Khảo sát đặc điểm điện tâm đồ của cơn nhịp nhanh thất nguyên phát tại buồng thoát tâm thất

Y Học TP. Hồ Chí Minh * Tập 16 * Phụ bản của Số 1 * 2012<br /> <br /> Nghiên cứu Y học<br /> <br /> KHẢO SÁT ĐẶC ĐIỂM ĐIỆN TÂM ĐỒ CỦA CƠN NHỊP NHANH THẤT<br /> NGUYÊN PHÁT TẠI BUỒNG THOÁT TÂM THẤT<br /> Nguyễn Đức Công*, Nguyễn Ngọc Tước**, Trương Quang Khanh, Trần Văn Kiệt*, Lê Hà Trung*,<br /> Nguyễn Công Vân*<br /> <br /> TÓM TẮT<br /> Cơ sở nghiên cứu: Điện tâm đồ trong cơn nhịp nhanh thất nguyên phát có những đặc điểm riêng có thể<br /> giúp dự đoán chính xác vị trí xuất phát của ổ nhịp nhanh.<br /> Mục tiêu nghiên cứu: Phân tích một số đặc điểm trên điện tâm đồ bề mặt của cơn nhịp nhanh thất nguyên<br /> phát ở những bệnh nhân đã được điều trị thành công bằng phương pháp triệt phá điện sinh lý qua catheter bằng<br /> năng lượng sóng radio.<br /> Phương pháp nghiên cứu: Nghiên cứu mô tả.<br /> Kết quả: Trong số 23 bệnh nhân nhịp nhanh thất tại buồng thoát thất được triệt phá thành công có: 6 bệnh<br /> nhân (26%) từ thành tự do buồng thoát thất phải với hình ảnh trong cơn nhịp nhanh có thời gian phức bộ QRS<br /> lớn hơn 140ms và hình ảnh RR’ hay R’R tại chuyển đạo DII, DIII … phân biệt với nhóm bệnh nhân có ổ loạn<br /> nhịp xuất phát từ vùng vách của buồng thoát thất phải là 15 bệnh nhân (65,2%). Vùng chuyển tiếp trước ngực<br /> của R/S ở đa số vị trí là V3,V4,V5 tuy nhiên nếu chuyển tiếp V1,V2 có khả năng ổ loạn nhịp nằm tại buồng thoát<br /> thất trái với 2 bệnh nhân (8,7%).<br /> Kết luận: Một số đặc điểm trên điện tâm đồ cơn nhịp nhanh thất vô căn có thể giúp dự đoán vị trí xuất phát<br /> ổ loạn nhịp tại buồng thoát tâm thất.<br /> Từ khóa: Điện tâm đồ, nhanh thất nguyên phát.<br /> <br /> SUMMARY<br /> THE ELECTROCARDIOGRAPHIC CHARACTERISTICS OF IDIOPATHIC VENTRICULAR<br /> TACHYCARDIA ORIGINATING IN VENTRICULAR OUTFLOW TRACT<br /> Nguyen Đuc Cong, Nguyen Ngoc Tuoc, Truong Quang Khanh, Tran Van Kiet, Le Ha Trung,<br /> Nguyen Cong Van * Y Hoc TP. Ho Chi Minh * Vol. 16 - Supplement of No 1 - 2012: 293 - 298<br /> Background: Idiopathic ventricular tachycardia can originate from different areas in the outflow tract,<br /> electrocardiographic criteria may be helpful in predicting the area of origin.<br /> Objectives: The aim of this study was to analyze some surface electrocardiographic characteristics of<br /> different anatomic mapping sites for successful ablation at Outflow tract ventricular tachycardia.<br /> Methods: Descriptive, retrospective and prospective study.<br /> Results: We studied surface electrocardiograms during tachycardia of 23 successfully ablated patients with<br /> idiopathic ventricular outflow tract: 6 patients (26%) from the free wall of RVOT have QRS duration time > 140<br /> ms, RR’ or R’R waveform at DII, DIII leads and contrary to electrocardiogram features of 15 patients (65.2%)<br /> from septal RVOT. 2 patients (8.7%) ablated in the left outflow tract have R/S transition in lead V1,V2 contrary<br /> to another sites with R/S transition V3,V4,V5.<br /> * Bệnh viện Thống Nhất TPHCM, ** Bệnh viện Bạch Mai<br /> Tác giả liên lạc: ThsBs. Trương Quang Khanh, ĐT: 0913778838, Email: bstruongkhanh@yahoo.com<br /> <br /> Hội nghị Khoa Học Kỹ Thuật BV. Thống Nhất TP. HCM 2012<br /> <br /> 293<br /> <br /> Nghiên cứu Y học<br /> <br /> Y Học TP. Hồ Chí Minh * Tập 16 * Phụ bản của Số 1 * 2012<br /> <br /> Conclusions: We found some distinctive ECG ventricular tachycardia characteristics of different sites at<br /> outflow tract.<br /> Keywords: Electrocardiogram, idiopathic ventricular tachycardia.<br /> <br /> ĐẶT VẤN ĐỀ<br /> Ngày nay, với việc áp dụng kỹ thuật cắt đốt<br /> triệt bỏ các ổ loạn nhịp trong buồng tim bằng<br /> năng lượng sóng điện radio đã giúp chúng ta<br /> điều trị được các loại loạn nhịp tim từ đơn giản<br /> đến phức tạp. Triệt phá qua catheter đã trở<br /> thành là lựa chọn điều trị tối ưu cho các loạn<br /> nhịp nhanh kịch phát trên thất: nhịp nhanh do<br /> vòng vào lại nút nhĩ thất, do đường phụ, nhịp<br /> nhanh nhĩ… với tỉ lệ thành công cao > 90% và tỉ<br /> lệ biến chứng thấp. Điều trị bằng sóng radio<br /> loạn nhịp nhanh thất nguyên phát ở bệnh nhân<br /> không có bệnh tim thực thể cho hiệu quả điều trị<br /> cao > 85% với tỉ lệ tái phát thấp(4,9).<br /> Tuy nhiên, tỉ lệ thành công của phương<br /> pháp triệt phá tùy thuộc rất nhiều vào vị trí của<br /> ổ loạn nhịp. Đối với nhịp nhanh thất nguyên<br /> phát tại buồng thoát tâm thất, vị trí thường gặp<br /> tại buồng thoát tâm thất phải, vùng vách khả<br /> năng thành công cao hơn tại thành tự do, cao<br /> hơn tại các vị trí khác như: buồng thoát tâm thất<br /> trái, vùng xoang động mạch chủ.<br /> Nhiều nghiên cứu trước đây đưa ra các chỉ<br /> số về điện tâm đồ 12 chuyển đạo ngoại biên<br /> trong cơn nhịp nhanh trên thất, giúp dự đoán<br /> được cơn nhịp nhanh bộ nối hay do đường phụ,<br /> nhất là khả năng xác định vị trí của đường phụ<br /> hiện với mức độ chính xác 80-90%. Tuy nhiên,<br /> đối với nhịp nhanh thất nguyên phát thì các chỉ<br /> số trên điện tim này vẫn chưa được rõ ràng.<br /> Do vậy, chúng tôi thực hiện nghiên cứu này<br /> nhằm mục tiêu<br /> 1. Tìm mối tương quan giữa các chỉ số trên<br /> điện tâm đồ với vị trí ổ loạn nhịp, dựa vào so<br /> sánh kết quả các trường hợp triệt phá thành<br /> công ổ loạn nhịp nhanh thất nguyên phát tại<br /> buồng thoát tâm thất với các chỉ số, hình dạng<br /> trên ECG 12 chuyển đạo bề mặt trong cơn nhịp<br /> nhanh thất.<br /> <br /> 294<br /> <br /> 2. Dự báo khả năng thành công cũng như<br /> đưa ra cách thức tiếp cận trong quá trình khảo<br /> sát và triệt phá cơn nhịp nhanh thất nguyên<br /> phát này.<br /> <br /> TỔNG QUAN TÀI LIỆU<br /> Chẩn đoán nhịp nhanh thất<br /> Là rối lọan nhịp do ổ phát nhịp từ thất với<br /> tần số lớn hơn 100 l/ phút, phức bộ QRS giãn<br /> rộng có thể đơn dạng hay đa dạng.<br /> Nguyên nhân thường gặp là do thiếu máu<br /> cơ tim, với cơ chế vòng vào lại từ vùng sẹo do<br /> thiếu máu cơ tim hay nhịp nhanh thất nguyên<br /> phát xảy ra trên bệnh nhân không có bệnh tim<br /> thực thể.<br /> <br /> Nhịp nhanh thất nguyên phát tại buồng<br /> thoát tâm thất<br /> Nhịp nhanh thất xuất phát từ vị trí buồng<br /> thoát của tâm thất, 90% ở vị trí thất phải<br /> (ROVT). Khoảng 10% ổ nhịp nhanh nằm ở<br /> đường thoát của tâm thất trái (LOVT-nằm ở<br /> vách liên thất). Trong cơn nhịp nhanh ECG biểu<br /> hiện hình dạng phức bộ QRS dãn rộng của block<br /> nhánh trái, trục phải đặc trưng (+90 ˚— +180 ˚)<br /> hay đôi khi trục trung gian. Cơ chế hậu khử cực<br /> lẩy cò bởi catecholamine là cơ chế nền(2).<br /> Ổ loạn nhịp thất nguyên phát tại buồng<br /> thoát tâm thất có thể xuất phát từ nhiều vị trí<br /> khác nhau do kích thước, hình dạng của buồng<br /> thoát tâm thất, mối liên hệ kề cận các cấu trúc<br /> bên cạnh, cũng như cấu trúc nội tâm mạc tương<br /> đối mỏng. Các nghiên cứu gần đây đưa ra một<br /> số vị trí sau: thường gặp là buồng thoát thất<br /> phải (vùng vách, thành tự do..), buồng thoát thất<br /> trái, vùng trên van động mạch phổi, vùng xoang<br /> Valsava động mạch chủ, vùng xoang vành,<br /> vùng thượng mạc gần buồng thoát tâm thất.<br /> <br /> Hội nghị Khoa Học Kỹ Thuật BV. Thống Nhất TP. HCM 2012<br /> <br /> Y Học TP. Hồ Chí Minh * Tập 16 * Phụ bản của Số 1 * 2012<br /> <br /> Nghiên cứu Y học<br /> <br /> thất phải, loại Josephson đặt ở nhĩ phải cao và<br /> bó His. Catheter đốt dùng loại RF-Perform SC<br /> hay<br /> RF-Marinr<br /> (Medtronic),<br /> Webster<br /> cardiorhythm (Cordis).<br /> <br /> Phương pháp nghiên cứu<br /> Phương pháp nghiên cứu mô tả, hồi cứu.<br /> <br /> Hình 1: Đặc điểm điện tâm đồ trong cơn nhịp nhanh<br /> thất tại một số vị trí: RVOT, LVOT, xoang vành<br /> (CS), trên van động mạch chủ (AO), động mạch phổi<br /> (PA), thượng tâm mạc (EPI)<br /> <br /> ĐỐI TƯỢNG = PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU<br /> Đối tượng nghiên cứu<br /> Tiêu chuẩn chọn bệnh<br /> Bệnh nhân có cơn nhịp nhanh thất đã được<br /> xác định và thông qua hội chẩn khảo sát và cắt<br /> đốt điện sinh lý tại bệnh viện Thống Nhất.<br /> Nhóm nghiên cứu chỉ gồm những bệnh nhân đã<br /> được cắt đốt thành công và xác định được ổ<br /> loạn nhịp thất dựa trên màn hình tăng sáng.<br /> Bệnh nhân không có bệnh tim thực thể:<br /> Thăm khám tim bình thường (Điện tâm đồ lúc<br /> nghỉ, X-Quang tim phổi, siêu âm tim bình, các<br /> xét nghiệm về sinh hoá, ion đồ bình thường)<br /> <br /> Tiêu chuẩn loại trừ<br /> Bệnh nhân có bệnh cơ tim thiếu máu, bệnh<br /> lý van tim, cơ tim dãn nở, phì đại, tim bẩm sinh,<br /> hội chứng QT dài, hội chứng Brugada, rối loạn<br /> điện giải…<br /> <br /> Trang thiết bị<br /> Hệ thống máy thăm dò điện sinh lý trong<br /> buồng tim EPCOR (Siemens). Máy kích thích<br /> tim theo chương trình model 5328 (Medtronic).<br /> Máy triệt phá bằng năng lượng sóng tần số<br /> radio ATARK (Medtronic). Hệ thống máy XQuang kỹ thuật số tăng sáng Siemens. Các<br /> catheter thăm dò loại 4 cực Cournand đặt mỏm<br /> <br /> Ghi nhận các đặc điểm của bệnh nhân: tuổi,<br /> giới, tiền căn cơn nhịp nhanh, triệu chứng liên<br /> quan cơn nhịp nhanh, ghi điện tâm đồ lúc bình<br /> thường và khi có cơn nhịp nhanh, ghi nhận các<br /> thông số điện tim trong cơn nhịp nhanh: thời<br /> gian phức bộ QRS, hình dạng sóng R ở DII, DIII,<br /> khoảng chuyển tiếp R/S vùng trước tim.<br /> Đặt các catheter: theo dõi huyết động trực<br /> tiếp động mạch đùi bên trái, catheter nhĩ phải,<br /> thất phải, bó His.<br /> Khởi phát cơn nhịp nhanh theo protocol VT<br /> study.<br /> Khi xuất hiện cơn nhịp nhanh, đo đạc các<br /> thông số cơn nhịp nhanh, lập bản đồ nội mạc<br /> xác định vị trí có hoạt động khử cực thất sớm<br /> nhất. Nếu cơn không kéo dài có thể tìm vị trí<br /> bằng phương pháp mapping kích thích (pace<br /> mapping). Vị trí tìm: ưu tiên tại buồng thoát thất<br /> phải, buồng thoát thất trái, xoang vành, trên van<br /> động mạch phổi …<br /> Triệt phá ổ nhịp nhanh bằng năng lượng<br /> sóng radio qua catheter, với nhiệt độ đốt được<br /> cài đặt 60 C và power từ 20 -40 W, thời gian<br /> mỗi lần đốt được cài đặt là 2 phút.<br /> Tiêu chuẩn đánh giá thành công: Sau khi<br /> triệt phá, không xuất hiện cơn nhịp nhanh thất<br /> tự phát hay ngoại tâm thu thất với hình dạng<br /> giống cơn nhịp nhanh thất trước đó.<br /> <br /> Xử lý các số liệu<br /> Các số liệu thu thập được xử lý bằng phần<br /> mềm SPSS11.0.<br /> <br /> KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU<br /> Đặc điểm bệnh nhân<br /> Tuổi và giới tính<br /> Nghiên cứu thực hiện trên 23 bệnh nhân<br /> <br /> Hội nghị Khoa Học Kỹ Thuật BV. Thống Nhất TP. HCM 2012<br /> <br /> 295<br /> <br /> Nghiên cứu Y học<br /> <br /> Y Học TP. Hồ Chí Minh * Tập 16 * Phụ bản của Số 1 * 2012<br /> <br /> trong đó bệnh nhân nam là 7 (chiếm tỉ lệ 30%),<br /> nữ là 16 bệnh nhân (tỉ lệ 70%). Độ tuổi trung<br /> bình là 40,7 ± 12,30 tuổi, bệnh nhân nhỏ tuổi<br /> nhất là 28, lớn tuổi nhất là 65 tuổi.<br /> <br /> Bệnh lý khác kèm theo<br /> Có 4 trường hợp ghi nhận có huyết áp cao<br /> giai đoạn I-II, 5 trường hợp rối loạn chuyển hoá<br /> Lipid, hai trường hợp Basedow khi điều trị bằng<br /> thuốc Cordarone. Có 2 bệnh nhân kèm cơn nhịp<br /> nhanh kịch phát trên thất do vòng vào lại tại nút<br /> nhĩ thất.<br /> Siêu âm tim bình thường với EF trung bình<br /> là: 66,55%±5,17.<br /> <br /> Thời gian mắc bệnh<br /> Thời gian mắc bệnh là 6,2 năm±3,6 (ít nhất là<br /> 0,5 năm, nhiều nhất là 15 năm).<br /> Triệu chứng lâm sàng<br /> Bệnh nhân trong cơn đều biểu hiện mệt<br /> (100%), tụt huyết áp, choáng váng có 3 bệnh<br /> nhân (13%) và một bệnh nhân ngất khi cơn nhịp<br /> nhanh kéo dài.<br /> <br /> Đặc điểm điện tâm đồ 12 chuyển đạo của<br /> cơn nhịp nhanh<br /> Hình dạng cơn nhịp nhanh<br /> Bệnh nhân nhịp nhanh buồng thoát tâm thất<br /> đều có dạng blốc nhánh trái, trục hướng xuống,<br /> phức bộ QRS dãn rộng trung bình: 145,7 ms ±<br /> 37,2.<br /> Thời gian và hình dạng phức bộ QRS<br /> Có 6 bệnh nhân (26%)có phức bộ QRS ><br /> 140ms và hiện diện sóng RR’, R’R ở DII, DIII<br /> tương ứng vị trí ổ loạn nhịp tại thành tự do<br /> buồng thoát thất phải (6/6 bn).<br /> Tương tự có 17 bệnh nhân (74%) có phức bộ<br /> QRS ≤ 140ms và sóng R ở DII, DIII tương ứng<br /> với vị trí vùng vách buồng thoát thất phải<br /> (15/17bn), và buồng thoát thất trái (2/17bn).<br /> <br /> Hình ảnh vùng chuyển tiếp R/S chuyển đạo<br /> trước tim<br /> Vùng chuyển tiếp R/S >1 được ghi nhận tại<br /> chuyển đạo V1,V2 là 2 bệnh nhân (8,7%), vùng<br /> <br /> 296<br /> <br /> V3 là 10 bn (43,5%), vùng V4,V5 là 11 bn (47,8%).<br /> <br /> Đặc điểm về điện sinh lý ổ nhịp nhanh<br /> thất<br /> Vị trí ổ nhịp nhanh<br /> Bảng 1: Phân bố vị trí của nhịp nhanh buồng thoát<br /> thất<br /> Vị trí<br /> TS<br /> <br /> Thành tự do<br /> RVOT<br /> 6(26%)<br /> <br /> Vách RVOT<br /> <br /> Thất trái LOVT<br /> <br /> 15(65,2%)<br /> <br /> 2(8,7%)<br /> <br /> Bảng 2: Phân bố vị trí cơn nhịp nhanh so với vùng<br /> chuyển tiếp R/S<br /> Vị trí<br /> RVOT<br /> LVOT<br /> <br /> V1,V2<br /> 1 BN<br /> 1 BN<br /> <br /> V3<br /> 9 BN<br /> 1 BN<br /> <br /> V4,V6<br /> 11 BN<br /> 0 BN<br /> <br /> Có 10 bệnh nhân ghi nhận vùng chuyển tiếp<br /> tại V3 thì 9 bệnh nhân có ổ loạn nhịp tại vùng<br /> thoát thất phải, và 1 bn tại vùng thoát thất trái.<br /> Do đó độ đặc hiệu của chuyển tiếp tại V3 cho vị<br /> trí vùng thoát thất phải là 50% và độ nhạy là<br /> 42,9%. Còn nếu vùng chuyển tiếp tại V4,V6 có<br /> độ đặc hiệu cao 100% tuy nhiên độ nhạy là<br /> 52,4%, tại vị trí V1,V2 có độ đặc hiệu 50%, độ<br /> nhạy thấp 5%.<br /> <br /> Các thông số triệt phá<br /> Thời gian đốt trung bình: 560s±220, số lượng<br /> triệt phá là 21±5 lần, nhiệt độ đốt là: 55,7± 1,70 C<br /> Thời gian thủ thuật và chiếu tia<br /> Bảng 3: Thời gian thủ thuật và chiếu tia:<br /> Thời gian<br /> TB±ĐLC<br /> <br /> Thủ thuật (phút)<br /> 140±50 (60-190)<br /> <br /> Chiếu tia(phút)<br /> 30±14(18-50)<br /> <br /> Bảng 4: Thời gian thủ thuật và chiếu tia tại các vị trí<br /> Vị trí<br /> Thời gian thủ<br /> thuật (phút)<br /> Thời gian<br /> chiếu tia<br /> (phút)<br /> Số lần triệt<br /> phá<br /> <br /> Thành tự do Vùng vách<br /> 170±12(90- 120±25(90190)<br /> 160)<br /> 50±6(40-50) 30±9(20-55)<br /> <br /> 25±3(20-30)<br /> <br /> 14±9(5-25)<br /> <br /> LVOT<br /> 175±20(100180)<br /> 70±10(50-90)<br /> <br /> 12±4(4-17)<br /> <br /> BÀN LUẬN<br /> Đặc điểm vị trí cơn nhịp nhanh thất<br /> nguyên phát buồng thoát tâm thất<br /> Về vị trí ổ loạn nhịp tại buồng thoát tâm<br /> <br /> Hội nghị Khoa Học Kỹ Thuật BV. Thống Nhất TP. HCM 2012<br /> <br /> Y Học TP. Hồ Chí Minh * Tập 16 * Phụ bản của Số 1 * 2012<br /> <br /> thất, trong số 23 bệnh nhân ghi nhận có biểu<br /> hiện điện tâm đồ đặc trưng cơn nhịp nhanh thất<br /> tại buồng thoát tâm thất, xác định vị trí tại<br /> buồng thoát thất phải là 21 bệnh nhân, vùng<br /> vách chiếm đa số so với vùng thành tự do.<br /> Ngoài vị trí thường gặp là buồng thoát thất<br /> phải, tác giả Hildegard trong quá trình triệt phá<br /> ổ loạn nhịp cho 33 bệnh nhân còn thấy vị trí tại<br /> buồng thoát thất trái 5 bn (15%), xoang vành 3<br /> bn (9%), xoang Valsava 2 bn (6%), thượng mạc 2<br /> bn (6%), thân động mạch phổi 1 bn (3%). Trong<br /> nghiên cứu chúng tôi, vị trí khác chúng tôi gặp<br /> là 2 bn (8,7%) tại buồng thoát thất trái(7,8).<br /> Số lần triệt phá cũng như thời gian triệt phá,<br /> thời gian chiếu tia tại vị trí vùng vách thường<br /> ngắn hơn so với vùng thành tự do một cách có ý<br /> nghĩa thống kê, lý do tại vùng vách dễ cố định<br /> catheter đốt so với vùng thành tư do, điều này<br /> nói lên được khả năng tiên lượng thành công<br /> của vùng vách cao hơn. Tương tự, tuy số lần<br /> triệt phá tại buồng thoát tâm thất trái ngắn hơn<br /> so bên buồng thoát thất phải nhưng thời gian<br /> chiếu tia cũng như triệt phá kéo dài hơn do phải<br /> mất thời gian cho định vị ổ loạn nhịp tại buồng<br /> thoát thất phải trước.<br /> <br /> Mối tương quan giữa vị trí ổ nhịp nhanh<br /> với một số chỉ số trên điện tâm đồ cơn nhịp<br /> nhanh thất nguyên phát tại buồng thoát<br /> tâm thất<br /> Trong số 23 bệnh nhân của chúng tôi 6 bệnh<br /> nhân có thời gian phức bộ QRS > 140ms và hình<br /> dạng sóng RR’,R’R tại chuyển đạo DII, DIII<br /> tương ứng hoàn toàn với vị trí tìm ra ổ loạn<br /> nhịp tại thành tự do của buồng thoát thất phải.<br /> Điều này cho thấy chỉ số điện tâm đồ bề mặt<br /> này khá đặc trưng cho vị trí trên, sẽ giúp ích rất<br /> nhiều trong quá trình khảo sát và cắt đốt, giảm<br /> bớt thời gian chiếu tia và phẫu thuật. Các tác giả<br /> <br /> Nghiên cứu Y học<br /> <br /> cho rằng thời gian dẫn truyền tại thành tự do<br /> kéo dài hơn tại vùng vách liên thất. Nghiên cứu<br /> của Kamakura cũng cho kết quả tương tự(7,8).<br /> Mối tương quan hoạt động điện học của<br /> sóng R và S vùng trước tim sẽ phản ánh vị trí<br /> hoạt động ổ loạn nhịp sẽ lệch qua thất phải hay<br /> thất trái. Vùng chuyển tiếp tại V1,V2,V3 nhiều<br /> khả năng ổ loạn nhịp xuất phát từ buồng thoát<br /> thất trái hơn. Còn nếu vùng chuyển tiếp tại<br /> V4,V6 gần như chắc chắn vị trí ổ loạn nhịp tại<br /> buồng thoát thất phải (độ đặc hiệu đến 100%).<br /> Kết quả của chúng tôi, với độ đặc hiệu 100% cho<br /> vùng RVOT nếu chuyển tiếp tại V4,V6 tuy nhiên<br /> độ nhạy chỉ khoảng 52,4%, đối với vùng chuyển<br /> tiếp tại V1,V2,V3 có độ nhạy và độ đặc hiệu cho<br /> vùng RVOT không cao. Do đó cần lưu ý có khả<br /> năng ổ loạn nhịp từ buồng thoát thất trái, nếu<br /> trong quá trình mapping ổ loạn nhịp tại buồng<br /> thoát thất phải không thành công(10,11).<br /> Chúng tôi tạm đề nghị một số cách thức tiếp<br /> cận triệt phá bệnh nhân nhịp nhanh thất nguyên<br /> phát tại buồng thoát thất:<br /> Đánh giá và dự đoán khả năng thành công<br /> dựa vào một chỉ số trên điện tâm đồ ngoại biên<br /> của cơn nhịp nhanh thất: phức bộ QRS dãn rộng<br /> >140ms và sóng RR’.R’R tại DII,DIII khả năng vị<br /> trí thành tự do buồng thoát thất phải, thời gian<br /> triệt phá sẽ lâu hơn.<br /> Dựa vào chuyển tiếp R/S các chuyển đạo<br /> trước ngực đánh giá khả năng vị trí ổ loạn nhịp.<br /> Trong quá trình khảo sát và triệt phá nên ưu tiên<br /> thăm dò vị trí buồng thoát thất phải trước, nếu<br /> thất bại sẽ thăm dò lần lượt vị trí bên tim phải<br /> trước: trên van động mạch phổi, xoang vành,<br /> sau đó đến các vị trí tim trái: buồng thoát thất<br /> trái, xoang Valsava động mạch chủ(3).<br /> <br /> Hội nghị Khoa Học Kỹ Thuật BV. Thống Nhất TP. HCM 2012<br /> <br /> 297<br /> <br />