непреднамеренные помехи” / Д. Уайт; пер. с англ. - М. : Советское радио, 1977.<br />
- Вып. 1. - 348 с.<br />
[9]. ГОСТ 11001-80, “Измерители радиопомех”. Общие требования.<br />
[10]. Михайлов, А.С. “Измерение параметров ЭМС РЭС” / А.С. Михайлов. - М. :<br />
Связь, 1980. - 244 с.<br />
[11]. Михайлов, А.С. “Справочник по расчету электромагнитных экранов” / А.С.<br />
Михайлов. - М. : Энергоатом изд-во, 1988. - 244 с.<br />
[12]. ГОСТ Р 51724–2001 “Экранированные объекты, помещения, технические<br />
средства”. Поле гипогеомагнитное.<br />
[13]. Е.В Кереселидзе. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных<br />
средствю Минск”, 2005.<br />
[14]. А.Ф Апорович. “Электромагнитная совместимость радиоэлектронных<br />
средствю Минск «Бестпринт»”, 2003.<br />
<br />
<br />
124 N. Đ. Trường, L. K. Biên, N. H. Hoàng, “Xây dựng mô hình đánh giá … vô tuyến điện.”<br />
Nghiên cứu khoa học công nghệ<br />
ABSTRACT<br />
BUILDING THE IMPACT ASSESSMENT MODEL<br />
STRONG ELECTRONICS WITH MEANS OF RADIO POWER<br />
Radio equipment operating under conditions influenced by a variety of factors,<br />
in which the source of the electromagnetic pulse will directly affect the operation of<br />
radio equipment. These electromagnetic pulses are formed from external sources<br />
such as: radio transmitters, information, lightning, high voltage transmission lines,<br />
internal sources such as transformers, coils, circuit breakers and switches. To<br />
ensure the requirements of electromagnetic compatibility and the strength of radio<br />
equipment for the impact of strong electromagnetic pulse, interference sources are<br />
developed by the manufacturers. First of all, because they create areas that are<br />
detrimental to the operation of radio equipment. The paper discusses an interactive<br />
model of how strong electromagnetic interference affects wireless media under<br />
different conditions.<br />
Keywords: Interactive; Electromagnetic interference; Radio.<br />
<br />
Nhận bài ngày 26 tháng 06 năm 2018<br />
Hoàn thiện ngày 10 tháng 9 năm 2018<br />
Chấp nhận đăng ngày 20 tháng 9 năm 2018<br />
<br />
<br />
Địa chỉ: 1 Cục Tiêu chuẩn - Đo lường - Chất lượng;<br />
2<br />
Viện Điện tử - Viện Khoa học và Công nghệ quân sự;<br />
3<br />
Khoa Vô tuyến Điện tử - Học viện Kỹ thuật quân sự.<br />
*<br />
Email: nguyenductruongttdl@gmail.com.<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san FEE, 08 - 2018 125<br />